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公开(公告)号：CN108417690A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810190735.3
申请日：2018-03-08
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L2924/16195 , H01L33/48 , H01L23/10
Abstract: 本发明公开一种发光二极管。所述发光二极管包括：玻璃盖板、陶瓷基板、发光二极管芯片和电路结构层；其中，所述陶瓷基板开设有凹槽，所述玻璃盖板的形状与所述凹槽的形状匹配，且所述玻璃盖板盖设在所述凹槽上；在所述陶瓷基板的与所述玻璃盖板接触的表面处设置有釉料层；在所述玻璃盖板的与所述凹槽接触的表面处设置有玻璃浆料层，所述玻璃浆料层用于将所述玻璃盖板与所述陶瓷基板熔接在一起；所述发光二极管芯片设置在所述凹槽内，且所述发光二极管芯片与所述电路结构层连接。本发明提供的发光二极管，在陶瓷基板表面制作平滑的釉料层，使用玻璃浆料来实现玻璃盖板与陶瓷基板的低温紧密熔接，降低了工艺复杂性的同时又提高了发光二极管的封装气密性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108022863A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711236439.4
申请日：2017-11-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种水蒸气氧化退火系统。所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。本发明提供的退火系统能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN105304593B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510793108.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/14
Abstract: 本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板，从其导电层进行散热，依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板，其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层紧密结合，碳基材料涂层的另一侧裸露表面则形成复合散热基板的外部散热面，将光电器件工作时产生的热量通过导电层，再依次经由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层导出，进行散热。本发明通过在高导热金属基板上表面覆一层导热绝缘的陶瓷涂层作为绝缘层，提高了基板的介电常数、抗静电能力及散热能力；金属基板下表面覆一层导热能力良好的碳基材料涂层，其导热系数及热辐射系数高，可进一步提高基板的整体散热性能。
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公开(公告)号：CN104843681B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510160015.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: C01B32/186 , C09K11/65 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种可控尺寸石墨烯量子点的宏量制备方法，包括如下步骤：a.在基片上沉积催化剂金属薄膜；b．刻蚀金属薄膜，制得纳米级图形化金属催化剂；c.将基片置于化学气相沉积反应室内，高温下通入碳源及还原气体，制得位于纳米金属催化剂上的石墨烯量子点；d.还原性气氛中冷却至室温，取出基片置于纳米金属刻蚀液中，获得悬浮于溶液中的量子点。本发明使用CVD法制备石墨烯量子点，实现了量子点的宏量制备；采用刻蚀工艺获得纳米级图形化金属作为催化剂，通过控制催化剂的尺寸实现石墨烯量子点尺寸的精确可控，提高了产率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN106847765A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710018326.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种带有微结构的散热基板，散热基板上端设置有多个凹槽，凹槽的槽壁与凹槽顶端设置有多个凸起的微结构；本发明通过在散热基板上设置多个凹槽，并且在凹槽上设置多个凸起的微结构，增大散热基板与导热胶之间的接触面积，使热量流通快，提高电子器件的散热效率，电子器件使用性能优异，且延长了电子器件的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106802748A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710151650.X
申请日：2017-03-15
Applicant: 上海大学
IPC: G06F3/044
Abstract: 本发明公开一种触控传感器及触控传感器的制备方法，所述触控传感器包括下电容层和上电容层；所述下电容层由多个电容模块组成，各所述电容模块包括多个电容单元；所述电容单元包括基板、底电极、介电层和顶电极；所述底电极覆盖于所述基板表面，所述介电层将所述底电极包围，所述顶电极覆盖于所述介电层表面；所述上电容层包括柔性层和电极层，所述电极层覆盖于所述柔性层表面；所述基板与所述柔性层平行设置，且所述顶电极与所述电极层形成电容结构。本发明提供了一种能够准确定位并测量出实际压力大小的触控传感器，并解除了触控传感器过分依赖材料带来的限制，大大提高了加工效率并降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN103187541B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201110455185.1
申请日：2011-12-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 一种OLED器件封装夹持装置，包括底座、基板组件、压板组件、压板运动组件和传感器。底座用于支撑和稳定装置；基板组件安装于底座，用于承载待封装的OLED器件；压板组件位于基板组件背向底座的一侧，用于与基板组件配合，为待封装的OLED器件提供夹持力；压板运动组件安装于底座，用于调整压板组件与基板组件的相对位置；传感器位于底座与基板组件之间，用于检测基板组件与压板组件之间的夹持力。上述OLED器件封装夹持装置，通过传感器可准确反映压板机构和底板间的夹持力，避免了因夹持力偏小而造成密封效果差或者因夹持力过大而造成OLED器件的损伤，改善了OLED器件的封装质量。
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公开(公告)号：CN103490013B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310464406.0
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管封装方法，在对有机发光二极管加热键合完成之后对键合部位进行加热降温，即采用平滑降低加热温度的方式对键合部位进行降温，直至键合部位的温度降至常温。通过平滑降温的方式对键合部位进行降温，使加热键合后键合部位的温度逐步的降为常温，减小了键合部位所受的热应力，防止键合部位因温度骤降产生开裂等问题，提高了有机发光二极管器件产品的良品率。同时，本发明还公开了一种有机发光二极管封装系统。
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公开(公告)号：CN106399960A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610906994.2
申请日：2016-10-18
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C16/505 , H01L23/367
CPC classification number: C23C14/35 , C23C16/505 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构，所述方法包括如下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上形成金属单质层；所述金属单质为铝或钛；S2：在所述金属单质层上形成相应金属的掺硅化合物层；S3：在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。本发明结合磁控溅射与射频化学气相沉积技术，在基板上沉积与基板结合力良好的类金刚石绝缘导热薄膜，达到高导热、高绝缘性的效果。本发明制备的类金刚石绝缘导热薄膜可以很好的应用于MPS二极管铜或铝合金基板上，作为封装结构中绝缘和导热散热层来使用，且不局限于MPS二极管铜或铝合金基板上使用，还可以应用于其他类型的需要快速散热并需要绝缘的基板上面，具有广泛的工业前景。
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公开(公告)号：CN106206982A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610652980.2
申请日：2016-08-11
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法，其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底；将所述柔性基底，位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层，或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下，组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板，其过程采用鼓泡法，腐蚀基底法，热释放法的任意一种，转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性，提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果，可以普遍应用于各种结构的光电器件，并进一步提高器件的光电效率。
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