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公开(公告)号：CN100535674C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200510087702.9
申请日：2005-08-05
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明为一种小型三维电场传感器，包括传感器转子、感应电极、端盖、支撑板、驱动单元和机壳，其中，端盖为倒扣的盆状，侧周面由四个弧面与四个平面相间排列组成，平面上固接有径向感应电极，其底端沿有折成九十度的翻边，翻边与支撑板固接。本发明有一个屏蔽转子，三个方向感应电极：轴向(Z方向)电场感应电极以及径向(X，Y方向)电场感应电极，三个方向感应电极均为静止单元。在驱动单元的作用下，屏蔽转子旋转，对轴向和径向感应电极产生交替性屏蔽作用，从而输出感应电流，测量三维电场。本发明体积小、重量轻，而且电场的径向X，Y方向分量的相互干扰很小。
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公开(公告)号：CN101368988A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710120281.4
申请日：2007-08-15
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明提出一种免封装压电驱动式微小型电场传感器，该传感器主要由压电驱动元件和感应导体构成，与传统机加工的电场传感器相比，它具有结构简单、成本低、功耗低的优点。与基于微机电技术(MEMS)的微型电场传感器相比，它具有敏感结构免封装，可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN1908665A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200510088898.3
申请日：2005-08-02
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01N33/543 , G01N27/30 , H01L49/00
摘要： 基于混合自组装膜的微型安培免疫传感器及制备方法，该传感器包括硅基底，氧化硅和氮化硅绝缘层，及在绝缘层上由内而外同心分布的圆形金薄膜工作电极、SU－8光刻胶围成的环形敏感膜池、环形铂薄膜对电极、环形铂薄膜参比电极、SU－8光刻胶围成的环形反应池、以及在工作电极上固定的生物分子敏感膜。本发明用微纳米加工技术和混合自组装膜等技术，制备的免疫传感器一致性好、相关性高、易于微型化、与集成电路工艺相兼容、批量生产成本低，基于混合自组装膜制备的“混合自组装膜－纳米金－蛋白质－抗体”生物分子敏感膜有友好的仿生界面，能够最大限度地保持抗体的免疫活性，提高传感器的检测灵敏度，为免疫分析、疾病检测等提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN1828318A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200510051261.7
申请日：2005-03-03
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 一种磁驱动或热磁混合驱动的微型电场传感器，采用洛仑兹力驱动或采用热应力与洛仑兹力共同驱动屏蔽电极，在水平方向上振动，使传感器重量轻、响应速度快、易于集成；其测量的电流信号采用差分方式输出。本发明的驱动结构紧凑，占用芯片面积很少，可提高正负感应电极的面积，由于基于电荷感应式的电场传感器检测电流信号与屏蔽电极的工作频率和感应电极面积的乘积成正比，磁驱动微型电场传感器驱动频率很高，感应电极面积大，对提高微型电场传感器的检测灵敏度极为有利；热磁混合驱动微型电场传感器在工艺上更简单，可用目前国际上若干代工厂的工艺条件进行加工，其驱动电压很小，驱动电流在毫安量级，能够采用标准的CMOS电路作为激励信号源。
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公开(公告)号：CN1525181A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03106433.7
申请日：2003-02-25
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 一种平行振动式微型电场传感器，包括激振部分1和感应部分2；感应部分2由屏蔽电极3和感应电极4构成；屏蔽电极3上面有栅孔5。在激振驱动力的作用下，屏蔽电极3与感应电极4发生周期性平行相对运动。与竖直振动式电场传感器相比，本传感器振动时空气阻尼小，激振驱动方式灵活，有利于减少激振信号与感应信号间的电干扰。
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公开(公告)号：CN1477231A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02130138.7
申请日：2002-08-23
