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公开(公告)号:CN105874590B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201380079122.8
申请日:2013-09-27
申请人: 英特尔公司
发明人: H·布劳尼施 , F·艾德 , A·A·埃尔谢尔比尼 , J·M·斯旺 , D·W·纳尔逊
IPC分类号: H01L23/12
CPC分类号: H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/473 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/021 , H05K1/185 , H05K2201/066 , H05K2201/10416 , H05K2201/10545 , H01L2924/00
摘要: 一种设备包括:管芯,所述管芯的第一侧包括第一类型的系统级触点并且第二侧包括第二类型的触点;以及封装基板,所述封装基板耦接到所述管芯和所述管芯的所述第二侧。一种设备包括:管芯,所述管芯的第一侧包括多个系统级逻辑触点并且第二侧包括第二多个系统级电力触点。一种方法包括将管芯的第一侧上的第一类型的系统级触点和管芯的第二侧上的第二类型的系统级触点中的一者耦接到封装基板。
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公开(公告)号:CN105793982B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201480066438.8
申请日:2014-11-26
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/4871 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/49805 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/10156 , H01L2224/10165 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81009 , H01L2224/81191 , H01L2224/81907 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要: 提出了一种涉及倒装芯片类型的电子装置的技术方案。特别是,一种倒装芯片类型的电子装置(200,300;400;700;800),包括:具有载体表面(135;835)的至少一个芯片载体(110;805),该载体包括在该载体表面上的导电材料的一个或多个接触元件(140s,140p;740s,740p;840s,840p),具有芯片表面(120;720)的至少一个集成电路芯片(105;705),该芯片包括在该芯片表面上的导电材料的一个或多个端子(125s,125p;725s,725p),每个芯片端子面对对应的接触元件,将每个端子焊接到该对应的接触元件的焊料材料(150;750),以及围绕该接触元件的限制装置(210s,210p,310;410sl,410sd,410p;790s,790p;890s,890p),用于在将该端子焊接到该接触元件期间限制该焊料材料,其中,该载体包括在该载体表面上的导热材料的一个或多个热消散元件(205s,205p;785s,785p;885s,885p),一个或多个热消散元件从该端子移位,该载体表面面对该芯片表面,该消散元件不含任何焊接掩模。
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公开(公告)号:CN107408542B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201680014400.5
申请日:2016-01-06
申请人: 新电元工业株式会社
IPC分类号: H01L23/34
CPC分类号: H01L23/4006 , B60R16/03 , H01L23/367 , H01L23/42 , H01L2023/4068 , H01L2023/4087 , H01L2224/83385
摘要: 半导体器件90的载置台100,包括:载置有半导体器件90的本体部10;以及用于将所述半导体器件90固定在所述本体部10上的固定部40。所述本体部10具有:支撑部12、以及位于所述支撑部12的内周侧并且高度比所述支撑部12更低的底面部11。所述支撑部12与所述底面部11之间的高度差ΔH,比计算出或测量后的朝底面部11的上方侧翘曲的最大的翘曲高度H1与计算出或测量后的朝半导体器件90的底面的下方侧翘曲的最大的翘曲高度H2的和(H1+H2)更大。
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公开(公告)号:CN105637632B
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201580002170.6
申请日:2015-03-18
申请人: 富士电机株式会社
IPC分类号: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
CPC分类号: H01L23/473 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/433 , H01L23/46 , H01L23/467 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种提高冷却性能的冷却器及使用该冷却器的半导体模块,该冷却器(100)具备:外壳(2),其以顶板(1)、底板(2a)及侧壁(2b)包围而成,侧壁(2b)的上部与顶板(1)的背面接合且在内部具备冷媒流通空间;冷媒流入配管(3)及冷媒流出配管(4),其分别与侧壁(2b)上具备的两个贯通孔连接;散热片单元(5),其以弯曲的多片散热片(5a)的主面分别间隔的状态配置,使散热片(5a)的第一端(5b)相对于从冷媒流入配管(3)流入的冷媒流呈锐角的方式定向配置,使散热片(5a)的第二端(5c)相对于向冷媒流出配管(4)流出的冷媒的流向呈锐角的方式定向配置,并且,位于第一端(5a)与第二端(5c)之间的第三端(5d)与顶板(1)热连接。
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公开(公告)号:CN105551977B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201510702838.X
申请日:2015-10-26
申请人: 赛米控电子股份有限公司
CPC分类号: H05K3/32 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L24/50 , H01L24/86 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/73269 , H01L2224/8384 , H05K3/10 , H01L2924/00014
