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公开(公告)号：CN115894301A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211308356.2
申请日：2022-10-25
Applicant: 武汉大学中南医院
IPC: C07C271/02 , C07C269/06 , A61K49/10
Abstract: 本发明公开了一种二聚化钆基T1磁共振对比造影剂及其制备方法和用途。本发明的二聚化钆基T1磁共振对比造影剂的分子结构通式含有一个不同烷基链长(n＝2～20)的连接体，二乙烯三胺五乙酸(DTPA)配体，三价钆离子(Gd3+)。其中，两个DTPA分子由连接体通过共价键相连，Gd3+通过金属配位作用与DTPA螯合形成二聚化Gd‑DTPA。本发明的二聚化钆基T1磁共振对比造影剂，其结构中烷基链越长T1弛豫率越高，且T1磁共振对比成像效果优于临床用Gd‑DTPA，有望作为可替代的新型磁共振对比造影剂在临床上应用。
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公开(公告)号：CN112821878A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110012423.5
申请日：2021-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种伪模态抑制型射频谐振器结构。包括下电极层、压电层、上电极层、凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层。其中，凹陷上电极层位于交叠区域处；凸起压电层位于外部区域处，且比有效区域高；凹陷压电层位于外部区域处，位于所述凸起压电层之间。本发明申请通过调整凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层的深度、宽度和位置关系，能够使谐振器满足谐振频率关系为：f外部区域＜f有效区域＜f交叠区域，进而可以有效抑制阻抗曲线上的伪模态和高阶模态，提高谐振器的机电耦合系数和品质因子，进而提升谐振器的整体性能。
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公开(公告)号：CN110880922B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201911127186.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器机构，该种谐振器仅在压电材料上部布置有二维方向分布的正负电极，电极上部有桥状结构，电极间距大于四个波长。此种谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN109511023B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201811479373.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，基底上的空腔为真空的振动空腔，压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极，基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，首先在基底底层上刻蚀出空腔，然后沉积基底中间层，之后在真空环境下基底中间层上键合基底顶层形成振动空腔，然后在基底顶层上刻蚀环形凹槽，在环形凹槽内沉积牺牲层，然后在基底顶层上依次沉积底部电极，压电薄膜和顶部电极，在顶部电极上开设腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，完成压电麦克风及制作。本发明能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
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公开(公告)号：CN111294007A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010010106.5
申请日：2020-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于谐振器领域，提供一种超高频压电谐振器及其制备方法，解决超高频压电谐振器采用背部刻蚀的方式在衬底上形成空腔而造成刻蚀表面不平整、刻蚀厚度不均匀和应力集中而影响器件的性能的问题。该方法包括在衬底的上表面刻蚀出凹槽；在凹槽的表面沉积第一隔离层，第一隔离层的厚度小于所述凹槽的深度；在整个凹槽内填满牺牲层，牺牲层的上表面与衬底层的上表面齐平；在填有牺牲层的衬底的上表面沉积第二隔离层；在第二隔离层的上表面形成压电层；在压电层的上表面形成电极层；在凹槽的上方形成释放口，通过释放口去除牺牲层形成空腔。本发明通过用两个隔离层包围凹槽内的牺牲层，可以避免去除牺牲层时造成刻蚀表面不平整的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162749A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010016433.1
申请日：2020-01-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种新型谐振器结构，包括正电极、负电极、压电层以及衬底。所述的正电极、负电极依次交替排列，且均置于所述压电层上，所述压电层置于所述衬底上；所述正电极、负电极均为条形结构，所述条形结构沿中心及中心附近区域顺时针或逆时针向外延伸的螺旋形曲线分布。该结构可用于兰姆波、声表面波、超高频谐振器声波谐振器，可提高谐振器的机电耦合系数和品质因子。
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公开(公告)号：CN111130495A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911099574.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种超高频谐振器，包括带有空腔的衬底，所述衬底表面设置有压电层，所述压电层上具有多个条形正电极和多个条形负电极，所述多个条形正电极和所述多个条形负电极呈放射状分布于所述压电层上，其中所述条形正电极与所述条形负电极交错分布，两个相邻的所述条形正电极与所述条形负电极之间的距离至少为一个波长。本公开的新型超高频谐振器，不仅满足4.5G以上的频率范围，且机电耦合系数高至30％以上，远远大于体声波谐振器和声表面波谐振器，满足通信用高频率，大带宽的要求。
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公开(公告)号：CN111081629A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911066355.X
申请日：2019-11-04
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/762 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法，对准标记制作方法包括：步骤1：提供第一组硅片，通过光刻和刻蚀工艺形成空腔结构；步骤2：提供第二组硅片，通过光刻和刻蚀工艺在表面预定位置处形成至少两个凹槽；步骤3：将第二组硅片的上下表面进行氧化处理形成氧化层，凹槽中应填充满氧化物，然后对氧化层进行磨平；步骤4：将两组硅片进行键合，得到带空腔SOI晶圆；步骤5：刻蚀掉带空腔SOI晶圆顶部的氧化物，并研磨顶部硅片至被氧化物填充的凹槽的表面处停止，将氧化物填充的凹槽作为空腔的对准标记，其中，根据对准标记与各个空腔的相对位置关系，确定带空腔SOI晶圆上所有的空腔的位置。
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公开(公告)号：CN110890872A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911126025.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/54
Abstract: 本发明公开了一种降低超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的方法，该方法是在叉指电极和压电层中间沉积一层中间介质层，形成叉指电极、中间介质层、压电层的三层结构；将叉指电极中相邻的电极指加极性相反的电压，在压电层产生感应电荷，产生逆压电效应；中间介质层在叉指电极上的电压和压电层的共同的作用下，在其与电极接触的表面聚集感应电荷；通过调节中间介质层的厚度或者介电常数调节谐振器的机电耦合系数，其中介电常数的改变可通过选择不同介电常数的材料来实现。本发明降低超高频谐振器的有效机电耦合系数，使该种谐振器应用在窄带滤波器成为可能。
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公开(公告)号：CN109119531B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810917285.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种柔性传感器的制造方法，该方法能够促使刻蚀顺利进行，并显著提高柔性传感器剥落的成功率。本发明涉及的柔性传感器的制造方法，特征在于，包括以下步骤：步骤1.在硅衬底上涂光刻胶，进行光刻，对硅衬底进行刻蚀，产生形成有多个支撑柱的凸台；步骤2.在凸台上沉积二氧化硅薄膜层；步骤3.依次沉积或覆盖制造传感器的各层材料；步骤4.通入二氧化硅刻蚀剂对二氧化硅薄膜层进行刻蚀；步骤5.将传感器剥落。
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