一种银镍合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN114985507A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210436122.X

    申请日:2022-04-25

    摘要: 本发明提供了一种银镍合金及其制备方法,属于银镍合金技术领域。本发明提供的银镍合金的制备方法包括以下步骤:(1)将银熔化后加入镍镁中间合金进行合金化,然后进行连铸,得到合金圆杆;所述合金化的时间为0.5~5min;所述连铸的过冷度为Δ20~80℃;(2)对所述合金圆杆进行大塑性变形轧制,得到合金丝材;所述大塑性变形轧制的总变形量≥80%;(3)对所述合金丝材进行拉丝,得到银镍合金。实施例的结果显示,本发明提供的银镍合金包括5~20wt.%的镍、1~5wt.%的镁和余量的银,所述银镍合金含有呈纤维状分布的镍,银镍合金的抗拉强度≥340MPa,电阻率为2.0~2.3μΩ·cm。

    一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110699639B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201910837847.8

    申请日:2019-09-05

    摘要: 本发明属于半导体薄膜材料制备技术领域,尤其涉及一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、Sn层和ZnO层。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜由ZnS层、Sn层和ZnO层依次排列构成三明治结构,具有优异的光学吸收能力且其高光吸收系数一直保持到可见光区(次强度吸收峰位于可见光区);带隙窄、响应速度快。本发明使用的ZnS、Sn和ZnO半导体材料的晶格错配度小,所得ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料的内应力及缺陷较小;且以ZnO致密薄膜为包覆层起到了保护内部不易被氧化,从而延长了薄膜材料的使用寿命。

    一种石墨烯增强铝基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109518030B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201811557454.3

    申请日:2018-12-19

    IPC分类号: C22C1/10 C22C21/00 C22C32/00

    摘要: 本发明涉及一种石墨烯增强铝基复合材料的制备方法,属于复合材料技术领域。将熔融态的铝液与石墨烯粉共同经过双辊轧机采用真空双辊铸轧甩带方法获得铸轧薄带,接着将薄带剪切成小片,再经热压烧结、挤压拉拔或轧制工艺得到石墨烯增强铝基复合材料。本发明利用石墨烯独特的结构特性和高导电、导热等性能来提高铝基复合材料的综合性能,通过双辊铸轧甩带技术来实现石墨烯与铝基体的复合,以达到石墨烯均匀分布于基体中及连续、规模工业化生产目的。

    一种Ti微合金化低碳钢晶粒超细化方法

    公开(公告)号:CN110885925A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911307653.3

    申请日:2019-12-18

    IPC分类号: C21D8/00 C22C38/14 C22C38/12

    摘要: 本发明公开了一种Ti微合金化低碳钢晶粒超细化方法,其是将添加了辅助元素的低碳钛微合金化钢加热到1200℃~1250℃,并保温300s,而后冷却至1025~1075℃开始第一道次轧制;第一道次轧制完成2秒后,立刻进行第二道次轧制,第二道次轧制保持温度在1025~1050℃;第二道次轧制完成2秒后,立刻进行第三道次轧制,轧制后迅速喷水冷却至室温,即完成Ti微合金化低碳钢晶粒的超细化;本发明方法加入辅助元素后的Ti微合金化钢经三道次轧制,促发多次完全奥氏体再结晶,使奥氏体晶粒尺寸从100μm细化到10μm以下,显著细化了奥氏体晶粒尺寸。

    一种ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110724907A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910838720.8

    申请日:2019-09-05

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/35 C23C14/58

    摘要: 本发明属于纳米材料制备与光催化技术领域,尤其涉及一种ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、AlP层和Gap层。本发明提供的ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜由ZnS层、AlP层和Gap层依次排列构成三明治结构,具有窄的直接带隙(0.468eV)和高光吸收能力。由于ZnS/GaP、GaP/AlP、ZnS/AlP的晶格错配度很小,分别为0.756%、0.00917%、0.765%,使得该多层异质结构薄膜的畸变较小,结合后的内应力小,且其高光吸收系数一直保持到可见光区。

    一种银/石墨/石墨烯滑动电接触材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107695356B

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201710759776.5

    申请日:2017-08-30

    IPC分类号: B22F3/20 B22F3/10 C22C1/05

    摘要: 本发明涉及一种银/石墨/石墨烯滑动电接触材料的制备方法,属于滑动电接触材料技术领域。本发明通过沥青改善石墨与银基体的界面润湿性,通过沥青改善石墨烯在银基体中的分布状态,采用机械合金化、粉末烧结、塑形加工相结合的工艺来制备银/石墨/石墨烯滑动电接触材料。本发明方法可利用现有生产设备,投资少,生产成本低;能够充分改善石墨与银基体的界面润湿性,石墨烯在银基体中的均匀分布,最终获得自润滑性、导电良好的银基滑动电接触材料产品。

    一种Mo纳米颗粒增强银基电触头材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109022841A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810835221.9

    申请日:2018-07-26

    IPC分类号: C22C1/02 C22C5/06

    摘要: 本发明公开一种Mo纳米颗粒增强银基电触头材料的制备方法,在真空条件下,将纳米球形Mo粉加入到熔化的银熔体中,并通过电磁搅拌后浇注,获得Mo纳米颗粒增强银基电触头的锭坯,采用挤压后拉拔或轧制制备成丝材或带材;该方法的最大优点在于可通过现有的设备进行熔炼,前期投入少;而且Mo以颗粒形式均匀分布在银基体中,从而使得该Ag‑Mo电触头材料与传统的粉末冶金电触头材料相比,其耐电磨损性、延展性、耐电弧侵蚀性均好于传统电触头材料。

    一种银硫化钼滑动电接触材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106222474A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610742307.8

    申请日:2016-08-29

    摘要: 本发明公开一种银硫化钼滑动电接触材料的制备方法,属于滑动电接触材料技术领域。本发明所述方法通过对具有自润滑特性的纳(微)米粒度的MoS2粉体材料进行造粒,获得0.01mm~1.5mm左右的球型颗粒,并将该球型颗粒用环氧树脂粘结成不同形状的颗粒群,然后将这些不同形状的颗粒群粘结在模具的内表面;最后将熔化的银液浇注到成形模具中,以制备表面均匀分布着六边形或五变形或圆形等不同形状的具有自润滑特性的MoS2颗粒群的银基滑动电接触材料。该方法的优点是生产周期短、工艺简单,且无原料浪费、不需混粉、不需挤压和拉拔成型等工艺;而且由于采用浇注工艺,相对于目前所采用的粉末冶金技术制备的银硫化钼滑动电接触材料具有导电率、耐电磨损性好等优点。

    一种Ti/Fe合金板带的制备方法

    公开(公告)号:CN103343310B

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201310283934.6

    申请日:2013-07-08

    IPC分类号: C22F1/18

    摘要: 本发明涉及一种含Nb的α型Ti合金板带材的制备方法,属于钛基合金技术领域。首先通过熔炼制备含0.5~1.5 wt% Nb的钛基合金,然后通过结晶及均温处理后,采用控轧控冷技术获得高性能的Ti/Fe合金板/带产品。本发明是一种在可依赖于钢铁加工生产线的钛及钛合金加工技术,其特点是在通过成分调整的基础上,借助钢的控轧控冷技术来获得一定组织的高性能钛合金。其优点是不投入大量的生产设备基础上,制备出低成本、高性能的钛合金。