公开(公告)号：CN111489973B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202010076372.8

申请日：2020-01-23

申请人： 株式会社电装

发明人： 梶爱子 ,  山之内义明 ,  斋藤顺

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/66

摘要： 一种半导体器件的制造方法包括：在第一导电类型层(5、40、50)上方形成第二导电类型层(6、41、51)；以及通过借助于等离子体蚀刻工艺蚀刻所述第二导电类型层以露出第一导电类型层而形成沟槽(11、43、53)。第二导电类型层的蚀刻包括：对等离子体的光发射执行光谱分析；基于发射强度的变化检测第一导电类型层和第二导电类型层之间的界面；以及在基于界面的检测结果确定终结点时，停止对第二导电类型层的蚀刻。

公开(公告)号：CN111344866B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880058819.X

申请日：2018-09-13

申请人： 株式会社电装

发明人： 登尾正人 ,  石子雅康 ,  斋藤顺

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 第2导电型的保护环(21)形成在从形成于基板(1)之上的由第1导电型的半导体构成的第1导电型层(2、60)的表面离开了的位置。由此，由保护环(21)与第1导电型层(2、60)形成的PN结的边界部成为从层间绝缘膜(10)离开的状态。因此，即使在PN结部产生电场集中，也由于层间绝缘膜(10)不与PN结部接触，因此能够抑制对层间绝缘膜(10)施加的电场强度。

公开(公告)号：CN111489973A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010076372.8

申请日：2020-01-23

申请人： 株式会社电装

发明人： 梶爱子 ,  山之内义明 ,  斋藤顺

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/66

摘要： 一种半导体器件的制造方法包括：在第一导电类型层(5、40、50)上方形成第二导电类型层(6、41、51)；以及通过借助于等离子体蚀刻工艺蚀刻所述第二导电类型层以露出第一导电类型层而形成沟槽(11、43、53)。第二导电类型层的蚀刻包括：对等离子体的光发射执行光谱分析；基于发射强度的变化检测第一导电类型层和第二导电类型层之间的界面；以及在基于界面的检测结果确定终结点时，停止对第二导电类型层的蚀刻。

公开(公告)号：CN111344866A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880058819.X

申请日：2018-09-13

申请人： 株式会社电装

发明人： 登尾正人 ,  石子雅康 ,  斋藤顺

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 第2导电型的保护环(21)形成在从形成于基板(1)之上的由第1导电型的半导体构成的第1导电型层(2、60)的表面离开了的位置。由此，由保护环(21)与第1导电型层(2、60)形成的PN结的边界部成为从层间绝缘膜(10)离开的状态。因此，即使在PN结部产生电场集中，也由于层间绝缘膜(10)不与PN结部接触，因此能够抑制对层间绝缘膜(10)施加的电场强度。