一种行为速率引导的视频行为识别方法

    公开(公告)号:CN114550047A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210164283.8

    申请日:2022-02-22

    摘要: 本发明提供了一种行为速率引导的视频行为识别方法,包括:1)将视频拆分成图像帧,并按高低两个帧率采样;2)使用卷积神经网络对抽取的图片进行特征提取;3)将高帧率路径提取的时间特征与低帧率路径的空间特征合并,形成侧向连接;4)使用基于特征差分的动作感知对时间和通道维度加权;5)使用一个已经训练的卷积神经网络对训练集识别,求出每个类别动作的行为速率;6)基于行为速率对高帧率路径提取出的时间特征和低帧率路径提取出的空间特征进行倾向性融合;7)对UCF‑101数据集的行为识别数据进行训练建模,对测试集进行识别得到准确率结果。从实验结果可以看到,本发明针对行为识别在主流数据集上提高了测试结果的精度。

    一种通孔电容式微加工超声换能器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110217753B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201910410680.7

    申请日:2019-05-16

    摘要: 本发明公开了一种高发射功率、低工作电压的通孔式结构超声换能器及其制备方法,通孔式结构超声换能器包括振动薄膜、支柱,绝缘层以及下电极,其中,振动薄膜通过重掺杂形成上电极,其形状尺寸与空腔结构相一致,所述支柱刻蚀有空腔结构,所述空腔结构包括通孔空腔和常规空腔,通孔空腔的存在将传统结构单元中原本独立的常规空腔开通,促使各个单元通过通孔连接,将传统单元原有的周边固支改为四角固支,进而降低刚度,增大静电力作用区域,进而降低工作电压,提高机电耦合系数,增大发射功率以及填充比。

    一种谐振式压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113465791A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110673446.0

    申请日:2021-06-17

    摘要: 本发明公开了一种谐振式压力传感器及其制备方法,压力传感器包括碳化硅谐振器,碳化硅谐振器与压力敏感膜通过锚点相连,碳化硅谐振器包括支撑梁,支撑梁通过柔性梁与外部框架连接,支撑梁与固定电极连接并固定在锚点处,质量块结构通过谐振梁与支撑梁连接,耦合梁通过三角梁与质量块结构连接,耦合梁与可动电极连接,质量块结构与另一可动电极连接,固定电极与可动电极均为梳齿电极,并构成两对梳齿电极对,耦合梁上设置有拾振电阻,并连接有金属电极引线,通过三角梁的设计增大了耦合梁应力集中区域,配合拾振电阻的布置,提升了压力传感器的检测精度,基于第三代半导体材料碳化硅的优良特性,同时获得了高温环境下工作的长期稳定性。

    一种压电发射电容感知高性能MUT单元及其制备方法

    公开(公告)号:CN110523607B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910702669.8

    申请日:2019-07-31

    IPC分类号: B06B1/06 G01H11/08

    摘要: 本发明公开了一种压电发射电容感知高性能MUT单元及其制备方法,将PMUT单元的超声发射工作模式与CMUT单元的超声接收工作模式相互结合。该MUT单元由压电驱动环形薄膜与叠加于环形薄膜上表面的圆形电容感知薄膜组成。在超声发射工作模式,环形薄膜基于逆压电效应进行驱动,同时带动叠加在其上的圆形薄膜产生活塞式振动,从而提高超声发射指向性以及超声输出。在超声接收工作模式,环形薄膜与圆形薄膜同时受到入射超声作用产生挠度。由于圆形薄膜与环形薄膜挠度的叠加,增大了电容上极板与电容下极板之间的行程变化量,从而提高单元超声接收灵敏度;同时,这也使得单元在超声接收模式下能采用更低的偏置电压工作在塌陷模式,进一步增加单元的超声接收灵敏度。

    一种高机电耦合系数CMUT及其制备方法

    公开(公告)号:CN109092650B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201811033960.2

