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公开(公告)号：CN107364836B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710637683.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 南京大学 , 南京大学昆山创新研究院
IPC: C01B19/00 , H01L31/032
Abstract: 本发明通过同时增加Ge含量和硫硒分压制备高质量锡锗硫硒化物薄膜，其中，Ge含量为锡锗硫硒化物(M1x1M2x2Sn1‑xGexS1‑ySey)(M1为Cu、Ag中的一种或者两种任意比例混合，M2为Zn、Cd中的一种或者两种任意比例混合，0≤x1≤1，0≤x2≤1，0
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公开(公告)号：CN107364836A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710637683.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 南京大学 , 南京大学昆山创新研究院
IPC: C01B19/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , H01L31/0324
Abstract: 本发明通过同时增加Ge含量和硫硒分压制备高质量锡锗硫硒化物薄膜，其中，Ge含量为锡锗硫硒化物(M1x1M2x2Sn1-xGexS1-ySey)(M1为Cu、Ag中的一种或者两种任意比例混合，M2为Zn、Cd中的一种或者两种任意比例混合，0≤x1≤1，0≤x2≤1，0
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公开(公告)号：CN105789373A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610008801.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 南京大学 , 南京大学昆山创新研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0322 , H01L31/0326
Abstract: 本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜，为多元铜基硫硒化物材料，化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4，M1和M2为不同的金属元素，且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种；多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜；制备方法采用溶液?旋涂法，简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单，且具有通用性。
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公开(公告)号：CN110904474A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911291731.5
申请日：2019-12-16
Applicant: 南京大学 , 南京大学昆山创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属铟修饰的硅光电阴极薄膜制备方法，将硅片依次置于有机溶剂清洗剂和去离子水中超声清洗30±10分钟，其后将硅片放入10±5％氢氟酸水溶液中刻蚀20-100秒备用；2)将金属铟盐In(NO3)3·4H2O或InCl3溶解于1±0.3M NaNO3溶液中，制得0.02M的In(NO3)3·4H2O或InCl3溶液，用于光辅助硅光电极的电沉积；将清洗好的硅片与电化学工作站连接，在-1.0V(vs.SCE)电位下，通过紫外可见光照30±10秒，得到金属铟修饰的硅光电阴极薄膜。该法制备得到的金属铟修饰的硅光电阴极薄膜在光电催化水分解、二氧化碳还原等领域具有较大应用潜力。
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公开(公告)号：CN113990675B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111159804.2
申请日：2021-09-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高性能太阳能充电器件的CoPi/BiVO4法拉第光电极材料及其制备方法，通过电沉积的方法将CoPi担载在半导体BiVO4表面，作为CoPi/BiVO4法拉第结光电极，所述太阳能充电器件包括CoPi/BiVO4法拉第结光电极和对电极碳布两个端口，两端口之间填充有电解质。以亲水碳布为对电极，两个电极都浸在电解质溶液中，两电极通过外电路连接构建两端口器件。本发明首次将CoPi用于储能的高输出电压太阳能充电器件，通过选取具有较正开启电势的储能材料明显提高了太阳能充电器件性能。以此为依据首次将具有较正开启电势的CoPi用作储能材料，制备得到当前输出电压最高的两端口太阳能充电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112382509A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011039834.5
申请日：2020-09-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型低成本两端口太阳能可充电器件，包括法拉第结光电极和对电极为两个端口，两端口中间有电解质，构成两端口太阳能可充电器件；所述的法拉第结光电极包括直接接触的半导体和法拉体两种材料，所述的法拉体是一种电子离子耦合的导体。光充电时，所述的法拉第结光电极端口与对电极端口短路连接；暗态放电时，所述的法拉第结光电极端口与对电极端口中间连接负载。本发明直接将太阳能储存在器件中，并且能直接将电能释放到外电路，操作简单且具有通用性，可以有效平衡太阳能的日夜波动。
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公开(公告)号：CN107785576B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710835570.6
申请日：2017-09-15
Applicant: 香港中文大学(深圳) , 南京大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种碳烯Li1‑xNaxFePO4纳米材料及其制备方法和应用，将锂源化合物、钠源化合物、铁源化合物、磷源化合物和碳源物质溶于水中配成混合液。将混合液干燥得到前驱体，然后在保护气体的气氛下，将前驱体在高温下和保护气体下反应得到碳基Li1‑xNaxFePO4纳米粉末。将碳基Li1‑xNaxFePO4纳米粉末与碳烯化合物混合，研磨干燥后得到碳烯Li1‑xNaxFePO4纳米材料。上述制备方法简便、成本低，制备的碳烯Li1‑xNaxFePO4纳米材料具有独特的形貌、较大的比表面积，能够用作电池的正极材料，在锂离子电池或钠离子电池上具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103966623A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310040994.5
申请日：2013-02-01
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10 , Y02P20/134
Abstract: 本发明涉及一种Ta3N5光阳极及制备方法和应用，基于金属Ta片先高温氧化再氮化的方法，通过自动热剥离或机械剥离表面钝化层的方法消除了表面复合中心，大大提高了光生载流子的分离，从而显著提高了Ta3N5光阳极的太阳能分解水制氢效率。另外，通过对Ta3N5光阳极进行助催化剂表面修饰，经过改进，所制备的Ta3N5光阳极的量子转化效率在400～470nm的波长范围内达到了50％，比之前相似方法制备的Ta3N5光阳极提高了约40倍。在标准太阳光AM1.5G（100mW/cm2）的照射下，所制备的Ta3N5光阳极在1.23V处的光电流可达5.5mA/cm2，是目前报道的光阳极材料中的最高值。
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公开(公告)号：CN101364482B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810156068.3
申请日：2008-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1-xN合金层，利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配；其中GaN层生长采用两步法，先设置50至100nm厚的低温缓冲层，低温缓冲层生长温度为500至550℃，再将生长温度升高至1100℃，生长1μm至2μm厚GaN支撑层；InxGa1-xN合金层生长温度区间从600至850℃，决定InxGa1-xN合金层中In的组分x，合金组分0≤x≤1，厚度从50nm至500nm，在InxGa1-xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN101775615A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010018244.4
申请日：2010-01-20
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明涉及BiVO4纳米光电极及其在分解水制氢方面的应用，可增加光电流，量子转换效率大大增加。所述BiVO4纳米光电极包括导电衬底上的BiVO4纳米孔薄膜，所述BiVO4为金属阳离子掺杂的BiVO4，所述金属阳离子为Sr2+、Ba2+、Cr6+、Mo6+、W6+中的一种或两种以上任意比例的混合物。作为本发明的改进，BiVO4纳米孔薄膜表面还修饰有助催化剂，所述助催化剂为Rh，W，Mo，Co，Fe，Mn，Ni的氧化物或氢氧化物中的一种或两种以上任意比例的混合物。本发明量子转换效率相比纯BiVO4电极大大增加，在360-450nm波长范围内量子转换效率达到70％，光响应范围也拓宽到510nm。
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