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公开(公告)号：CN118712232A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410833732.2
申请日：2024-06-26
申请人： 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种沟槽型SiC MOSFET器件，通过在沟槽型SiC MOSFET引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域，有效降低器件反向导通时的开启电压，并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单，与传统沟槽型SiC MOSFET制备工艺兼容，可实现高性能、批量化的沟槽型SiC MOSFET器件生产。
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公开(公告)号：CN118712233A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410833754.9
申请日：2024-06-26
申请人： 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种SiC MOSFET器件，通过在SiC MOSFET中引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域，可有效降低器件反向导通时的开启电压，并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单，与传统SiC MOSFET制备工艺兼容，可实现高性能、批量化的SiC MOSFET器件生产。
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公开(公告)号：CN118970985A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411122434.9
申请日：2024-08-15
申请人： 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
摘要： 本发明提出一种宽范围有载调压电压补偿控制方法及系统，以有载调压变压器的输出接AC/DC/AC变流器，变流器主要包括并联侧和串联侧，串联侧变流器的输出接至串联变压器。输出电压调节将有载调压配电变压器档位调节变流器串联补偿相融合。变流器容量配置考虑电压补偿范围、三相不平衡补偿、无功补偿、谐波补偿引起的热效应及变流器输出最大电流应力。串联侧变流器输出电压补偿采用正负序分离控制算法。本方案可实现宽范围的输出电压无极补偿调节，能够灵活对串联侧变流器电流内环进行限幅，避免设备过载，提升了设备可靠性。
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公开(公告)号：CN118969847A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411076000.X
申请日：2024-08-07
申请人： 南京南瑞半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，倒T型电场调制区有效调制器件内部电场，消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性；倒T型电场调制区在调制电场的同时，使之与远离器件阱区，从而有效缓解电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化；体二极管区作为器件内部的体二极管结构，在器件工作阻断状态时，传输反向电流；器件结构和制备方法简单，改善效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118888594A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411040237.2
申请日：2024-07-31
申请人： 南京南瑞半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种沟槽型SiC器件及其制备方法，通过利用二次外延方法在沟槽型SiC器件中引入一种渐进式电场调制区结构，渐进式电场调制区采用的是渐进式结构，即第一结构区相比于第二结构区窄，即与栅沟槽、阱区的间距更大，从而可降低电场调制区与阱区的自然耗尽作用，以解决因两者之间的耗尽作用而导致的导通夹断效应，进而增强器件的电流导通能力。可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。同时还可有效避免电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化。此外，本发明的制备方法与现有技术中的平栅型SiC MOSFET器件制备方法兼容，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiC器件制备及生产。
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公开(公告)号：CN117851770A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311681297.8
申请日：2023-12-08
申请人： 南京南瑞半导体有限公司 , 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
IPC分类号： G06F18/20 , G06F18/213 , G06F18/27
摘要： 本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统，涉及功率半导体器件技术领域，包括在包括IGBT和二极管的器件中，采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册，从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合；基于特性曲线参数拟合结果，计算器件的总损耗；对器件的热网络进行等效，构建IGBT和二极管等效热网络模型，并根据热网络模型分析器件最高结温。本发明所述方法通过提取IGBT和二极管的特性曲线参数，提高了器件损耗结温估计的精准度；通过基于特性曲线参数，计算器件的导通损耗和开断损耗，提高了系统整体效率和器件损耗结温估计的可靠性；通过构建IGBT和二极管等效热网络模型，有助于提高器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117650178A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311517119.1
申请日：2023-11-14
申请人： 南京南瑞半导体有限公司 , 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/417
摘要： 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入沟槽型源端和包裹区，通过将栅漏电容转换为栅源和漏源电容串联的形式，在维持SiC MOSFET器件的导通电阻不过多增大的前提下，显著降低了栅漏电容，提高了器件的开关速度，降低了开关损耗，同时沟槽底部的栅氧保护区可屏蔽栅氧内电场强度，保护栅氧，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备及生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117727804A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311678388.6
申请日：2023-12-08
申请人： 南京南瑞半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种碳化硅二极管器件及其制备方法，包括碳化硅衬底、外延层、结终端区、元胞区、阳极欧姆金属层、肖特基金属层、阳极电极层、钝化保护层、阴极欧姆金属层和阴极电极层；外延层设于碳化硅衬底上，结终端区和元胞区设于外延层的顶部；元胞区包括P型区和N型区，阳极欧姆金属层设于P型区上，肖特基金属层设于N型区上；P型区为间隔排列的梯体；阳极电极层设于元胞区上；钝化保护层设于阳极电极层两端及结终端上；阴极电极层设于碳化硅衬底下，阴极欧姆金属层设于阴极电极层和碳化硅衬底之间。本发明元胞区设有梯体的P型区，提高肖特基接触面积，降低正向导通电阻的同时不牺牲反向阻断能力，实现器件小型化。
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公开(公告)号：CN118969848A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411076080.9
申请日：2024-08-07
申请人： 南京南瑞半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/36
摘要： 本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法，L型结构电场调制区可以有效调制器件内部电场，消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性，在调制电场的前提下，与器件阱区保持更远的间距从而有效缓解柱状型结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化；新增电流扩展区，其掺杂浓度相比第一外延层高，在器件导通时提供更多的载流子用于传输电流，提高器件导通性能，电流扩展区位于阱区与L型结构区之间，进一步削弱两者之间的自然耗尽作用，从而亦起到提高器件电流的目的，增强器件导通性能。
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公开(公告)号：CN117727770A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311698421.1
申请日：2023-12-12
申请人： 南京南瑞半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，通过在碳化硅MOSFET器件中设置从下到上宽度依次增大的阶梯层结构，该结构可有效消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性；同时还可有效避免电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化；本发明器件的制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化碳化硅MOSFET器件制备及生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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