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公开(公告)号：CN106595878A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611129045.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/208
Abstract: 本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器，包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器，其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。
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公开(公告)号：CN105355774A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510844499.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；NbN纳米线，呈周期性蜿蜒结构结合于所述下光学腔体内部；上光学腔体，结合于所述下光学腔体表面；金属纳米线，呈周期性结构结合于所述下光学腔体与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器光吸收率偏振消光比不够高且效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN104835905A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510278258.2
申请日：2015-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面；NbN纳米线，结合于所述介质包裹层内部；上光学腔体，结合于所述介质包裹层表面；介质纳米线，结合于所述介质包裹层与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器对光偏振方向敏感的问题。
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公开(公告)号：CN103276365B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
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公开(公告)号：CN103276365A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119980158A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411939588.7
申请日：2024-12-26
Abstract: 本发明公开了一种在液氦温区保持高探测效率的超导纳米线单光子探测器制备方法，采用氧化硅以及硅构成的双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜，并通过XRR对厚度进行精准测量和控制；通过电子束曝光PMMA A4电子束胶的方式制备双线并联的纳米线结构，通过反应离子刻蚀的方式把纳米线的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底氧化硅面通过紫外激光直写曝光AZ4620光刻胶的方式，去除需要刻蚀的区域上方的光刻胶，然后通过反应离子刻蚀从器件的氧化硅面刻蚀掉掉氧化硅及硅，制备悬浮桥结构。本发明大幅提高了器件的工作温度的同时，保证了器件的高探测效率。
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公开(公告)号：CN119779496A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510047572.3
申请日：2025-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹单光子探测单元及阵列式探测装置，所述太赫兹单光子探测单元包括谐振器、超导隧道结和太赫兹光子吸收器，谐振器与太赫兹光子吸收器之间通过栅极电容器和超导隧道结连接；谐振器包括圆螺旋电感和叉指电容，圆螺旋电感的外周圈延伸处引出圆螺旋电感连接部，与叉指电容的顶部连接。本发明采用了圆螺旋电感结构，有效提高了谐振器的品质因子，增强了探测器对引起相位移动信号的灵敏度。阵列式探测装置包括若干个谐振频率不同的探测单元，探测单元信号耦合至一条中心馈线，读出系统简单。本发明的太赫兹阵列式探测装置可实现宽频带范围的太赫兹探测；探测灵敏度极高，能够进行太赫兹单光子的探测与计数。
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公开(公告)号：CN119468937A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411485764.4
申请日：2024-10-23
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
IPC: G01B11/06 , G01N21/41 , G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于锂离子电极多涂层的太赫兹测厚方法及装置，涉及太赫兹技术领域，该测厚装置包括：发射探头、接收探头和弧形滑轨，所述发射探头和所述接收探头设置在所述弧形滑轨上。本发明所述的一种基于锂离子电极多涂层的太赫兹测厚方法及装置，利用反射式太赫兹时域光谱检测系统，同时对待测量试样交界处进行测量，同时测量太赫兹波穿过空气、穿过被检测的涂层和涂层表面反射的回波信号，作为太赫兹时域光谱的参考信号可计算得出锂离子电极涂层和材料折射率，无需已知材料折射率，无需建立复杂的测厚算法，可同时测量材料厚度和折射率，检测方法简单，避免了由于多次测量进行回波信号提取时的位置不一致性带来的测量误差。
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公开(公告)号：CN119362115A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411485766.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光纤激光器，涉及太赫兹技术领域，包括泵浦源和环形光路，所述太赫兹光纤激光器进一步包括设置在所述环形光路上的掺杂光纤、偏振控制元件及可饱和吸收体，所述泵浦源射出的泵浦光激发所述掺杂光纤辐射光子形成自发辐射光，所述可饱和吸收体具有偏振特性，用于将接收的所述连续激光转换为脉冲激光，所述偏振控制元件用于控制所述环形光路的光的偏振状态，以调整所述环形光路所输出脉冲激光的状态，其中。本发明通过设置在环形光路中的具有偏振特性的可饱和吸收体及偏振控制元件等，使得太赫兹光纤激光器射出的激光脉冲宽度可调，进而满足诸如生物医药、通信、微加工、遥感及军事等各种领域中对于不同脉宽脉冲激光的需求。
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公开(公告)号：CN118310993A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410415816.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹无损检测装置，涉及安检技术领域，包括光纤激光器以及八个光纤匹配套管。本发明通过在探测壳内部采用线性阵列方式当时进行太赫兹探测器的单元探测器阵列，同时太赫兹探测器按一条直线排列，非常适用于检测电缆的外表面缺陷，由于太赫兹探测器的并行性，也可以大大提高成像的速度，具有高灵敏度和高分辨率的特点，能够快速、准确地检测太赫兹波的信号，从而提高了检测速度和精度，解决了现有技术中存在的在面对裂纹检测区间内，存在较为细小的外部破损时，单独的太赫兹检测器无法有效地对较为细小的裂纹进行成像，即使可以成像，也会出现画面模糊，无法有效进行裂纹分辨的问题。
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