公开(公告)号：CN101364482A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810156068.3

申请日：2008-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  罗文俊 ,  谢自力 ,  李朝升 ,  陈敦军 ,  邹志刚 ,  张荣

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01G9/022 ,  H01M14/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用MOCVD在α－Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1－xN合金层，利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配；其中GaN层生长采用两步法，先设置50至100nm厚的低温缓冲层，低温缓冲层生长温度为500至550℃，再将生长温度升高至1100℃，生长1μm至2μm厚GaN支撑层；InxGa1－xN合金层生长温度区间从600至850℃，决定InxGa1－xN合金层中In的组分x，合金组分0≤x≤1，厚度从50nm至500nm，在InxGa1－xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。