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公开(公告)号：CN113834859A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111113271.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。
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公开(公告)号：CN117144294B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311411588.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C04B35/48 , C04B35/622 , H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN117294269A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
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公开(公告)号：CN113674994B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111112404.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN113674994A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111112404.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117294269B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
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公开(公告)号：CN117144294A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311411588.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C04B35/48 , C04B35/622 , H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN111908914B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010685817.2
申请日：2020-07-16
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。
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公开(公告)号：CN118439888A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410680528.1
申请日：2024-05-29
Applicant: 东莞令特电子有限公司 , 华南理工大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明属于无机功能陶瓷材料领域，具体涉及一种制备ZnO压敏电阻器表面玻璃绝缘层的方法。本发明采用的技术方案包含3个步骤：首先保护银电极，然后在ZnO磁体上化学沉积玻璃粉，最后高温煅烧，让玻璃粉在ZnO陶瓷表面上形成均匀的玻璃绝缘层，同时将保护银电极的有机物分解掉。得到的玻璃绝缘层仅仅包覆在ZnO陶瓷表面而不会沉积在Ag电极表面，Ag电极的导电性不会受到影响。本发明避免了在后续的过程中聚电解质在银端电极上吸附以及玻璃粉的沉积，保证了玻璃绝缘层仅沉积在ZnO陶瓷体上，减少传统特制设备去除端电极绝缘层工艺步骤。此方法不需要特殊的设备，成本低廉，效率高。
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公开(公告)号：CN116925481A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310337170.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗的改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜材料及其制备方法。陶瓷/聚合物材料拥有较大的介电常数，但通常介电损耗较大，本发明目的是为了提高复合材料的介电常数，同时降低介电损耗。该方法选用高介电常数的BaTi2O5纳米线作为填充材料，先利用具有低介电损耗的SiO2对其表面包覆，再与PVDF基体复合得到改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜。此改性法有效的降低了复合薄膜的介电损耗。在室温条件下，本方法制备得到的复合薄膜材料，1000Hz时测试的介电常数最大可达到42.22，介电损耗可低至0.09。
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