    申请日:2018-09-05

    IPC分类号: B06B1/02

    摘要: 本发明公开了一种高机电耦合系数CMUT及其制备方法,该CMUT针对常规CMUT中等面积支柱区域电容大于等面积空腔区域电容而导致寄生电容大、机电耦合系数小的问题,通过上电极绝缘层厚度的方波形设计使得位于支柱区域上侧的上电极之间的电极连线和上电极焊盘高于位于空腔区域上侧的上电极,并采用相对介电常数小的绝缘材料为支柱材料,相对介电常数大的绝缘材料为下电极绝缘材料,且使支柱与下电极绝缘层的厚度满足一定的比例关系,从而可有效增大支柱区域上下电极之间的等效电极距离,减小该区域寄生电容,提高CMUT机电耦合系数。

    静电-压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法

    公开(公告)号:CN109092649B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201811033280.0

    申请日:2018-09-05

    IPC分类号: B06B1/02 B06B1/06

    摘要: 本发明公开了静电‑压电混合驱动收发一体化CMUT及其使用方法和制备方法,其支柱采用压电材料,可在正反极性电压作用下产生伸缩变形或振动;CMUT从上至下依次包括上电极、振动薄膜、压电支柱、绝缘层及下电极。下电极和上电极覆盖整个空腔和压电支柱区域。用作超声波发射换能器时,加载正向极性直流偏置电压,压电支柱拉伸,空腔高度增加,可增大振动薄膜位移空间、提高输出声压,叠加交流电压后,振动薄膜及压电支柱均发生振动,发射超声波;用作超声波接收换能器时,加载反向极性直流偏置电压,压电支柱压缩,空腔高度减小,可提高电容变化量及接收灵敏度,当超声波入射时,振动薄膜和压电支柱均发生振动,产生可探测的电信号,实现超声波接收。

    一种梳齿式CMUTs流体密度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108982291B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201810745339.2

    申请日:2018-07-09

    IPC分类号: G01N9/00

    摘要: 本发明公开了一种梳齿式CMUTs流体密度传感器及其制备方法,梳齿式超声传感器包括低单晶硅衬底,该衬底上有二氧化硅支柱层,支柱中心刻蚀形成有空腔,空腔上端面用SOI片键合形成密封层,通过抛光工艺将键合晶圆的SOI片硅衬底减薄至梳齿电极厚度,同时SOI片二氧化硅埋层形成二氧化硅绝缘层,通过重掺杂和DRIE工艺将键合晶圆顶端刻蚀出梳齿电极结构以及密封支柱层,再通过二次键合形成二氧化硅保护层,并保证梳齿电极结构处于真空域内。采用梳齿交流电极和梳齿直流电极激振CMUTs薄膜结构,通过对称布置的梳齿电极产生的径向拉压运动而形成的薄膜结构层的弯曲振动,因此相较于传统上、下电极直接加载交流电而产生振动的CMUTs结构,具有更高的品质因子。

    等离子体喷射触发间隙测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN110944440A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911247995.0

    申请日:2019-12-06

    IPC分类号: H05H1/00

    摘要: 等离子体喷射触发间隙测试装置及测试方法,等离子体喷射触发间隙测试装置中,充电断路器QF1一端连接直流电源,另一端连接电容器组CS高压输出端,电容器组CS另一端接地;试验断路器QF2一端与电容器组CS高压输出端相连,电抗器L一端连接试验断路器QF2,另一端与快速机械开关S高压端相连;电阻分压器PT高压端与等离子体喷射触发间隙TSG高压端相连,另一端与地相连,罗格夫斯基线圈CT套在等离子体喷射触发间隙TSG低压端,保护球隙BQ一端连接快速机械开关S高压端,另一端与地相连,控制器输入端与电阻分压器PT测量信号连接,控制器第一输出端与驱动模块驱动输入端连接,第二输出端与快速机械开关S控制端连接。