公开(公告)号：CN105063565A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510546952.8

申请日：2015-08-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨磊 ,  朱嘉琦 ,  郭帅 ,  代兵 ,  杨振怀 ,  舒国阳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行：一、焊接；二、清洗；三、镀膜前准备工作；四、在氧气氛中溅射镀膜；五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。

公开(公告)号：CN104975343A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510304702.3

申请日：2015-06-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  陈亚男 ,  代兵 ,  舒国阳 ,  王强 ,  赵继文 ,  刘康

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/04

Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。