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公开(公告)号：CN105374928A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510788584.8
申请日：2015-11-17
申请人： 天津大学
CPC分类号： H01L39/00 , H01L39/005 , H01L39/02
摘要： 本发明公开了一种超导分形纳米线单光子探测器及其制备方法，所述单光子探测器包括：衬底、纳米线、纳米天线、氢硅倍半环氧乙烷层以及银反射层，所述纳米线以分形的形式排布，用于实现纳米线对两个偏振态光的吸收偏振不敏感；在纳米线的基础上添加阵列式纳米天线。所述制备方法包括：用磁控溅射的方法在衬底上溅射一层超导材料；利用光刻与电子束蒸镀相结合的方式制备电极；用电子束曝光和反应离子束刻蚀相配合的方式制备分形纳米线；利用电子束曝光与电子束蒸镀相结合的方式制备纳米天线。本发明减小了超导纳米线单光子探测器的偏振敏感度，使得偏振敏感度小于0.02，两个正交偏振态吸收效率均达到80％，宽谱吸收效率高于70％，且适用于各种超导材料。
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公开(公告)号：CN106891531A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611187503.X
申请日：2016-12-21
申请人： 空中客车运作有限责任公司
发明人： 彼得·林德
CPC分类号： B29C66/836 , B29C65/08 , B29C65/16 , B29C65/1635 , B29C65/1658 , B29C65/1664 , B29C66/112 , B29C66/131 , B29C66/474 , B29C66/524 , B29C66/721 , B29C66/73921 , B29C66/8122 , B29C66/81262 , B29C66/81267 , B29C66/81811 , B29C66/8244 , B29C66/8362 , B29C66/8432 , B29C66/87 , B29C66/924 , B29K2101/12 , B29L2031/3076 , B32B27/08 , B32B37/0046 , B32B37/06 , B32B38/0008 , B32B2250/02 , B32B2398/20 , B32B2605/18 , H01L39/00 , H02N15/04 , B29K2909/08 , B29C65/02 , B29C65/7805 , B29C65/7844 , B29C65/785 , B29C66/47 , B29C66/8181
摘要： 本申请描述并且要求保护一种用于沿着纵向方向将细长元件焊接到部件上的系统。该系统包括具有支撑表面的支撑元件、产生预定磁场的磁场产生装置、具有接触装置的托架、固定地连接到所述托架的超导元件、用于将超导元件冷却到其转变温度以下的元件冷却装置、可操作以线性移动所述托架的移动装置、以及用于将细长元件焊接到所述部件上的焊接装置，所述接触装置用于支撑细长元件以防止沿着所述部件的表面在垂直于所述纵向方向的方向中移动。当超导元件具有低于其转变温度的温度时，所述预定磁场限定了用于所述超导元件的沿着支撑表面的线性路径。
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公开(公告)号：CN101714426A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910204982.5
申请日：2009-09-30
申请人： 美国超导公司
CPC分类号： H01B12/16 , H01L39/00 , H01L39/02 , H02G15/34 , Y02E40/647 , Y02E40/648
摘要： 本发明提供一种冷却系统，包括第一段高温超导(high temperaturesuperconducting；HTS)电缆，该第一段HTS电缆用以接收第一冷却剂流并允许所述第一冷却剂流经其流过。该系统还可包括第二段高温超导(HTS)电缆，用以接收第二冷却剂流并允许所述第二冷却剂流经其流过。该系统还可包括电缆接头，用以耦合所述第一段HTS电缆与所述第二段HTS电缆。该电缆接头可与至少一个致冷模块流体连通，并可包括至少一个导管，所述至少一个导管用以允许第三冷却剂流通过冷却剂管线在所述电缆接头与所述至少一个致冷模块之间流动，所述冷却剂管线是与所述第一段HTS电缆和所述第二段HTS电缆分离的。其它实施例和实施方式也属于本发明的范围内。
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公开(公告)号：CN106058036A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610404295.8
申请日：2016-06-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。
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公开(公告)号：CN105355774A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510844499.9
申请日：2015-11-26
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；NbN纳米线，呈周期性蜿蜒结构结合于所述下光学腔体内部；上光学腔体，结合于所述下光学腔体表面；金属纳米线，呈周期性结构结合于所述下光学腔体与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器光吸收率偏振消光比不够高且效率较低的问题。
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