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公开(公告)号：CN103029037A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210514378.4
申请日：2012-12-03
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B24B37/30
摘要： 本发明一种密封环加工预变形力加载夹具及其加载方式，特别涉及针对波纹面密封环加工中预变形力的加载方式及其具体夹具结构，本夹具根据反变形法加工原理，在底盘上均匀相间分布了一组长杠杆臂及短杠杆臂，长杠杆臂及短杠杆臂通过柔性铰链与底盘连接，密封环坯被夹持在长杠杆臂及短杠杆臂的环形槽中，在调解对应的上推螺钉和下拉螺钉后，使被各杠杆臂夹持的密封环坯产生扭转变形，形成均匀分布的波纹面，采用夹持式加载方式使密封环坯易于产生扭曲变形，且其应力集中小，利用平面研磨机床加工后，可得到预想的波纹面密封环。本加载夹具应用于波纹面密封环坯的预变形力的加载，具有操作方便、结构简单、性能稳定可靠的特点。
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公开(公告)号：CN102785147A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210253902.7
申请日：2012-07-20
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B24B19/11
摘要： 一种四轴联动机械密封环磨削方法，属于复杂形面磨削技术领域。其特征是采用一个工件轴、一个杯形砂轮、一个砂轮轴、一个摆动工作台、一个X向直线移动平台和一个Z向直线移动平台，工件轴安装在Z向直线移动平台上，砂轮轴安装在摆动工作台上，摆动工作台安装在X向直线移动平台上，通过砂轮端面做切入磨削。磨削斜波纹面时联动控制工件轴的回转运动、摆动工作台的往复摆动、X向直线移动平台和Z向直线移动平台的直线运动，磨削密封坝面时砂轮轴回转轴线与工件轴回转轴线平行。本发明的效果和益处能实现由平的圆环形坝面和径向轮廓为略微倾斜直线且其倾角沿周向周期性变化的斜波纹面构成的流体动压密封环复杂形面高面形精度、低表面粗糙度加工。
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公开(公告)号：CN102516874A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110352554.4
申请日：2011-11-09
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于超硬材料抛光技术领域，公开了一种金刚石切削刀具超精密刃磨用抛光液及其制备方法。其特征是采用绿色强氧化剂高铁酸钾作为主要成分，加入适量的碳化硼磨料配制抛光液。在常温条件下，陶瓷抛光盘和碳化硼磨料的机械作用使金刚石切削刀具表面产生损伤，借助高铁酸钾的强氧化作用实现刀具表面材料的微量去除。此外，还通过添加一氧化镍等催化剂以提高材料去除，添加稳定剂和分散剂以改善抛光液性能。本发明的效果和益处是所制备的抛光液刃磨金刚石刀具，可实现刀具100纳米以下的钝圆半径、纳米和亚纳米级的表面粗糙度和超低损伤的表面质量，有助于提高刀具寿命和工件加工质量。
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公开(公告)号：CN102229087A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110147179.X
申请日：2011-06-02
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B24B19/22
摘要： 本发明一种晶片磨床的倾角调整装置和方法，属于半导体晶片加工设备技术领域，特别涉及一种双主轴三工位晶片磨床的倾角调整方法和装置。晶片磨床的倾角调整方法，采用双主轴单元和三个工位布局，即粗磨、精磨主轴单元，粗磨位、精磨位和待料位吸盘台三个工位，三个吸盘台结构完全相同；粗磨轴、精磨轴以及吸盘台主轴均采用三个支脚支撑的结构；其倾角调整步骤依次调整精磨轴、精磨位吸盘台、粗磨轴、待料位吸盘台和粗磨位吸盘台。本发明由于采用较少的可调支脚，晶片磨床的刚度较高，各个可调支脚的调整独立控制晶片面型的参数，相互间没有干扰，大大减少调整的次数和时间，调整操作方便。
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公开(公告)号：CN102173754A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110022802.9
申请日：2011-01-20
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622
摘要： 本发明属于难加工材料的精密超精密加工技术领域，公开了一种用于洁整化加工不锈钢304材料的陶瓷刀具及制备方法。其特征是采用氧化铝、氧化镁作为刀具配方，通过选择合理的压制、烧结、机械加工等工艺制备了一种新型氧化铝基陶瓷刀具。由于其成分纯净、高温化学稳定性好、高硬度、低渗透性等优点，因此在切削加工难加工材料不锈钢304材料时，比传统刀具在洁净化、完整性、刀具耐磨性方面表现出一定的优越性。
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公开(公告)号：CN102152247A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110022731.2
