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公开(公告)号：CN114039014A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111406825.X
申请日：2021-11-24
IPC分类号： H01L51/52
摘要： 本发明提供一种柔性有机发光半导体器件阳极结构，包括：柔性基底，柔性基底的上表面覆盖有第一金属氧化物层；合金层，合金层位于第一金属氧化物层上方并覆盖第一金属氧化物层的上表面；金属层，金属层位于合金层上方并覆盖合金层的上表面，通过合金层隔离金属和第一金属氧化物层并促进金属层连续成膜；第二金属氧化物层，第二金属氧化物层位于金属层上方并覆盖金属层的上表面，通过第二金属氧化物层隔离金属层与外部空气；柔性基底、第一金属氧化物层、合金层、金属层和第二金属氧化物层组成柔性有机发光半导体器件阳极。有益效果是本发明的柔性有机发光半导体器件阳极结构的总厚度控制在110nm以下，缩短镀膜时间，提高光的取出效率，减少光损失。
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公开(公告)号：CN112635585A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011559824.4
申请日：2020-12-25
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种彩色CIGS薄膜太阳能电池，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次制有层叠设置的背电极、吸收层、缓冲层、高阻层与窗口层；其特征在于，所述窗口层依次由TCO透明导电膜F1、界面膜F2层、金属透明导电膜F3层、界面膜F4层、TCO透明导电膜F5的复合叠加组成。制备方法：1、以高阻层为起点；2、采用磁控溅射工艺，高阻层顶面沉积TCO透明导电膜F1；3、在F1层顶面沉积界面膜F2层；4、在F2层顶面沉积金属透明导电膜F3层；5、在F3层顶面沉积界面膜F4层；6、在F4层顶面沉积TCO透明导电膜F5。得到彩色CIGS薄膜太阳能电池用前电极，使得电池结构本身即可实现携带颜色，同时保障薄膜太阳能电池的整体结构及性能。
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公开(公告)号：CN112481594A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011427455.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 凯盛科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种用于手机盖板的彩色不导电真空电镀膜及其制备方法，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有底漆层、缓冲层、NCVM层、彩色层与面漆层；所述缓冲层为单晶硅层、氮化物层、氮氧化物层或氧化物层；所述彩色层是由第一折射膜层与第二折射膜层交替层叠构成的复合膜层，彩色层的层数为2～4层；第一折射膜层的折射率大于第二折射膜层；该电镀膜能够实现多种颜色的外观，并且膜系结合力强，抗老化、耐腐蚀。
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公开(公告)号：CN110983274A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911353361.3
申请日：2019-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种W掺杂ZrO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、清洗衬底，去除衬底表面的污垢；b、采用纯度为99.99%的金属钨与金属锆作为溅射靶材，两个溅射靶材的靶材基座均与水平面呈45º夹角、且靶材基座的延长线交汇于一点；c、将衬底置于磁控溅射腔体内两个靶材基座的交汇点；d、启动磁控溅射设备在衬底表面溅射W掺杂ZrO2薄膜；采用两块独立的靶材，每个靶材可以各自独立控制，不需要单独制作钨和锆的混合靶材，只需要改变靶材在溅射时的工艺参数，即可以改变W的掺杂量，制备灵活方便。
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公开(公告)号：CN110941127A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911352684.0
申请日：2019-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： G02F1/1524 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/34
摘要： 本发明涉及一种微缺陷诱导的电致变色智能玻璃复合膜组及其制备方法，其特征在于：在FTO或ITO导电玻璃基底的FTO或ITO面上依次设有WO3层、电解质层、NiO层、电极层；其中WO3层和NiO层内均嵌有SiO2纳米微球；电解质层为LixGayO或者LixNbyO层；电极层为ITO层。本发明有益效果：通过在变色层中内嵌SiO2纳米粒子作为微缺陷，微缺陷纳米球与变色层会形成界面缺陷，促进电致变色过程中离子在微缺陷界面处的诱导聚集，达到提升薄膜变色效率的目的，包括着色时间的加快，光调制幅度的增大、提高变色均匀性等；采用一种常温溅射制备ITO电极层的方法，本方法通过常温溅射制备ITO薄膜在保证了薄膜性能的同时，避免了加热对膜系变色层、电解质层带来的可能的影响。
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公开(公告)号：CN106591789B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要： 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN109449228A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811611265.X
申请日：2018-12-27
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/0749 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开一种柔性可弯曲CIGS薄膜太阳能电池，包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有背电极、CIGS薄膜、缓冲层、高阻层、窗口层与减反层；背电极包括由下至上依次层叠的合金膜层、ZnAl膜层、降阻金属膜层、防腐蚀膜层与Mo膜层；合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu薄膜；降阻金属膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层；防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、TiN或TiON膜层；缓冲层为ZnS或InS薄膜；高阻层为本征ZnO薄膜；窗口层为GZO或IGZO薄膜；减反层为MgF2或ZnS薄膜；该电池不需要阻挡层、背电极较薄且具有较好的真空工艺相容性、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、良好的化学稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN108754443A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560533.3
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种提高N掺杂ZnO薄膜荧光特性的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，将衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，以陶瓷ZnO靶为基材，通入Ar和N2在衬底表面进行N掺杂ZnO薄膜的制备；S3、将得到的N掺杂ZnO薄膜置于退火炉中，以N2为保护气氛，在1000℃的温度下退火3小时；S4、持续向退火炉通入N2，使N掺杂ZnO薄膜随炉冷却至室温；高温退火可以提高薄膜的结晶质量；在N2的保护气氛中退火可以使薄膜中的N离子或ZnO中的错位粒子迁移到合适的位置，另一方面由于N2的作用，也可进一步提高薄膜中的N含量，得到荧光特性增强的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN108642465A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810560534.8
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC分类号： C23C14/46 , C23C14/0658 , C23C14/48
摘要： 本发明公开一种离子束沉积制备CN薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污与杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机，离子束沉积设备采用C靶，将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，以氩离子轰击C靶；同时，开启离子注入机，注入N离子，在衬底表面得到CN薄膜；C靶的工艺参数通过离子束沉积设备进行独立控制，N离子源的提供由离子注入机完成，整个过程中离子束沉积设备与离子注入机都是单独工作，不相互干扰；C与N的简单的进行反应得到CN薄膜，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
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公开(公告)号：CN108396298A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810560606.9
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086
摘要： 本发明公开一种Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶为溅射靶材，ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶在水平面以三角形分布，且ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶分别与水平面形成60º夹角，所述衬底位于ZnO靶、Al2O3靶与MnO2靶的延长线交点处；S3、向磁控溅射设备的真空腔室内通入溅射气体氩气，ZnO靶的功率400W、Al2O3靶的功率150W、MnO2靶的功率150W，Ar总通入量为100sccm，工作气压2.0Pa，溅射1.5小时，得到Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜；改变靶材各自的溅射参数可进行任意掺杂元素、任意掺杂量的掺杂，且所制备薄膜掺杂都非常均匀。
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