一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107546341B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710796080.X

    申请日:2017-09-06

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/48

    CPC分类号: Y02E10/549

    摘要: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗柔性基底;S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层,下SiO2膜层厚度为15~60nm;S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层,Ag膜层厚度6~20nm;S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照;S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层,得到所述透明导电氧化物薄膜,上SiO2膜层厚度为15~60nm;本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜,具有更好的透过率和导电性能;对Ag膜层采用等离子体辐照,使Ag膜层成膜质量更好,整个复合膜系具有更好的透过率和导电性;SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好,不需要金属过渡层,且成本低廉,适合工业化生产。

    一种绒面多层膜透明导电玻璃

    公开(公告)号:CN107611187A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710795754.4

    申请日:2017-09-06

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本发明公开一种绒面多层膜透明导电玻璃,包括玻璃基底,玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜与上ZnO基薄膜,上ZnO基薄膜表面设有一组离散分布的球坑,使上ZnO基薄膜表面呈凹凸的织构化结构;上ZnO基薄膜的厚度小于球坑的直径;通过离散分布的球坑,在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构,从而得到高透过率、低电阻率的多层膜透明导电玻璃;制作时,可以先在下ZnO基薄膜表面制备单层离散的聚苯乙烯小球层,然后利用聚苯乙烯小球层作为掩膜,溅射生长上ZnO基薄膜,之后去除聚苯乙烯小球,即在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构;由于聚苯乙烯小球层的直径与浓度可控,因而使得上ZnO基薄膜表面的微结构可控,调节ZnO基薄膜的雾度。

    一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107546341A

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201710796080.X

    申请日:2017-09-06

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/48

    CPC分类号: Y02E10/549

    摘要: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗柔性基底;S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层,下SiO2膜层厚度为15~60nm;S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层,Ag膜层厚度6~20nm;S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照;S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层,得到所述透明导电氧化物薄膜,上SiO2膜层厚度为15~60nm;本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜,具有更好的透过率和导电性能;对Ag膜层采用等离子体辐照,使Ag膜层成膜质量更好,整个复合膜系具有更好的透过率和导电性;SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好,不需要金属过渡层,且成本低廉,适合工业化生产。