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公开(公告)号：CN111593310B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010384746.2
申请日：2020-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法，本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法：一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上，抽真空；二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm～55nm，Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm～10nm，Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm～4nm，AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm～55nm；三、关闭所有电源，取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。
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公开(公告)号：CN111276277A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010091737.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有红外透明导电功能的窗口，属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是要解决现有的红外透明导电功能的窗口无法兼顾电磁屏蔽和高红外透过率性能的技术问题。本发明的具有红外透明导电功能的窗口是由衬底和依次生长于所述衬底上的透明导电层和红外增透层组成。本发明所述的具有红外透明导电功能的窗口在0.78μm～2.5μm波长范围内透过率不低于80％，在2.5μm～5μm波长范围内透过率不低于75％，方块电阻不大于100Ω/sq，对1GHz～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。本发明应用于制备一种具有红外透明导电功能的窗口。
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公开(公告)号：CN108149210B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201711434621.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种长波红外增透保护膜的制备方法，本发明涉及增透保护膜的制备方法。本发明要解决现有红外探测系统窗口材料增透保护膜或存在服役过程中出现严重的性能退化现象，导致薄膜光学性能的下降，或存在增透保护膜与基底附着性差，需要沉积过渡层，增加了工艺的复杂性，或存在增透保护膜硬度较低的问题。方法：一、靶材和窗口的清洗；二、镀膜前准备工作；三、采用反应溅射的方式制备Gd2O3薄膜；四、结束关机；五、双面镀膜，即完成一种长波红外增透保护膜的制备方法。本发明用于长波红外增透保护膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN105063565B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510546952.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行：一、焊接；二、清洗；三、镀膜前准备工作；四、在氧气氛中溅射镀膜；五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。
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公开(公告)号：CN111560602B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010287655.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109659396A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN108149210A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711434621.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种长波红外增透保护膜的制备方法，本发明涉及增透保护膜的制备方法。本发明要解决现有红外探测系统窗口材料增透保护膜或存在服役过程中出现严重的性能退化现象，导致薄膜光学性能的下降，或存在增透保护膜与基底附着性差，需要沉积过渡层，增加了工艺的复杂性，或存在增透保护膜硬度较低的问题。方法：一、靶材和窗口的清洗；二、镀膜前准备工作；三、采用反应溅射的方式制备Gd2O3薄膜；四、结束关机；五、双面镀膜，即完成一种长波红外增透保护膜的制备方法。本发明用于长波红外增透保护膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN105385999B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510830384.4
申请日：2015-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法，本发明涉及延长模具钢循环使用寿命的方法。本发明要解决现有镜头模具钢循环使用寿命差的问题。方法：一、单靶材的制备；二、复合靶材的制备；三、清洗；四、镀膜前准备工作；五、镀制Ti薄膜；六、镀制TiN薄膜；七、更换靶材；八、镀制TiNC薄膜；九、沉积类金刚石；十、关机，即完成延长镜头模具钢循环使用寿命的方法。本发明用于延长镜头模具钢循环使用寿命。
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公开(公告)号：CN104928641B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN103332692A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310329347.6
申请日：2013-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法，涉及一种纳米线的制备方法。本发明是要解决现有制备碳化硅纳米线的方法存在生产成本高、工艺复杂、制备温度高，不适合大规模生产以及制备出的碳化硅纳米线发光波段窄的技术问题。本发明的制备方法如下：一、清洗衬底；二、磁控溅射；三、高温煅烧。本发明应用于制备碳化硅纳米线。
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