固体摄像元件以及固体摄像元件的制造方法

    公开(公告)号:CN104115272B

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201380010621.1

    申请日:2013-02-21

    发明人: 牛永健雄

    IPC分类号: H01L27/146 H04N5/374

    摘要: 本发明提供一种能简易地制造并且能精度良好地控制积蓄区域中的电荷的移动的固体摄像元件及其制造方法。固体摄像元件(1a)具备第1导电型的基板(11)、基板(11)内的第2导电型的积蓄区域(12)、接受所转送的积蓄区域(12)积蓄的电荷的读出区域(13)、以及从积蓄区域(12)向读出区域(13)转送电荷的转送部(14)。在积蓄区域(12)内的一部分形成有第2导电型的杂质的浓度局部性地高或第1导电型的杂质的浓度局部性地低的杂质浓度异常区域(121)。越接近转送部(14),杂质浓度异常区域(121)相对于转送部(14)的单位距离平均的面积或分散设置的杂质浓度异常区域(121)的密集度就变得越大。

    固态成像装置和电子装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103715213A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310460290.3

    申请日:2013-09-30

    申请人: 索尼公司

    发明人: 菊池善明

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本发明涉及能够在保持良好的传输特性的同时减小暗电流的固体成像装置和包括该固态成像装置的电子装置。所述固态成像装置包括电荷累积单元、信号电压检测单元、传输晶体管和钉扎层。所述电荷累积单元累积经光电转换的电荷且形成在硅基板上。所述信号电压检测单元检测与在所述电荷累积单元中所累积的所述电荷相对应的信号电压且形成在所述硅基板上。所述传输晶体管将在所述电荷累积单元中所累积的所述电荷传输到所述信号电压检测单元且形成在所述硅基板上。所述钉扎层钉扎所述硅基板的表面使得所述表面充满电子空穴,且直接形成在栅极端处的所述硅基板上,在所述栅极端处所述传输晶体管的栅极电极与所述电荷累积单元在所述硅基板上彼此接触。