一种高压输电线非侵入电压测量模型确定方法和装置

    公开(公告)号:CN115825548B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202211590175.3

    申请日:2022-12-12

    IPC分类号: G01R19/25 G01R19/00

    摘要: 本申请涉及一种高压输电线非侵入电压测量模型确定方法和装置。所述方法包括:获取电力系统中高压输电线对应的电压信息、电流信息以及电容信息;基于基尔霍夫电流定律,根据电压信息、电流信息以及电容信息,建立高压输电线对应的非侵入电压测量系统映射关系;根据非侵入电压测量系统映射关系,确定高压输电线对应的待测量线路电压映射关系以及测量极板电压映射关系;根据高压输电线对应的电容信息,确定高压输电线对应的等效电容集合;根据待测量线路电压、测量极板电压以及等效电容集合,得到非侵入电压测量模型。采用本方法能够实现了对于高压输电线线路电压的准确测量,并能够提高使用电力测量模型对电力系统进行电压测量的时候安全性。

    复合气敏材料及其制备方法、二氧化硫气敏传感器

    公开(公告)号:CN116660326A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310927638.9

    申请日:2023-07-27

    摘要: 本申请涉及一种复合气敏材料及其制备方法、二氧化硫气敏传感器。本申请通过选用包括WO3的传导层以及包括Au修饰的La2O3的气敏层,在SO2吸附到气敏层表面时,Au会催化SO2生成SO3并促进SO3溢出,以允许La2O3吸附更多的O2分子,为SO2的吸附提供更多的活性位点。随着吸附过程La2O3的电阻增加,传导层的WO3能够为气敏层提供电流和氧空位,进而降低复合材料的电阻,以提高复合气敏材料的灵敏度,能够减少气体传感器所用复合材料的面积,同时通过对传导层以及气敏层中各组分的质量比以及厚度的限定,能够使本申请的复合气敏材料兼备高选择性和低检出限的优点。

    异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116626115A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310913938.1

    申请日:2023-07-25

    IPC分类号: G01N27/16

    摘要: 本申请涉及一种异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用。该异质结薄膜包括InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构,其中,在纳米棒状异质结结构中,InSbO3相对于SnS2的摩尔比为1:(0.5~2)。该异质结薄膜制备方法包括以下步骤:制备包含铟盐、锑盐和第一有机溶剂的前驱体A溶液,进行第一次水热反应,洗涤固体产物I,进行干燥和第一次烧结,生成InSbO3半导体物质;将InSbO3半导体物质与包含锡盐和含硫添加剂的前驱体B溶液进行第二次水热反应,洗涤固体产物Ⅱ并干燥,形成InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构。该异质结薄膜具有较好的气敏特性且制备方法简单。

    钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用

    公开(公告)号:CN116621222A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310905384.0

    申请日:2023-07-24

    IPC分类号: C01G41/00 G01N27/04

    摘要: 本申请涉及一种钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铌离子、钨离子和钒离子的前驱体溶液;其中,前驱体溶液的pH值为≥10;前驱体溶液中,钨元素的摩尔量相对于钒元素的摩尔量之比值为0.8~1.2,钨元素和钒元素的摩尔量之和相对于铌元素的摩尔量之比值为0.005~0.1;于150℃~200℃将前驱体溶液进行水热反应;进行固液分离收集固体沉淀物,水洗,醇洗,于50℃~100℃干燥;于400℃~500℃对水热反应产物进行煅烧,制得钨钒掺杂铌氧化物。该钨钒掺杂铌氧化物具有较好的气体敏感性,可以实现对乙炔气体的高敏感性和高稳定性响应,可用作气敏材料。

    半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116395736A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310674670.0

    申请日:2023-06-08

    摘要: 本申请涉及一种半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铟离子和水的前驱体A溶液;其中,前驱体A溶液还包括螯合剂和pH调节剂;将掺杂离子溶液与前驱体A溶液混合,制备得到前驱体混合溶液;其中,掺杂离子溶液含有掺杂离子和水,掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种;将前驱体混合溶液于120℃~150℃进行水热反应,进行包括固液分离、水洗和醇洗的步骤,干燥,制备得到中间体固态物;将中间体固态物于380℃~420℃进行煅烧处理,制备得到半导体氧化物材料。该制备方法操作简单、成本低廉,且过程仅使用去离子水和无水乙醇作为溶剂,环保无污染。

    模数转换装置及信号转换设备

    公开(公告)号:CN116318154A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310553121.8

    申请日:2023-05-17

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本申请涉及一种模数转换装置及信号转换设备,包括依次连接的第一ADC、多路电平投切装置和第二ADC,第一ADC和第二ADC均接收输入电平,第一ADC用于根据输入电平输出第一数字信号至多路电平投切装置,多路电平投切装置用于根据第一数字信号输出参比信号至第二ADC,第二ADC用于根据输入电平和参比信号产生第二数字信号,第一数字信号和第二数字信号作为模数转换装置的数字量输出。输入电平首先通过转换速率较快的第一ADC划分出信号区间,再获得参比信号,将输入电平与参比信号输入后端精度较高的第二ADC,即可实现高速、高精度的模数转换,提高模数转换装置的工作性能。