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公开(公告)号：CN117355199A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311404453.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 厦门大学 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化锡薄膜的制备方法及钙钛矿光电器件，其中氧化锡可来自氧化锡纳米颗粒、氧化锡溶胶分散液及制备的氧化锡前驱体；可通过旋涂、刮涂、喷涂、狭缝涂布、卷对卷印刷等方式沉积，并使用低温处理得到氧化锡薄膜，低温处理可通过气体吹扫或真空闪蒸技术进行；其中气体吹扫可通过气枪、气刀、气体喷头等气吹设备进行；气体可使用氮气，惰性气体等保护气体。本发明提供的氧化锡薄膜制备方式，依靠于低温技术，能够快速获得均匀的氧化锡薄膜。无需加热的气体吹扫和真空闪蒸可用于多种场景，薄膜的稳定性与重复性提升，该技术可放大用于大面积光伏器件/模组或者其他光电器件中电子传输层的制备。
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公开(公告)号：CN116705944A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310669158.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种极化诱导电子阻挡层(Electron‑Blocking Layer，EBL)的Micro LED芯片外延结构，其包括由下至上的衬底、n型半导体层、多量子阱层、极化诱导的电子阻挡层和p型半导体层，所述极化诱导的半导体层由p型AlxGa1‑xN层和p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层组成，其中p型AlxGa1‑xN层设于多量子阱层上，p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层设于p型AlxGa1‑xN层上。本发明采用极化诱导EBL结构作为Micro LED的电子阻挡层能够有效调控载流子的注入与溢出，使得能带更加匹配，从而提高电子与空穴在阱内复合效率；能够提高电致发光(EL)强度，内部量子效率，最终提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平。
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公开(公告)号：CN116465912A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310175668.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。
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公开(公告)号：CN115216842A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210724292.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。
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公开(公告)号：CN110635039B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910774695.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿的方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将基底退火，其中所述基底含电子传输层；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。本发明提出以N‑甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111017868A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911148319.8
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用，所述制备方法包括：在一硅片表面旋涂光刻胶；采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区；采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球；对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀，使所述点样区形成微纳米结构阵列；去除所述硅片表面的所述光刻胶；且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN111017867A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911148305.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备网络结构硅基点阵的方法，包括：在硅基底上表面自组装微纳米球阵列；在具自组装微纳米球阵列的所述硅基底表面旋涂前驱体溶液；将所述硅基底放置在退火炉中退火，以在所述硅基底表面形成微纳米碗阵列结构；以等离子刻蚀技术对所述经退火的具有微纳米碗阵列结构的硅基底进行刻蚀，形成微纳米葫芦状阵列结构；将所述硅基底进行掩膜光刻以制备点样区再制成靶板。本发明所提供的网络结构硅基点阵能够提高质谱的分辨率，在催化、生物检测、光电探测等领域具有广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN110902646A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911148324.9
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列结构硅基靶板及其应用，所述阵列结构硅基靶板包括点样区和外围区，所述点样区具有微纳米结构阵列，所述微纳米结构阵列包括数个微纳米结构，所述微纳米结构的高度为10nm-100μm，等效直径或者等效边长为10nm-100μm，所述相邻微纳米结构之间的距离为10nm-10μm，所述微纳米结构阵列还包括裹附在微纳米结构表面的材料层；以及本发明的阵列结构硅基靶板在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或光电探测器中的应用。
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