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公开(公告)号:CN114010989A
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202111191718.X
申请日:2021-10-13
Applicant: 国网福建省电力有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 福建时代星云科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于电池储能系统的智能化消防系统及其工作方法,该系统包括储能电池单元、消防装置、消防联动控制系统和声光报警装置,储能电池单元包括电箱、电池模组、电池管理系统、火灾感应传感器、消防支管和电磁阀,消防支管布置在电箱内上部,电磁阀安装于消防支管末端;消防装置包括消防管路、加压泵、消防介质储罐和绝缘液储罐,消防介质储罐连接消防管路,绝缘液储罐经加压泵连接消防管路,消防管路与电箱内的消防支管相连接,消防联动控制系统与声光报警装置连接;电池管理系统分别与电池模组、火灾感应传感器和电磁阀电性连接,电池管理系统还与消防联动控制系统数据通讯。该系统有利于提高电池储能系统工作的安全性。
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公开(公告)号:CN113917336A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202111191557.4
申请日:2021-10-13
Applicant: 国网福建省电力有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/367 , G01R31/392
Abstract: 本发明涉及一种基于片段充电时间和GRU的锂离子电池健康状态预测方法,包括以下步骤:步骤S1:获取锂离子电池循环老化过程中的充电电压数据及对应的时间数据、最大放电容量数据,并提取充电电压数据及对应的时间数据,构建时间差数组;步骤S2:根据最大放电容量数据计算相应的电池健康状态数据,与时间差数组构成锂离子电池健康状态预测数据集,并划分成训练集和测试集;步骤S3:构建门控循环单元神经网络模型;步骤S4:根据训练集对门控循环单元神经网络模型进行训练,并使用测试集对训练后的门控循环单元神经网络模型进行测试;步骤S5:基于门控循环单元神经网络,根据片段充电时间内的充电电压数据及对应的时间数据实时预测锂离子电池健康状态。
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公开(公告)号:CN113364030A
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202110596412.6
申请日:2021-05-30
Applicant: 国网福建省电力有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种储能电站被动脱网运行方法,包括:S1)在脱网运行前,储能电站采集数据并计算各储能单元在脱网运行时调压调频的先后顺序;S2)检测线路开关是否跳开,是则进入步骤S3,否则返回步骤S1;S3)判断是否被动脱网,是则进入步骤S4,否则结束;S4)排序为1的储能单元负责调压调频,其余储能单元功率按斜率调整至0;S5)不断检测是否收到调度下达的并网指令,是则进入步骤S6;S6)各储能单元预装调度下达的功率定值,进行调压调频的储能单元将主变高压侧电压调至与线路电压一致,随后线路开关转运行,各储能单元控制器切换至预装的功率定值,脱网运行模式结束。该方法有利于使储能电站在被动脱网后保持连续运行。
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公开(公告)号:CN119298358A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411336585.4
申请日:2024-09-25
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提出一种基于云平台和边缘计算的低压物联开关,连接云主站并设置有边缘计算模块,连接若干个分布式光伏逆变器和/或电动汽车充电桩以进行集中管理;通过识别不同的设备类型,以确定需要采集的参数,并匹配对应的控制策略。
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公开(公告)号:CN119298061A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411327696.9
申请日:2024-09-23
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低压配电网柔性电压调节方法及系统,其中方法包括:S1:交直流变换器C_n(n=1,2,…,N)交流侧并联在低压交流配电网,直流侧并联在直流线路,所述交直流变换器C_1靠近电源侧且启动其运行在直流恒压控制模式,启动所述交直流变换器C_n(n=2,…,N)运行在恒功率控制模式;S2:交直流变换器C_n(n=2,…,N)采集交流侧电压;若交流侧电压低于设定的电压阈值下限,交直流变换器向交流线路发出有功功率;若交流侧电压高于设定的电压阈值上限,交直流变换器向交流线路吸收有功功率;若交流侧电压在设定的阈值范围内,交直流变换器处于待机状态。本发明解决了低压配电网长距离导致低电压、线路重载、分布式光伏导致过电压的问题。
