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公开(公告)号:CN103716551A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310465678.2
申请日:2013-10-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/32 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/357 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14663
Abstract: 本发明公开了检测装置和检测系统。一种在基板上形成的检测装置,包括:以矩阵布置的多个像素,和与像素电连接的信号线。每个像素包括:把放射线或者光转换成电荷的感测元件,输出基于电荷的量的电信号的放大薄膜晶体管,保持由放大薄膜晶体管输出的电信号的电容器,和把保持在电容器中的电信号传送给信号线的传输薄膜晶体管。
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公开(公告)号:CN103579271A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310335357.0
申请日:2013-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14692 , H01L27/14663 , H01L27/14812
Abstract: 本发明涉及检测装置、检测系统和检测装置的制造方法。一种检测装置包括布置于基板上的多个像素和多个信号布线,其中,多个像素中的每一个包含布置于基板上的开关元件和布置于开关元件上的转换元件,转换元件包含布置于开关元件上并与开关元件电连接的第一电极和布置于多个第一电极之上的半导体层,多个开关元件与多个信号布线电连接,并且,检测装置还包括被供给恒定电势的恒定电势布线,其中,在多个像素之中的一部分像素中,第一电极与恒定电势布线电连接。
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公开(公告)号:CN102810548A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201210175540.4
申请日:2012-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14676 , H01L27/14685 , H01L27/14692
Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中,所述检测器件包括在基板上的像素,每个像素包括开关元件和转换元件,所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层,所述电极设置在所述开关元件之上,并且针对每个像素被隔离,所述开关元件和所述电极在形成于保护层和层间绝缘层中的接触孔中连接,所述保护层和所述层间绝缘层设置在所述开关元件与所述电极之间,所述方法包括:在所述层间绝缘层之上、在与所述层间绝缘层接触的电极之间形成绝缘构件;形成覆盖所述绝缘构件和所述电极的杂质半导体膜;以及形成覆盖所述保护层中所述电极的一部分的正交投影图像位于其中的区域的涂覆层,所述部分在所述接触孔内包括水平差。
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