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公开(公告)号：CN1996610B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610166914.0
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L51/05 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L51/40 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该面板包括：基板；在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线；连接到第一信号线的源电极；连接到第二信号线的漏电极；连接到漏电极的像素电极；形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物，其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽；形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体；以及，连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。
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公开(公告)号：CN101123265A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140400.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置。绝缘层包含具有含氟化合物的丙烯酸感光树脂。本发明公开了制造上述薄膜晶体管阵列面板的方法。
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公开(公告)号：CN1905231A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610086691.7
申请日：2006-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅极布线，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘层，由无机材料制成，形成在栅极布线上并具有第一绝缘层接触孔，以露出至少部分栅极布线；第二栅极绝缘层，由有机材料制成，形成在第一栅极绝缘层上并具有与第一绝缘层接触孔相对应的第二绝缘层接触孔；源电极和漏电极，形成在第二栅极绝缘层上并彼此分离，以限定沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区上。因此，本发明提供了一种TFT特性被改进的有机TFT基板。
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公开(公告)号：CN1897293A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610098771.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13458 , G02F2001/136295 , G02F2202/02 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种平板显示器，包括：绝缘基板；数据线，形成在绝缘基板上；层间绝缘膜，其形成在数据线上，具有露出数据线的第一接触孔；连接件，形成在第一接触孔的一部分中；层间绝缘膜，环绕第一接触孔；栅极绝缘膜，其形成在连接件上，具有露出连接件的第二接触孔；以及有机半导体层，形成在栅极绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN101419944A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171022.9
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层；通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域；在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除所述金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1941398A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610154248.9
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板，所述阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层、置于开口内并至少部分接触源电极和漏电极的有机半导体、形成于有机半导体上的栅绝缘体、形成于栅绝缘体上的终止层、形成于终止层上且交叉在数据线上并包含栅电极的栅线、以及经接触孔与漏电极连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN1897257A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610106394.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层；通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域；在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层，允许形成在沉积开口中的这些层保留。
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公开(公告)号：CN1841759A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066840.3
申请日：2006-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3272 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0078
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板，其包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，在所述基底上与数据线交叉，所述栅极线包括栅电极；栅极绝缘层，形成在栅极线上，所述栅极绝缘层包括接触孔；源电极，形成在栅极绝缘层上，所述源电极通过接触孔结合到数据线；像素电极，包括漏电极，所述漏电极与源电极相对地设置，且源电极和漏电极之间具有间隙，所述间隙位于栅电极上；钝化层，包括开口，通过该开口至少部分暴露漏电极和源电极；有机半导体，形成在开口中；保护层，形成在有机半导体上。
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公开(公告)号：CN1801479A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124788.8
申请日：2005-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/78603
Abstract: 提出了一种制造柔性显示器的方法，该方法包括在基板上形成包括栅极的栅极线、依次淀积覆盖该栅极线的栅极绝缘层及半导体层、第一次蚀刻所述半导体层；第二次蚀刻半导体层、在所述半导体层和栅极绝缘层上形成包括源极和漏极的数据线；以及形成连接到所述漏极的像素电极。
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公开(公告)号：CN1905232B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
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