一种SERS检测用银纳米线块的制备方法

    公开(公告)号:CN111036930A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911352737.9

    申请日:2019-12-25

    摘要: 本发明涉及一种SERS检测用银纳米线块的制备方法,其特征在于:S1:将硝酸银加到多元醇中,搅匀得浓度为0.01~0.3 g/mL的溶液A;S2:将聚乙烯吡咯烷酮加到多元醇中,搅匀得浓度为0.02~0.2 g/mL的溶液B;S3:将溶液B升温至50~80℃并保温20~60 min,搅拌下将溶液A加入到溶液B中,随后继续搅拌20~60 min得溶液C;S4:将浓度为0.0002~0.005 g/mL的氯化物加入溶液C中,搅拌5~10 min,90~140℃加热8~24 h,在溶液C上层得纳米银线块;S5:将纳米银线块取出,清洗5~10次,在40~80℃干燥60~120min后即可。本发明有益效果:1.可一步制备得到块状银纳米线,制备步骤简单;2.该纳米线块可直接用来进行SERS检测且使用方法简单,使用便捷;3.SERS性能优异且可以重复使用,降低成本。

    一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107546341B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710796080.X

    申请日:2017-09-06

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/48

    CPC分类号: Y02E10/549

    摘要: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗柔性基底;S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层,下SiO2膜层厚度为15~60nm;S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层,Ag膜层厚度6~20nm;S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照;S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层,得到所述透明导电氧化物薄膜,上SiO2膜层厚度为15~60nm;本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜,具有更好的透过率和导电性能;对Ag膜层采用等离子体辐照,使Ag膜层成膜质量更好,整个复合膜系具有更好的透过率和导电性;SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好,不需要金属过渡层,且成本低廉,适合工业化生产。