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： C23F1/08 , H01L21/306 , H01L21/465
摘要： 一种单面悬浮腐蚀薄膜的方法，包括步骤：用黑胶－沥青保护硅片带有金属引线薄膜的一面，将硅片腐蚀到剩下20μm－30μm；黑胶清洗干净后，将硅片悬浮在支架上；由支架下面的腐蚀液继续腐蚀硅片到要求的尺寸。本发明使恒温的腐蚀液在硅片下面流动通过，对硅片单面进行腐蚀，同时腐蚀液的流动起到搅拌的作用，将产生的氢气带走。本发明的特点是结构简单，易于加工，可根据不同需要制作不同规格设备等优点。可以获得清洁的薄膜表面，制备出带有NiCr/NiCr等(其他金属)热电偶和电极的大面积超薄型Si3N4(厚度50nm以上)等薄膜。
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公开(公告)号：CN109752604B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910095416.9
申请日：2019-01-30
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明提供了一种电场传感器的封装组件、封装方法及电场传感器。所述组件包括：基底；封帽组件，其与所述基底连接形成内腔，所述封帽组件包括绝缘层与金属层，其中，所述绝缘层用于将所述内腔与外界隔离，所述金属层覆盖于所述绝缘层外表面，所述金属层包括对称分布的两块金属电极，所述两块金属电极之间具有缝隙；电场传感器，固定于所述内腔中的基底上。通过封帽组件的绝缘层实现对电场传感器的保护，避免了外界环境对芯片工作状态的干扰。通过在封帽组件的金属层设置对称分布的两块金属电极，以及设计两块金属电极之间存在缝隙，该缝隙的存在保证了外界电场在电场传感器上的分布在后续检测中不被消除。
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公开(公告)号：CN112540239A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910896672.8
申请日：2019-09-20
申请人： 中国科学院电子学研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 一种基于多结构耦合的微型电场传感器，包括：所述微型电场传感器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、电极单元和固定单元；其中：所述第一谐振器和第二谐振器之间、第三谐振器和第二谐振器之间通过电容耦合或机械梁耦合连接，第一谐振器和第三谐振器分别置于第二谐振器的两侧，且第一谐振器和第三谐振器接参考零电位或一定的参考电位；所述电极单元包括分别安装在第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和固定单元上的激励电极、调谐电极、振动检测电极和电场感应电极，用于通过电极极板间的场强变化来测量所述微型电场传感器所处位置的电场强度。所述的电场传感器具有灵敏度高、结构简单、动态范围和灵敏度可调等优点。
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公开(公告)号：CN110940866B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201911211349.9
申请日：2019-11-29
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 本公开提供了一种灵敏度可调节的谐振微型电场传感器，包括衬底、支撑梁、电场引入单元、微杠杆结构、谐振单元、激励电极、振动检测电极和调谐电极；电场引入单元包括：电场感应电极、电场输入电极、电场偏置电极和驱动结构；微杠杆结构包括杠杆梁、施力梁和受力梁；谐振单元包括多个谐振结构，且顺次排列呈对称结构；激励电极驱动谐振单元；振动检测电极对谐振单元产生振动的振动幅度进行检测。本公开在保证传感器输出信号强度在合理范围基础上，结合微杠杠结构，实现高灵敏、宽频带、大动态范围的电场测量，具有线性度好等优点。
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公开(公告)号：CN110940866A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911211349.9
申请日：2019-11-29
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 本公开提供了一种灵敏度可调节的谐振微型电场传感器，包括衬底、支撑梁、电场引入单元、微杠杆结构、谐振单元、激励电极、振动检测电极和调谐电极；电场引入单元包括：电场感应电极、电场输入电极、电场偏置电极和驱动结构；微杠杆结构包括杠杆梁、施力梁和受力梁；谐振单元包括多个谐振结构，且顺次排列呈对称结构；激励电极驱动谐振单元；振动检测电极对谐振单元产生振动的振动幅度进行检测。本公开在保证传感器输出信号强度在合理范围基础上，结合微杠杠结构，实现高灵敏、宽频带、大动态范围的电场测量，具有线性度好等优点。
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