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公开(公告)号:CN119090130A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411108383.4
申请日:2024-08-13
Applicant: 国网福建省电力有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 福州大学
IPC: G06Q10/063 , G06Q10/20 , G06Q50/06 , H02J13/00
Abstract: 本发明涉及一种电磁混合型配网柔性互联装置状态评价方法,包括以下步骤:构建电磁混合型配网柔性互联装置的综合评估指标体系,其包含多个一级指标,各个一级指标进一步包含多个二级指标;通过层次分析法建立层级结构模型,构造判断矩阵,进而确定一级指标和二级指标的主观权重;利用熵权法建立指标数据标准化矩阵,通过计算熵值和差异性系数确定一级指标和二级指标的客观权重;通过一级指标和二级指标的主观权重和客观权重确定综合权重;确定待评价对象的评价因素集和评语集,并构建隶属度矩阵;结合综合权重与隶属度矩阵,基于二元语义确定评估等级。该方法可以高效、准确、全面地对电磁混合型配网柔性互联装置的运行状态进行评价。
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公开(公告)号:CN119050818A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411171876.2
申请日:2024-08-26
Applicant: 国网福建省电力有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种柔性电压治理装置的防错接方法及故障监测方法,S1:采集线路数据并将线路数据信息转换为线路拓扑图数据;S2:线路拓扑图数据经过A/D转换模块进行A/D转换,并输至控制处理单元;S3:判断所述温度信号是否大于温度参考值,若是,控制所述报警单元发出报警,控制所述显示单元显示温度高报警;S4:判断首端电压和所述末端电压差值是否大于电压差值参考值,若是,控制报警单元发出报警,控制显示单元显示电压差异常报警;S5:判断电流是否大于电流参考值,若是,控制所述报警单元发出报警,控制显示单元显示电流异常报警;S6:当各条件均判断为异常时通过后台监测系统驱动防错接结构进行断开连接处理,能够防止配电箱内线路错接的问题。
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公开(公告)号:CN119026349A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411127240.8
申请日:2024-08-16
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 武汉大学
IPC: G06F30/20 , H02J3/38 , G06F119/06
Abstract: 本发明提出一种混合型配网互联装置电力电子部分损耗与成本优化设计方法,基于电力电子设备拓扑结构,考虑IGBT以及反并联二极管的各类损耗;并确定主导损耗;考虑电力电子设备的动作过程,基于IGBT输出特性曲线拟合生成的函数,计算获得各类主导损耗基于电气参数和IGBT参数的函数表达式;基于电力电子设备拓扑结构和工作机制,确定正常工作状态下各类主导损耗的数量,进一步构建获得电力电子设备的损耗模型;将电力电子设备和配电网的电气参数及各类型号对应的IGBT参数带入电力电子设备的损耗模型中,通过积分的方式计算单个工频周期损耗的能量,进而得到电力电子设备的平均损耗功率。
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公开(公告)号:CN118888384A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411052653.4
申请日:2024-08-02
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种储能装置用继电器控制方法,包括:采集电路的输出电压,并根据电路的输出电压判断电路是否已经达到可导通条件;满足导通条件后执行导通回路与继电器的接通操作,并根据运行数据判断继电器是否正常工作;满足切换条件后执行节能回路与继电器的接通操作,判断节能回路是否能在导通回路切断后保持继电器正常运行,在导通回路切断后节能回路能保持继电器正常运行的情况下断开导通回路与继电器的连接;根据电路的输出电压判断电路是否安全运行,如果电路处于不安全运行的状态下,断开节能回路与继电器、导通回路与继电器的连接。该方法有利于在保证电路运行安全性的情况下降低继电器功耗。
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公开(公告)号:CN118712233A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410833754.9
申请日:2024-06-26
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET器件,通过在SiC MOSFET中引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域,可有效降低器件反向导通时的开启电压,并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单,与传统SiC MOSFET制备工艺兼容,可实现高性能、批量化的SiC MOSFET器件生产。
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