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公开(公告)号：CN113292249B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
IPC分类号： C03C17/34 , C03C17/22 , C03C17/245 , C01G39/06 , C01G9/02 , C01G5/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113292249A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
IPC分类号： C03C17/34 , C03C17/22 , C03C17/245 , C01G39/06 , C01G9/02 , C01G5/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113013229A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110209222.4
申请日：2021-02-25
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件的制备。
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公开(公告)号：CN114904022A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210289553.8
申请日：2022-03-23
IPC分类号： A61L2/10 , A61L2/26 , H01L25/075 , H01L33/60
摘要： 本发明公开了一种大面积深紫外固态面光源及消杀装置，包含：水冷散热基板、大功率深紫外LED芯片阵列、嵌套在阵列上方的多孔状反射组件、覆盖在反射组件上方的石英窗片、驱动电源。其中多孔状反射组件的表面为铝材质，表面光滑；对应LED芯片的孔为喇叭状圆台形。本发明通过特定芯片阵列与优化倾角的圆台反射孔搭配，可实现对深紫外LED面阵朗伯出光角度的改善，获得光功率密度大、发散角小，辐照面无斑马纹现象、功率分布均匀的深紫外光束。光源所实现的低损耗、高均匀辐照光束特性，可满足细菌/病毒灭活所需的高光通量、高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN113871468A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
摘要： 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN118955140A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410878072.X
申请日：2024-07-02
申请人： 厦门大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/622 , C04B41/87
摘要： 本申请提供了一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法，浆料为将碳化钽粉末、烧结助剂、粘接剂与有机溶剂按照一定质量分数混合，然后用球磨仪混合悬浊液，形成悬浮液；烧结方法为先将浆料均匀涂覆在石墨件表面，再对涂层进行干燥固化，最后将覆有涂层的石墨件进行烧结。本发明的目的在于以碳化钽粉末和烧结助剂为主体，通过优化的混合溶剂，调配出悬浮稳定性好、固含量高、流动性强、涂覆成膜质量高，涂层经烧结后不龟裂的高质量碳化钽涂层浆料。该方法调配出来的浆料与烧结工艺更加简单，且调配出来的浆料在后续烧结过程中不涉及化学反应，可以避免化学反应过程中副产物产生，制备出来的碳化钽涂层纯度更高、薄膜结晶致密平整。
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公开(公告)号：CN118731419A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749996.X
申请日：2024-06-12
IPC分类号： G01Q30/20 , B32B38/10 , B32B37/12 , B32B37/10 , B32B38/00 , C30B33/00 , C30B29/64 , G01Q60/10
摘要： 本发明具体公开了一种适用于扫描隧道显微分析的薄层层状材料剥离的方法，包括以下步骤：取层状材料单晶块体置于两片PDMS薄膜之间，压紧贴实后撕掉一层PDMS薄膜，得到层状材料单晶块体/PDMS薄膜；取高真空导电胶涂于衬底表面，然后将所得层状材料单晶块体/PDMS薄膜的层状材料单晶块体表面与衬底压紧贴实，得到PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；将PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底加热使导电胶固化，加热结束后将PDMS薄膜撕掉，得到层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；取粘性胶带贴合于层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底的层状材料单晶块体的外表面，然后迅速撕掉胶带，重复该过程直到层状材料呈浅蓝色或接近透明。
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公开(公告)号：CN118431333A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410490284.0
申请日：2024-04-23
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H03K19/14 , H03K19/20
摘要： 本发明公开了一种互补型自旋能谷光电晶体管，包括半导体沟道层、源电极、漏电极和自旋极化材料层；源电极和漏电极设于半导体沟道层上，自旋极化材料层位于半导体沟道层上方或下方并构成异质结；自旋极化材料层包括磁性半导体或磁性绝缘体；源漏电极和自旋极化材料层可通过外加磁场调控磁化方向而使自旋能谷光电晶体管呈现出互补特性。本发明引入自旋极化材料提升了半导体通道的自旋输运选择性，进而提升器件的自旋极化率。在此基础上，构建出光电三态门和光电逻辑电路，可用于光电隔离控制等场景。
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公开(公告)号：CN117721527A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311461434.7
申请日：2023-11-06
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明提供一种外延反应器的调温装置及反应器，其调温机构中空，其内通有调温介质，调温机构包括输入通道、流体加热腔、调温腔、输出通道四部分，调温腔位于反应腔的下方，其长度等于或大于所述反应腔放置衬底的区域的长度。本发明还提供一种半导体外延反应器，所述反应器包括感应线圈、石英管、保温层、发热体、一个或多个反应腔，以及前面所述的调温机构。通过调温装置的作用，能够调节均衡衬底中心和衬底边缘的温度，从而使得衬底上生成的外延层边缘和中部的厚度和生成物质掺杂分布均匀，提高产品质量。并且能够调节多个基座之间的相对温度，以降低多个托盘间的温差，以确保多个衬底的温度分布均匀且一致，降低同批次产品的差异。
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公开(公告)号：CN116864441A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310637668.6
申请日：2023-05-31
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本申请公开了一种气浮基座及外延设备的反应室结构，包括固定基座和支承件，固定基座上形成有旋转槽，支承件可转动地设置在所述旋转槽中，支承件用于承载晶圆或晶圆托盘，支承件底部形成一个同心环状凹陷，环状凹陷内形成有沿圆周均匀分布的凸起，凸起呈V字型，以对驱动气体向支承件切线方向导流，限制驱动气体沿支承件半径方向的流动，减小驱动气体对支承件产生的沿半径方向的压力，从而增大驱动气体对支承件产生的沿切线方向的力，提高了驱动气体的利用率和驱动效率。驱动气体直接对凸起结构施加压力驱动支承件旋转，与只靠粘滞力驱动相比，大大提高了驱动力的大小，提高了支承件的转速。本发明还提供一种半导体外延设备。
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