申请日：2011-01-20
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于硬脆材料超精密加工技术领域，公开了一种用于Al2O3陶瓷化学机械磨削的用磨具及其制备方法。其特征是采用能与Al2O3陶瓷发生固相化学反应的二氧化硅软磨料作为磨具的主要磨料，加入适量的金刚石磨料作为辅助磨料制成磨具，解决了目前软磨料砂轮磨损严重和加工效率低的问题。在100℃左右的温度条件下，借助化学和机械复合作用即可实现Al2O3陶瓷表面材料的化学机械去除。此外，还通过添加适量的碳酸氢钠、氧化钙、高锰酸钾等添加剂以提高磨具的磨削性能。本发明的效果和益处是所制备的化学机械磨削用磨具具有磨削效率高、磨损小、磨削表面质量好等优点，能够在正常的磨削条件下实现Al2O3陶瓷超精密低损伤磨削。
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公开(公告)号：CN100482420C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710010921.6
申请日：2007-04-06
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种磨料三维多层可控优化排布电镀工具及其制造方法，其特征是基于磨空比和磨粒层数的微磨料群优化排布以及增厚复合电镀掩模的制备。这种磨料三维多层可控优化排布电镀工具具有优化设计表面磨料群分布；以双层复合掩模作为电镀掩模；通过改变中间层厚度来调节增厚复合电镀掩模厚度；控制中间层的腐蚀程度，使之比上层掩模略有凹陷，复合电镀形成的磨料群形貌为梯台状。本发明的效果和益处是这种方法制备的固结磨料工具，磨料群优化排布利于加工中磨削屑排出、磨削液进入、磨削热转移等，显著提高磨具的磨削性能；同时，多层磨料工具可以修整，降低了对基体加工精度和装配精度的要求，显著地降低磨具制造成本。
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公开(公告)号：CN101376228A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810013509.4
申请日：2008-09-28
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种软脆功能晶体磨削加工方法，属于软脆功能晶体加工技术领域，特别涉及半导体与光电晶体软脆功能晶体的超精密磨削加工方法。其特征是采用微粉金刚石分段变速进给和软磨料砂轮化学机械磨削方法加工软脆功能晶体。在粗磨阶段和精磨阶段砂轮的进给速度先大后小，磨削液为去离子水。然后采用带有孔隙的软磨料砂轮进行化学机械磨削，磨料为高分子聚合物或者防水树脂，填充料为NaHCO3或精萘发泡剂。采用化学机械磨削液作为发应液和冷却液，磨削液主要成分为乳酸、醋酸、硝酸和去离子水，其pH值为2－4。本发明的效果和益处是磨削加工效率高，加工成本低，表面精度高。不会在工件表面产生微划痕、游离磨料嵌入、塑性变形、残余应力等表面/亚表面损伤。
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公开(公告)号：CN100445034C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610134177.6
申请日：2006-11-02
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种用于大尺寸金刚石膜平坦化磨削的砂轮制作方法，包括原料选择、成份配比，球磨合金化，烧结，杯形砂轮制作及处理。其中原料为Ti，Al，Cr，Nb，V，Si粉末，按摩尔比40～46%Al，1～2%Cr，1～2%Nb，0～4%V，0～2%Si，余量为钛进行配比；原料在氩气保护下球磨，时间90～190小时，转速280～580r/min；然后筛选粒径＜20μm的合金粉，经预压后在真空烧结炉中加压烧结，烧结温度900～1200℃，烧结时间15～60min，烧结压力0.2～10MPa；最后将烧结的砂轮环片热处理后焊接在杯形砂轮基盘上。本发明效果和益处是采用机械球磨和真空加压烧结制成的钛铝合金基砂轮环组织均匀高温强度高，抗氧化性好，硬度高，耐磨损。
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公开(公告)号：CN100443260C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610134249.7
申请日：2006-11-08
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B24B7/22 , B24D3/00 , B24B53/04 , H01L21/304
摘要： 本发明一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法属于硬脆晶体基片超精密加工技术领域，特别涉及半导体与光电晶体硬脆晶体基片的超精密磨削加工技术。采用特制砂轮磨削，修整盘采用金属基体电镀金刚石砂轮，其粒度选用#100-#300；特制砂轮的填充料中含有活化剂、氧化剂、pH调节剂，磨料选用二氧化铈、二氧化硅或者碳酸钡。磨削进给速度为1-5μm/min，砂轮的转速为500-1000n/min，硬脆晶体基片的转速为50-200n/min，采用去离子水为冷却液，其流量为10-50ml/min。磨削方法具有精度高、加工成本低，材料去除率高，不会在基片表面产生微划痕、微疵点、微裂纹等加工表面/亚表面损伤。
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