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公开(公告)号：CN118712233A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410833754.9
申请日：2024-06-26
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET器件，通过在SiC MOSFET中引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域，可有效降低器件反向导通时的开启电压，并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单，与传统SiC MOSFET制备工艺兼容，可实现高性能、批量化的SiC MOSFET器件生产。
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公开(公告)号：CN118970985A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411122434.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
Abstract: 本发明提出一种宽范围有载调压电压补偿控制方法及系统，以有载调压变压器的输出接AC/DC/AC变流器，变流器主要包括并联侧和串联侧，串联侧变流器的输出接至串联变压器。输出电压调节将有载调压配电变压器档位调节变流器串联补偿相融合。变流器容量配置考虑电压补偿范围、三相不平衡补偿、无功补偿、谐波补偿引起的热效应及变流器输出最大电流应力。串联侧变流器输出电压补偿采用正负序分离控制算法。本方案可实现宽范围的输出电压无极补偿调节，能够灵活对串联侧变流器电流内环进行限幅，避免设备过载，提升了设备可靠性。
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公开(公告)号：CN118712232A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410833732.2
申请日：2024-06-26
Applicant: 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网福建省电力有限公司 , 南京南瑞半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型SiC MOSFET器件，通过在沟槽型SiC MOSFET引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域，有效降低器件反向导通时的开启电压，并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单，与传统沟槽型SiC MOSFET制备工艺兼容，可实现高性能、批量化的沟槽型SiC MOSFET器件生产。
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公开(公告)号：CN119730316A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411700233.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H10D30/63 , H10D30/01 , H10D64/27 , H10D62/832
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET器件及制备方法，包括衬底、位于所述衬底上方的外延层、位于所述衬底下方的漏极电极、位于所述外延层中的电流扩展区、位于所述电流扩展区上方的阱区、位于所述阱区中的源区、位于所述源区中的体区，位于所述外延层两端的凹槽、位于所述外延层中心的栅沟槽、位于所述凹槽和栅沟槽内的栅介质层、位于所述栅介质层表面的多晶硅、位于所述外延层上表面的钝化层。通过在MOSFET器件中引入一种槽栅注入区，可用来调制器件内部电场，进而保护栅氧击穿，同时还可增加器件有效导通面积，提高器件导通能力。本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备及生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119451192A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411537401.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET器件及制备方法，包括衬底、位于所述衬底上方的外延层、位于所述衬底下方的漏极电极、位于所述外延层中的电流扩展区、位于所述电流扩展区上方的阱区、位于所述阱区中的源区、位于所述源区中的体区，位于所述外延层两端的凹槽、位于所述外延层中心的栅沟槽、位于所述凹槽和栅沟槽内的栅介质层、位于所述栅介质层表面的多晶硅、位于所述外延层上表面的钝化层。通过在MOSFET器件中引入一种槽栅注入区，可用来调制器件内部电场，进而保护栅氧击穿，同时还可增加器件有效导通面积，提高器件导通能力。本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备及生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969847A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411076000.X
申请日：2024-08-07
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，倒T型电场调制区有效调制器件内部电场，消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性；倒T型电场调制区在调制电场的同时，使之与远离器件阱区，从而有效缓解电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化；体二极管区作为器件内部的体二极管结构，在器件工作阻断状态时，传输反向电流；器件结构和制备方法简单，改善效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118888594A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411040237.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC器件及其制备方法，通过利用二次外延方法在沟槽型SiC器件中引入一种渐进式电场调制区结构，渐进式电场调制区采用的是渐进式结构，即第一结构区相比于第二结构区窄，即与栅沟槽、阱区的间距更大，从而可降低电场调制区与阱区的自然耗尽作用，以解决因两者之间的耗尽作用而导致的导通夹断效应，进而增强器件的电流导通能力。可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。同时还可有效避免电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化。此外，本发明的制备方法与现有技术中的平栅型SiC MOSFET器件制备方法兼容，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiC器件制备及生产。
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公开(公告)号：CN117851770A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311681297.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司 , 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
IPC: G06F18/20 , G06F18/213 , G06F18/27
Abstract: 本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统，涉及功率半导体器件技术领域，包括在包括IGBT和二极管的器件中，采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册，从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合；基于特性曲线参数拟合结果，计算器件的总损耗；对器件的热网络进行等效，构建IGBT和二极管等效热网络模型，并根据热网络模型分析器件最高结温。本发明所述方法通过提取IGBT和二极管的特性曲线参数，提高了器件损耗结温估计的精准度；通过基于特性曲线参数，计算器件的导通损耗和开断损耗，提高了系统整体效率和器件损耗结温估计的可靠性；通过构建IGBT和二极管等效热网络模型，有助于提高器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117650178A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311517119.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司 , 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入沟槽型源端和包裹区，通过将栅漏电容转换为栅源和漏源电容串联的形式，在维持SiC MOSFET器件的导通电阻不过多增大的前提下，显著降低了栅漏电容，提高了器件的开关速度，降低了开关损耗，同时沟槽底部的栅氧保护区可屏蔽栅氧内电场强度，保护栅氧，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备及生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119403186A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411474945.7
申请日：2024-10-22
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H10D62/10 , H10D62/17 , H10D62/832 , H10D30/01 , H10D30/66
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，沟道区旁边增设短路耐受增强区域，增加器件的有效沟道长度，提升器件抵御短路电流冲击的能力，增长器件的短路耐受时间；短路耐受增强区域之间设置电流扩散区域平衡其对器件电流导通能力的影响；阱区之间增设电场调制区域，当器件工作于阻断状态时，有效防止短路耐受增强区域受高电场威胁，确保器件的阻断能力；电场调制区域之间增设电流扩散区、上方设置电流调制区域，减少电场调制区域对器件电流的导通能力；该器件结构和制备方法简单，与传统碳化硅MOSFET制备工艺兼容高，可实现批量化生产。
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