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公开(公告)号：CN110988969A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911080572.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本申请涉及一种大气中子辐射试验方法、系统和装置，其中一种大气中子辐射试验方法，通过采用待测电子系统整体辐射与辐射敏感部件辐射相结合的方法来确定待测电子系统的辐射效应试验结果，使得辐射效应试验结果能够准确地评估大气中子辐射对待测电子系统的影响，为电子系统大气中子辐射试验提供了试验方法；同时还可根据辐射效应试验结果确定大气中子辐射分别对辐射敏感部件和整个待测电子系统的影响程度，以便于对待测电子系统进行评估，并提供大气中子辐射加固方向。
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公开(公告)号：CN110045204A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910341865.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，采集待测器件的电流，并将采集到的电流确认为效应电流；以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流，直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时，将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流；将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流，从而，本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流，提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度，进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。
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公开(公告)号：CN109696590A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811357663.3
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/001
Abstract: 本发明公开了一种电子器件软错误率评估方法和装置，所述方法通过根据10B同位素的含量判断所述电子器件对热中子是否敏感后，在不同的海拔高度处多次测试同一电子器件的总软错误率，达到分离高能中子、热中子和α粒子软错误率的目的。所有的软错误率都是根据真实大气环境下测试得到的软错误率计算出来的，结果更加可信。另外本发明避免了高能中子、热中子和α粒子软错误率的单独测量，从而规避了热中子和α粒子软错误率不易测量的缺点，大大降低了电子器件软错误率评估的复杂度和成本。
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公开(公告)号：CN109669803A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811442640.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1044 , G06F11/1012
Abstract: 本发明涉及用于降低ECC存储器的软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的软错误率的函数关系；根据函数关系确定ECC存储器的软错误率的初始值；判断ECC存储器的软错误率的初始值是否大于预设目标软错误率；当ECC存储器的软错误率的初始值大于预设目标软错误率时，对ECC存储器的外围电路进行加固，以使得加固后的ECC存储器的软错误率小于或等于预设目标软错误率。上述方法可指导ECC存储器的外围电路抗软错误优化设计，将外围电路加固设计程度定量化，实现既降低总体软错误率又不过度加固的目的，保证ECC存储器的软错误率达到实际工程要求。
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公开(公告)号：CN119227474A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410826845.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了基于机器学习的器件单粒子翻转截面和敏感区的获取方法，涉及半导体分析技术领域，该系统公开了如下步骤：步骤S1：目标芯片的重离子单粒子效应器件仿真，获取带单粒子翻转标签的机器学习样本；步骤S2：将带单粒子翻转标签的机器学习样本作为机器学习分类算法的输入，确定发生单粒子翻转的决策边界；步骤S3：机器学习算法提取的单粒子翻转决策边界映射到目标芯片上，即可得到芯片的单粒子效应敏感区。本发明结合单粒子效应器件仿真数据，提出了器件单粒子翻转截面和敏感区的获取方法，通过本发明的方法可以实现芯片重离子单粒子效应敏感性的快速评估，大大节省了试验成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118169492A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410297566.9
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率器件测试系统、方法、计算机设备和存储介质。该系统包括处于自然大气辐照环境下的多个并联连接的待测功率器件、监测装置和高压电源；多个并联连接的待测功率器件与高压电源连接，实现高压电源向多个待测功率器件供电，以将多个待测功率器件均置于高压反偏状态或高压阻断状态；在此状态下，监测装置监测每一待测功率器件在关断状态下的电流值，并根据所监测到的每一待测功率器件的电流值，确定每一待测功率器件的失效情况。上述系统，可以实现同时对大规模功率器件阵列进行失效检测，提高了功率器件失效情况检测的检测效率；并且增加了样本数量，排除了少量样本数量存在的偶然性问题，提高了功率器件失效情况检测结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN118150967A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410280716.5
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种功率器件失效检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：针对预设多个海拔高度中每个海拔高度，获取海拔高度处地面宇宙射线的粒子通量，确定在海拔高度处的地面宇宙射线辐照下，参考功率器件组的器件失效率，并根据粒子通量和器件失效率，确定海拔高度的目标量化值；根据各海拔高度的目标量化值，选取测试海拔高度；确定在测试海拔高度处测试功率器件组的器件失效率；根据任一目标海拔高度处的粒子通量和测试海拔高度处的粒子通量，得到失效率因子；根据测试功率器件组的器件失效率以及失效率因子，得到在目标海拔高度处测试功率器件组的器件失效率。采用本方法能够提高功率器件组失效率确定准确性。
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公开(公告)号：CN118130994A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410277931.X
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定方法及装置，该方法包括：获取宽能谱中子辐照后的待确定半导体器件的各初级移位原子的动能、原子序数和质量数，以及待确定半导体器件的原子序数和质量数；根据各初级移位原子的动能、各初级移位原子的原子序数、各初级移位原子的质量数、待确定半导体器件的原子序数和待确定半导体器件的质量数，确定各初级移位原子的反冲平均位移能量损失；根据各初级移位原子的反冲平均位移能量损失和动能，确定待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤。通过本申请的方法，能够避免开展半导体器件的高通量中子辐照试验，缩短了半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定时长。
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公开(公告)号：CN111737935B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010613779.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/33 , G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种功率器件失效率评估方法、计算机设备以及存储介质。功率器件失效率评估方法包括：获取重离子的阈值能量；模拟沉积能量大于或者等于阈值能量的重离子入射至待测态功率器件的过程，确定功率器件的敏感区域；模拟辐射粒子入射至待测态功率器件而产生次级重离子的过程，获取辐射粒子产生的进入敏感区域的次级重离子的沉积能量；根据进入敏感区域的次级重离子的沉积能量与阈值能量的关系，获取待测态功率器件发生单粒子烧毁事件的次数；根据单粒子烧毁事件的次数，评估辐射粒子导致待测态功率器件的失效率情况。本申请可以有效降低测试成本。
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公开(公告)号：CN111579957B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010299625.8
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F17/18
Abstract: 本申请涉及一种纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备。其中，纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法以多个总剂量试验点对同批器件中的多个器件进行总剂量辐射试验，得到各器件的试验数据；对各试验数据进行处理，得到各总剂量试验点的参数标准差和参数均值；根据各总剂量试验点的参数标准差和参数均值，得到各总剂量试验点上的单个器件栅氧化层的缺陷平均个数；根据泊松分布以及各缺陷平均个数，确定同批器件的缺陷分布情况。基于此，可针对存在涨落效应的纳米MOSFET器件进行辐射后离散数据的统计分布分析，确定单个器件栅氧化层中的缺陷平均个数，最终确定同批器件中栅氧化层内部的缺陷分布情况，为同批器件的总剂量辐射评估和考核提供有效数据。
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