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公开(公告)号：CN112331772A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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公开(公告)号：CN112331668A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011159688.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开一种可见‑红外波段二维电荷俘获型存储器及其制备方法。该可见‑红外波段二维电荷俘获型存储器包括：衬底；背栅，形成在所述衬底上；电荷阻挡层，形成在所述背栅上；电荷俘获层，其为第一类二维材料，形成在所述电荷阻挡层上；电荷隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；沟道层，其为第二类二维材料，形成在所述电荷隧穿层上，其中，所述第一类二维材料和所述第二类二维材料的光学响应波段互补，相互叠加后使得存储器的光响应范围可覆盖可见‑红外波段，实现可见‑红外电荷俘获型擦写功能。
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公开(公告)号：CN115266844B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210896284.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种低维感存算一体化器件及其制备方法。该低维感存算一体化器件包括：衬底，其为具有氧化层的高掺杂硅片；存储功能层，其为金属纳米晶颗粒，形成在所述衬底上；过渡层，形成在所述存储功能层上；气体探测层，其为经金属纳米晶颗粒修饰的二维半导体层，以提高对二氧化氮气体的探测灵敏度，形成在所述过渡层上；源电极和漏电极，形成在所述气体探测层两侧，在同一器件单元实现对二氧化氮气体的探测、识别与记录。
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公开(公告)号：CN118922060A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974683.4
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法，自下而上包括：衬底；底电极层；第一介电层；第二介电层；顶电极层；通过所述第一介电层和所述第二介电层的能带调控以及所述底电极层和所述顶电极层的金属功函数的调制作用，器件的电流‑电压特性可实现正向导通反向截止，从而获得超高的整流比，以及实现在正向小电压时截止大电压时导通，从而获得超高非线性度，继而达到抑制阵列漏电流的作用。在具备抑制漏电流的本征特性的基础上，该器件还可实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强/抑制等神经突触形态学特征与功能。
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公开(公告)号：CN118900625A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974707.6
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种异质结自供电突触器件及其制备方法，突触器件包括：依次设于衬底上的第一电极层、介质层和第二电极层；所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，且所述第一子介质层和所述第二子介质层形成PN结，以产生内建电场，可以在内建电场的作用下，使光产生的电子‑空穴对被迅速分离，产生光生电流，从而实现自供电，有望在未来大规模集成电路制造中获得应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117525199A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311748784.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种异质结感存算器件及其制备方法。该异质结感存算器件包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；第一栅介质层/第二栅介质层/第三栅介质层叠层，形成在所述背栅电极上；一维纳米线，其为具有近红外波段响应的半导体材料，形成在所述第三栅介质层上；二维层状半导体材料，其为具有可见光波段响应的半导体材料，形成在所述第三栅介质层上，与所述一维纳米线搭接，形成一维二维异质结，作为沟道层；源电极和漏电极，形成在所述沟道层的两侧。在同一个器件单元实现了信息的感知、存储与计算功能集成，提高了器件的光电感知范围以及灵敏度，实现了可见‑近红外波段信息感知能力的存算一体化应用。
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公开(公告)号：CN115867121A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211489550.5
申请日：2022-11-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H10N70/20 , H01L29/80 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开一种柔性神经视网膜器件及其制备方法。该柔性神经视网膜器件包括：柔性衬底；隔离层，以一定间隔形成在所述柔性衬底上；底部栅电极，形成在所述隔离层的间隔中的柔性衬底上；有机铁电聚合物薄膜，形成在上述结构上；无机铪基铁电薄膜，形成在所述有机铁电聚合物薄膜上；p型二维半导体材料层和n型氧化物半导体层，两者相互搭接形成具有光电响应的pn结型沟道层，形成在所述无机铪基铁电薄膜上，且位于所述底部栅电极上方；电极材料叠层，分别形成在p型二维半导体材料层和n型氧化物半导体层两侧。
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公开(公告)号：CN115275021A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210903921.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种离子门控的柔性有机突触晶体管及其制备方法。该离子门控的柔性有机突触晶体管包括：柔性衬底；介质层，形成在柔性衬底上；C8‑BTBT有机半导体层，形成在介质层上；源电极和漏电极，形成在C8‑BTBT有机半导体层的两侧；共面横向栅电极，与C8‑BTBT有机半导体层保持间隔，形成在介质层上；栅极电介质，其为PEO和LiClO4的聚合物电解质，涂覆在器件的沟道和栅电极区域上，器件的突触后电流通过电调制和光调制两种方式进行调节，通过电调制调节聚合物电解质中的离子运动，改变C8‑BTBT有机半导体层通道电导，从而实现突触功能，光调制下通过调整C8‑BTBT有机半导体层通道的光生载流子数量实现突触权重的改变。
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公开(公告)号：CN115275017A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210902941.9
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机存储器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底；阻挡层，其为有机聚合物介质，形成在ITO导电层上；CsPbBr3量子点俘获层，形成在所述阻挡层上；隧穿层，形成在所述量子点俘获层上；有机半导体层，其为对紫外光敏感的有机半导体材料，形成在所述隧穿层上；顶电极，形成在所述有机半导体层上，通过调控施加的紫外光的参数，调控有机半导体层的光生载流子的数量，从而实现对突触后电流的调制，模拟各种突触行为。
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公开(公告)号：CN115275006A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210918681.4
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法。该基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管，包括：衬底；界面层，形成在所述衬底上；多层HZO铁电层，形成在所述界面层上，且在相邻HZO铁电层间形成有ZrO2插层；栅极，形成在所述HZO铁电层上；源极和漏极形成在所述衬底中所述栅极两侧；通过调整所述各层HZO铁电层的厚度，控制铁电畴尺寸，使之具有不同的矫顽场，当施加不同电压时使特定HZO铁电层完全极化，获得具有稳定的中间极化状态的多比特铁电场效应晶体管。
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