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公开(公告)号：CN111747386A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010609174.3
申请日：2020-06-28
申请人： 武汉工程大学
IPC分类号： C01B21/064 , C01B32/194 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种形貌可控的氮化硼纳米结构-石墨烯复合材料及其制备方法。其制备为：1)在去离子中依次加入纳米硼粉、螯合剂和钴盐制备硼-钴前驱体；将石墨烯加入到过渡金属硝酸盐溶液中制备硝酸盐-石墨烯粉体，过渡金属硝酸盐为硝酸钴、硝酸铁或硝酸镍，硝酸盐溶液浓度为0.001～0.1mol/L；2)硼-钴前驱体和硝酸盐-石墨烯粉体分别置于坩埚底部和上部，在氨气气氛下进行热处理，得到氮化硼纳米结构-石墨烯复合材料；氮化硼纳米结构为纳米管或纳米片。该方法制备的氮化硼纳米结构-石墨烯复合材料结构稳定，氮化硼纳米结构可在纳米管和纳米片之间调控变化，能满足不同领域对氮化硼纳米结构-石墨烯复合材料的要求。
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公开(公告)号：CN111018468A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911310053.2
申请日：2019-12-18
申请人： 武汉工程大学
IPC分类号： C04B28/14
摘要： 本发明涉及一种石膏砌块制备方法及由其制备的石膏砌块，1)浇注成型：将化学石膏、半水石膏和水拌和均匀后得到混合浆料，将混合浆料浇注模具中，静置凝固、脱模得到待蒸压砌块，所述化学石膏与半水石膏的质量比为(63-90)：(10～35)，所述混合浆料的含水率为29～35％；2)高温蒸压处理：将得到的待蒸压砌块堆码后在135～165℃下，高温蒸压2～10h；3)湿放养护：将蒸压处理后的砌块在相对湿度RH≥80％环境中，放置≥5天，得到石膏砌块。本发明以化学石膏为原料，以外加半水石膏为胶凝材料，可用以大宗消耗化学石膏，通过先成型-再蒸压制备得到高强石膏砌块，工艺简单、工艺过程节能环保。
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公开(公告)号：CN110952132A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911310050.9
申请日：2019-12-18
申请人： 武汉工程大学
摘要： 本发明涉及一种利用化学石膏制备硫酸钙晶须的方法及由其制备的硫酸钙晶须，包括如下步骤：1)浇注成型：将化学石膏、半水石膏晶须和水拌和均匀后浇注模具中，静置凝固得到石膏块，脱模得到待蒸压石膏块，所述化学石膏、半水石膏晶须和水的质量比为(41-61)：(11～23):(29～35)；2)高温蒸压处理：将得到的待蒸压石膏块堆码后，在135～200℃下，高温蒸压2～10h；3)后处理：将蒸压处理后的石膏块在60～200℃的热空气下烘干、碾粉得到硫酸钙晶须。基于申请的方法，可用以大宗消耗化学石膏并制备得到硫酸钙晶须，且工艺简单、成本低、绿色环保。
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公开(公告)号：CN107129006B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710507897.0
申请日：2017-06-28
申请人： 武汉工程大学
摘要： 本发明涉及一种基于碳化硅陶瓷膜的油水分离方法，该方法首先将含油废水超声分散，然后调节其pH至1‑13之间，接着以1个单位为步长测定不同pH值下含油废水的zeta电位和粒度，根据zeta电位值变化的拐点和粒度大小选取合适孔径的碳化硅陶瓷膜进行过滤。与现有技术相比，本发明通过对废水进行预处理(超声分散和调pH)，改变了颗粒表面的电荷量，使其zeta电位发生变化，降低了废水中油滴的稳定性，促进其团聚，达到了提高过滤效率的目的。
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公开(公告)号：CN109180221A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811255509.5
申请日：2018-10-26
申请人： 武汉工程大学
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，首先将氮化硅粉末和碳化硅粉末按照适当比例混合，添加无水乙醇在研砵中研磨，经清洗、干燥后将粉体装入匣钵中真空烧结，烧结温度为1900℃以上，保温时间为1h。本发明方法涉及的条件可控、操作简便、反应条件温和，所得碳化硅薄膜面积大且具有优异的稳定性，使得石墨模具寿命大大提高，为玻璃加热石墨模板改性技术提供了一条新途径，具有重要的经济和工程价值。
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公开(公告)号：CN105924231B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610286434.1
申请日：2016-05-03
申请人： 武汉工程大学
摘要： 本发明涉及电瓷绝缘子领域，具体涉及一种耐磨电瓷釉及其制备方法。一种耐磨电瓷釉，其特征在于它由电瓷釉料和纳米～亚微米粒径的无机耐磨粒子制备而成，电瓷釉料与纳米～亚微米粒径的无机耐磨粒子的质量比为100：1～8；上述电瓷釉料按干料质量计。本发明可提高电瓷表面釉层的耐磨性，应对大风沙的恶劣自然环境，同时避免更改企业现行生产工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104229888A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410484483.7
申请日：2014-09-19
申请人： 武汉工程大学
IPC分类号： C01G31/02
摘要： 本发明涉及微波等离子体改性二氧化钒粉体的制备方法，包括以下步骤：将M型二氧化钒粉体放入微波等离子体装置腔内，进行等离子体表面改性，其中，微波等离子体为甲烷和氮气，控制微波输入功率为150W～200W，腔内压强为1.5KPa～2KPa，改性时间为30min～90min。本发明的主要优点：通过等离子改性技术，制备一种以掺碳改性层为表面层、具有核壳结构的VO2纳米材料，充分利用改性层的相变诱导效应，实现VO2纳米粉体的低温相变，从而获得优异的热致变色性能。这种可根据温度调节太阳光透过率的智能玻璃，与低辐射、热反射玻璃、电致变色、光致变色等节能镀膜玻璃相比，具有跨地区、多季节适应性和更高的节能性价比。
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公开(公告)号：CN104193395A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410410783.0
申请日：2014-08-20
申请人： 武汉工程大学
IPC分类号： C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
摘要： 本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制碳化硅、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品，具有孔隙率可控，孔隙均匀的特点。
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公开(公告)号：CN104174298A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410412804.2
申请日：2014-08-20
申请人： 武汉工程大学
摘要： 本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅陶瓷支撑体制备；2)碳化硅中间层的制备；3)碳化硅膜层的制备，最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。本发明的有益效果在于：制得的碳化硅陶瓷膜材料，连通孔隙率高，气孔分布呈梯度，强度高、纯水通量高、耐强酸碱，不同层次界面粘结强度高，操作简便、成品率高。所制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料，抗折强度＞30MPa，纯水通量大于5m3/(m2h)，pH值耐受范围0-14。
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公开(公告)号：CN104030721A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410299601.7
申请日：2014-06-27
申请人： 武汉工程大学
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/63 , C04B35/565
摘要： 本发明涉及低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)将SiC粉末：SiC烧结助剂：无水乙醇：聚乙烯醇混合研磨，干燥，得到SiC多孔陶瓷烧制原料；2)采用挤出成型机制成多通道管状试件，再放入200℃马弗炉中预烧2h，随炉冷却，制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚；3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚，放入管式炉中，在氮气气氛下，按6℃/min的速度升温至200℃，再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃，并保温2h，完成后随炉冷却至室温，制得SiC多孔陶瓷。本发明的有益效果在于：具有高连通空隙率及高抗折强度，提升了其使用性能，并且可在较低的温度下烧结，节约了能源。
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