公开(公告)号：CN107074427B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201580055631.6

申请日：2015-11-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫原诚 ,  市川真纪子 ,  谷岛健二 ,  德仓胜浩

IPC: B65D81/20 ,  B01D65/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B65D81/26

Abstract: 本发明提供一种能够抑制亚纳米膜结构体的膜性能降低的亚纳米膜结构体的包装体、亚纳米膜结构体的保管或输送方法及亚纳米膜结构体。包装体(10)包括密闭容器(20)和亚纳米膜结构体(30)。密闭容器(20)的氧气渗透率为15ml/m2dMPa以下，水蒸汽渗透率为2g/m2d以下。亚纳米膜结构体(30)被收纳在密闭容器(20)内。亚纳米膜结构体(30)包含多孔质支撑体(31)和平均细孔径为1nm以下的亚纳米膜(32)。

公开(公告)号：CN110719808A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201880037265.5

申请日：2018-06-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野田宪一 ,  宫原诚 ,  清水克哉 ,  萩尾健史

IPC: B01D71/02 ,  B01D61/36 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  C01B39/04 ,  C01B39/36

Abstract: 脱水方法包括：向分离膜(45)的供给侧空间(4S)供给混合物(31)的工序、及使分离膜(45)的供给侧空间(4S)和透过侧空间(4T)产生压力差的工序。分离膜(45)具有：第一沸石膜(45a)，其由第一沸石构成，且面对透过侧空间(4T)；以及第二沸石膜(45b)，其与第一沸石膜(45a)邻接，且面对供给侧空间(4S)。第二沸石膜(45b)由第二沸石构成，该第二沸石具有与第一沸石相同的骨架结构，且Si/Al原子比小于第一沸石的Si/Al原子比。

公开(公告)号：CN106102879B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201580012179.5

申请日：2015-02-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫原诚 ,  市川真纪子 ,  铃木秀之

IPC: B01D69/04 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12

Abstract: 整体型分离膜结构体及整体型分离膜结构体的制造方法，整体型分离膜结构体(100)包括：多孔的整体型基材(200)和分离膜(300)；整体型基材(200)具有：第一端面(210a)、第二端面(210b)、分别从第一端面(210a)贯通至第二端面(210b)的多个贯通孔(210d)；分离膜(300)形成在多个贯通孔(210d)各自的内表面；分离膜300的表面粗糙度Ra为1μm以下；分离膜300的厚度为5μm以下。

公开(公告)号：CN110430935A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880012747.5

申请日：2018-02-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫原诚 ,  市川真纪子 ,  谷岛健二 ,  萩尾健史

IPC: B01D65/10 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  G01N15/08

Abstract: 分离膜组件(10)的检查方法包括：组装工序，将具有多孔质基材(11)和分离膜(12)的分离膜结构体(1)密封于壳体(2)内；检查工序，对充满于分离膜(12)的第1主面侧的检查用液体进行加压。检查用液体具有如下特性：将分离膜结构体(1)在检查用液体中浸渍60分钟后以150℃进行了24小时干燥的情况下，分离膜的He透过速度降低率为10％以下。

公开(公告)号：CN108883377A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780015295.1

申请日：2017-03-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫原诚 ,  谷岛健二

IPC: B01D69/10 ,  B01D69/00 ,  B01D69/12 ,  C04B38/00 ,  C04B41/85

CPC classification number: B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C04B38/00 ,  C04B41/85

Abstract: 多孔质支撑体(20)具备基材(30)、支撑层(32)、以及最表层(33)。支撑层(32)配置在基材(30)与最表层(33)之间并与最表层(33)相接触。最表层(33)的气孔率(A)相对于支撑层(32)的气孔率(B)的比值(A/B)为1.08以上。最表层(33)的厚度(C)相对于支撑层(32)的厚度(D)的比值(C/D)为0.9以下。

公开(公告)号：CN107073409A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058430.1

申请日：2015-11-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野田宪一 ,  萩尾健史 ,  宫原诚

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C01B39/14 ,  C01B39/38 ,  C01B39/48

Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜缺陷的沸石膜结构体的制造方法。沸石膜结构体(10)的制造方法包括：在多孔质支撑体(20)上形成第一沸石膜(30)的工序、将形成有第一沸石膜(30)的多孔质支撑体(20)在10℃～70℃且pH10以上的第二沸石膜形成用溶液中浸渍5分钟以上的工序、以及在将形成有第一沸石膜(30)的多孔质支撑体(20)浸渍在第二沸石膜形成用溶液中的状态下进行水热合成、由此在第一沸石膜(30)上形成第二沸石膜(40)的工序。第一沸石膜(30)和第二沸石膜(40)共有构成骨架结构的至少1种复合构造单元。

公开(公告)号：CN105121346A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480019436.3

申请日：2014-03-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 谷岛健二 ,  萩尾健史 ,  宫原诚 ,  内川哲哉 ,  犬饲直子 ,  市川真纪子

IPC: C01B39/48 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02

CPC classification number: B01D71/028 ,  B01D53/228 ,  B01D63/066 ,  B01D65/10 ,  B01D67/0051 ,  B01D2323/08 ,  B01D2323/24 ,  B01D2323/36 ,  B01D2325/20 ,  G01N15/08

Abstract: 提供可制造缺陷少的沸石膜的沸石膜制造方法、缺陷少的八元氧环沸石膜、以及可以评价缺陷的八元氧环沸石膜的评价方法。在多孔体的表面附着沸石晶种前，作为前处理，将多孔体在氧存在下进行400℃以上的加热处理，加热处理后在湿度30％以上的环境下保存12小时以上，然后，使沸石晶种附着于多孔体，制造沸石膜。将多孔体加热处理而制造的八元氧环沸石膜，其CF4的透过速度除以CO2的透过速度得到的值在0.015以下，缺陷较少。

公开(公告)号：CN104768633A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380057384.4

申请日：2013-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫原诚 ,  市川真纪子

IPC: B01D65/10 ,  B01D71/02 ,  C04B38/00 ,  C04B41/85

CPC classification number: B01D71/028 ,  B01D63/066 ,  B01D65/108 ,  B01D67/0048 ,  B01D69/04 ,  B01D2321/28 ,  B01D2321/32 ,  B01D2325/12 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/00793 ,  C04B35/00

Abstract: 提供一种陶瓷分离膜结构体及其修补方法，该陶瓷分离膜结构体的成膜在陶瓷多孔质体上的沸石分离膜经过了修补。陶瓷分离膜结构体中，沸石分离膜33配置在陶瓷多孔质体9上，通过含有与沸石分离膜33的沸石结构不同的结构的沸石的沸石修补部34，修补沸石分离膜33的缺陷。沸石分离膜33及沸石修补部34是SiO2/Al2O3＝100以上的疏水性沸石。