摘要: 本发明提供生产电力电子开关器件的方法,该器件包括基板、布置于基板上的功率半导体组件、连接装置及端子装置,该方法包括以下步骤:A)提供基板,其包括绝缘片层及彼此电绝缘的导体轨道,功率半导体组件布置于导体轨道上并粘合地连接至导体轨道;B)布置实施为膜层叠体的连接装置;C)布置薄的耐压耐温防潮绝缘层,其遵循连接装置的表面轮廓,并包括位于连接装置上的覆盖部段且包括重叠部段,重叠部段沿周向在所有侧与连接装置重叠并在周向接触区域中覆盖基板;D)将连接装置粘合地连接至基板,由此开关器件在内部通过连接装置以遵循电路的方式连接;E)将绝缘层的覆盖部段连接至连接装置;F)将绝缘层的重叠部段连接至基板的接触区域。
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公开(公告)号:CN109755191A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811257876.9
申请日:2018-10-26
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/367
CPC分类号: H01L23/367 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3677 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/83
摘要: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括:半导体芯片,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面;散热构件,附着到所述半导体芯片的所述无效表面;包封剂,覆盖所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少部分;以及连接构件,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述散热构件具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度。
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公开(公告)号:CN106057745B
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201610191252.6
申请日:2016-03-30
申请人: 钰桥半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L23/4334 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68386 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要: 本发明提出一种设有加强层且整合有双路由电路的半导体组件,半导体元件及第一路由电路位于加强层的贯穿开口中,而第二路由电路延伸进入加强层贯穿开口外的区域。该加强层所具有的机械强度可避免阻体发生弯翘情况。该第一路由电路可将半导体元件的垫尺寸及垫间距放大,而该第二路由电路不仅可提供进一步的扇出线路结构,其亦可将第一路由电路与加强层机械接合。
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公开(公告)号:CN109037175A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810780535.3
申请日:2018-07-17
申请人: 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司
发明人: 郑琼如
IPC分类号: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L29/45
CPC分类号: H01L23/3736 , H01L23/367 , H01L29/456
摘要: 本发明提供一种功率器件,其包括基板及设置在所述基板上的芯片,所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件,所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层,所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度,所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。本发明还提供功率器件的封装方法,增强芯片的散热效率和驱动性能,缩小芯片封装后的尺寸,降低了制造成本。
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公开(公告)号:CN108962848A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810782322.4
申请日:2018-07-17
申请人: 深圳市福来过科技有限公司
发明人: 徐立根
IPC分类号: H01L23/367 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号: H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要: 本发明提供了一种功率器件及其制作方法,包括:在硅片上表面形成第一沟槽,在所述硅片下表面形成第二沟槽;在所述第一沟槽内形成源极和栅极结构;在所述第二沟槽内形成背面电极;在所述硅片上表面所述第一沟槽两侧形成第三沟槽和第四沟槽,在所述硅片下表面所述第二沟槽两侧形成第五沟槽和第六沟槽;在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽的侧壁和底面形成介质层;在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽内形成第一金属层;在所述正面电极的上表面和所述背面电极的下表面分别形成第一防水层和第二防水层;将所述硅片上表面连接第一散热结构,将所述硅片下表面连接第二散热结构,增加功率器件的热耗散。
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公开(公告)号:CN108766948A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810943207.0
申请日:2018-08-17
申请人: 威海云山科技有限公司 , 王政玉
IPC分类号: H01L23/367
CPC分类号: H01L23/3672 , H01L23/367
摘要: 一种柔性膜片散热器,涉及传热散热领域,由导热膜片组、骨架、隔离栅组成,导热膜片组置于骨架内,隔离栅固定在骨架上。导热膜片组是由两片及以上小面积的柔性导热膜片与两片及以上大面积的柔性导热膜片交错排列叠置;骨架上设有夹板和螺栓,夹板设在大导热膜片组两高度侧面,所述隔离栅是安装在向外凸出的各大面积膜片之间的隔离体及固定隔离体的板条。该柔性膜片散热器,不仅可在任意方向安装,保证柔性导热膜不弯折、不堆积,而且可实现大热容量、快传热速度、高散热效率,制造工艺简单,生产成本低的效果。广泛应用于电力电子、微电子、光电子的散热系统。
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