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公开(公告)号：CN102826608A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306522.5
申请日：2012-08-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G49/00
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明公开了溶剂热法制备铁酸铋粉体的方法，包括以下步骤：（1）按摩尔比1:1称量分析纯的Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O，并将其溶解于硝酸溶液中，经磁力搅拌配成均匀的母盐溶液；（2）将KOH溶液滴加到母盐溶液中，经磁力搅拌后得到沉淀物，沉淀物经清洗并干燥后得水热反应前驱物；（3）将水热反应前驱物放入水热釜中，并加入无水乙醇和水的混合物作为溶剂，KOH作为矿化剂；（4）密封反应釜，将反应釜置于120℃~130℃烘箱内，反应后取出反应釜中的产物，经过滤得到沉淀物；沉淀物经洗涤，干燥得到铁酸铋粉体。本发明的制备温度低，节省能源，且铁酸铋结晶完好、工艺控制及合成所需仪器设备简单。
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公开(公告)号：CN101714607A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910192539.0
申请日：2009-09-22
Applicant: 华南理工大学 , 广州凯立达电子有限公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/24
Abstract: 本发明公开了金属铝电极压电陶瓷元件及其制备方法，该金属铝电极压电陶瓷元件包括PZT陶瓷和在PZT陶瓷上下表面烧结的金属电极；金属电极至少有一个是铝电极面；铝电极面采用铝电极浆料在PZT陶瓷上烧结形成，以质量百分比计，所述铝电极浆料原料配方为55～60％的金属铝粉，12～15％的低熔点无铅玻璃粉，14～18％的乙基纤维素粘合剂，1.0％抗氧化助剂，余量为有机溶剂。其制备方法包括铝电极浆料配制、在PZT陶瓷表面印刷铝电极浆料、烧结和电场极化。本发明通过调节铝电极浆料中的无机粘结剂的化学成分和比例，提高铝电极面与PZT压电陶瓷间的结合强度。采用铝电极代替银电极可以大大降低压电陶瓷元件的制造成本。
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公开(公告)号：CN117144294A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311411588.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C04B35/48 , C04B35/622 , H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN116655367A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310361976.0
申请日：2023-04-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料领域，具体涉及一种负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的成分包括0.69(Bi1‑xMgx)FeO3‑0.31BaTiO3，其中x＝0.1％～5.0％。陶瓷材料的配方原料包括含有以下元素的氧化物、无机盐或有机盐：Bi、Fe、Ba、Ti、Mg金属元素；例如包括Bi2O3、Fe2O3、BaCO3、TiO2及MgO粉末。本发明的宽温区高温热敏电阻材料具有良好的致密性，同时具有优秀的热敏性能，在0～700℃范围内具有明显的负温度系数特性，适合制备宽温区高温热敏电阻器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116573928A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310343119.8
申请日：2023-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料、制备方法及应用，所述压电陶瓷的组成为0.76Bi1‑xMxFeO3‑0.24BaTO3+ywt％MnO2；M表示含Yb、Ho等稀土元素；x表示M的摩尔分数、y表示MnO2的质量百分比，0≤x≤0.04，0.1≤y≤0.7。本发明调控了陶瓷晶格中的氧空位浓度，改善了显微结构，获得较高压电性能、高居里温度、低介电性能和绝缘性能的压电陶瓷。
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公开(公告)号：CN114716232A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210460655.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/45 , C04B35/626 , C01G53/00
Abstract: 本发明公开了一种提高NTC产品高精度良率的方法；本发明采用化学共沉淀法制备NTC前驱体粉体，所制备出的粉体具有良好的成分均匀性。将该前驱体粉体进行高温热处理，得到NTC陶瓷粉料。粉料经造粒、成型和排胶后烧结，在烧结过程中控制降温过程速率。得到的NTC产品的高精度(±1％)良率可达60‑90％，±3％档次良率超过95％。该方法操作简单，解决了传统制备方法中高精度良率过低的问题。
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公开(公告)号：CN111597735B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010567007.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种机器学习与CVD建模相结合的组分预测方法，确定反应器的尺寸和基片形状尺寸；建立对应的反应器几何模型；为几何区域和边界添加材料属性；模型网格剖分；选择建立多物理场模型，并进行多物理场耦合；建立流体传热和层流模型；建立浓物质传递模型；计算层流和流体传热耦合的物理场，将得到的解作为初始值计算化学和浓物质传递的物理场接口，得到硼碳体系前驱体气体反应得到的各种中间物质的浓度分布；分别得到不同的结果对比分析，最终得到各种沉积工艺条件下的物质浓度分布结果；利用机器学习算法将沉积硼碳比和其联系起来，预测不同沉积条件下沉积的硼碳比，并分析其误差大小。本发明可准确预测沉积产物组分比。
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公开(公告)号：CN111908914B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010685817.2
申请日：2020-07-16
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。
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