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公开(公告)号：CN118284724A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077329.0
申请日：2022-09-21
申请人： 普世物料公司
摘要： 提供了一种将原料转化为结晶度比原料高的生成材料的装置、方法和材料。该装置包括约束储器，该约束储器被配置为约束形成电阻性电气负载的原料，并且其质量为至少0.1kg。该装置还包括：电极，其被配置为通过原料传输电流以焦耳加热原料；压缩系统，其被配置为压缩原料以调节原料电阻；以及与电极电连接的交流(AC)功率源。该装置还包括电气控制器，用于控制输送到原料的电流。该方法还包括用原料填充约束储器、压缩原料、将原料电子连接到AC功率源、以及向电阻性负载施加电功率直至达到极限。
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公开(公告)号：CN118207617A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311791027.2
申请日：2023-12-25
申请人： 河南工业大学 , 河南工大高新产业技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种植物提取碳制备金刚石的方法，该方法主要是将植物碳源进行充分燃烧，将产生的气体经过碱溶和酸溶对CO2进行提纯，将CO2与石墨发生还原反应制备CO，随后将其与H2发生还置换产出碳粉，制备碳粉的纯度达到99.99%以上，满足合成金刚石碳源的需求，且其中的碳源来自植物、例如小麦杆、玉米芯等，通用性强，利用上述碳源制备的金刚石可以获得色泽D‑E级别、净度FL级别的金刚石。
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公开(公告)号：CN117410481B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311720045.1
申请日：2023-12-14
申请人： 河南众新储能科技有限公司 , 众新储能(天津)科技有限公司
IPC分类号： H01M4/36 , C30B29/22 , C30B1/10 , C30B1/12 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/58 , H01M10/0525 , C01G53/00 , C01B25/30 , C01F7/043
摘要： 本发明公开了一种高性能的纳米单晶正极材料及其制备方法。以二次球形前驱体为基体原料，首先通过液氮球磨法将前驱体进行充分破碎，得到粒度均匀的纳米级一次颗粒前驱体Ⅰ；然后一次颗粒前驱体Ⅰ与锂源混匀，加入植酸溶液与纳米铝粉形成胶体溶液，得到包覆改性后的高强度的前驱体Ⅱ；最后将前驱体Ⅱ在放电等离子体炉中烧结，得到高性能的纳米单晶正极材料。本发明提供的单晶材料前驱体，具有大小均匀，颗粒细小，颗粒强度高，增强了材料的循环稳定性。本发明利用等离子体的活化和快速升温烧结的综合作用，使得最终的产品具有氧空位、致密度高等特点，有利于显著提高材料的容量、倍率性能。
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公开(公告)号：CN117410481A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311720045.1
申请日：2023-12-14
申请人： 河南众新储能科技有限公司 , 众新储能(天津)科技有限公司
IPC分类号： H01M4/36 , C30B29/22 , C30B1/10 , C30B1/12 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/58 , H01M10/0525 , C01G53/00 , C01B25/30 , C01F7/043
摘要： 本发明公开了一种高性能的纳米单晶正极材料及其制备方法。以二次球形前驱体为基体原料，首先通过液氮球磨法将前驱体进行充分破碎，得到粒度均匀的纳米级一次颗粒前驱体Ⅰ；然后一次颗粒前驱体Ⅰ与锂源混匀，加入植酸溶液与纳米铝粉形成胶体溶液，得到包覆改性后的高强度的前驱体Ⅱ；最后将前驱体Ⅱ在放电等离子体炉中烧结，得到高性能的纳米单晶正极材料。本发明提供的单晶材料前驱体，具有大小均匀，颗粒细小，颗粒强度高，增强了材料的循环稳定性。本发明利用等离子体的活化和快速升温烧结的综合作用，使得最终的产品具有氧空位、致密度高等特点，有利于显著提高材料的容量、倍率性能。
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公开(公告)号：CN117248277A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311231957.2
申请日：2023-09-22
申请人： 山东省科学院新材料研究所
发明人： 郭龙锁
摘要： 本发明属超硬材料技术领域，尤其涉及用于制备ABC三心金刚石单晶的退火组件及制备方法，包括以下步骤：S1、制备氮掺杂金刚石单晶；S2、将氮掺杂金刚石单晶与退火组件组装完毕；S3、将所述退火组件放置在六面顶压机中，并设置工艺参数，进行退火。通过本发明制备的氮掺杂金刚石单晶，退火后获得的氮掺杂金刚石单晶基本完整，颜色分布均匀，极大的改善了晶体的质量，制备的氮掺杂金刚石单晶的氮原子同时以A心、B心和C心的形式存在，从而获得Ib‑Ia型类天然金刚石。
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公开(公告)号：CN117071069A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311081596.8
申请日：2023-08-25
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明提出了一种晶内富含非晶纳米氧化物颗粒的热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为AxBySbmDn，元素A包括F、Cl、Br、I、Yb或S，元素B包括Co、Fe、Ni或Bi，元素D包括Te或Sn；x的取值范围为0≤x≤1，y的取值范围为0≤y≤4，m的取值范围为0＜m≤12，n的取值范围为0≤n≤4；所述热电材料的晶体内均匀分布有非晶纳米氧化物颗粒。通过在烧结前对原料进行氧化处理，使原料表面具有一层非晶态的纳米氧化层，促使非晶纳米氧化物颗粒均匀分散在热电材料的晶粒内，实现热电材料的热电性能和机械性能的双重提升。
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公开(公告)号：CN116949550A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310810872.3
申请日：2023-07-04
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明涉及一种二维半导体材料合成装置，将两种或多种二维半导体材料密封在双重密封容器内，对所述双重密封容器内增压；将所述双重密封容器放入高压炉中,一边施加与所述双重密封容器内的压力相称的压力一边加热，以使待合成材料反应以直接合成准半导体材料；其中，所述双重密封容器包括由石英制成的内容器和石英容器，且所述内容器和所述石英容器之间设置有恒压机构；本发明对现有的二维半导体材料合成精准合成装置结构进行改进，改进后的半导体合成装置能够实现安瓿内外智能恒压的作用，从而防止安瓿内外压力差过大，避免安瓿发生破裂，从而延长安瓿的使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116926674A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311114855.2
申请日：2023-08-31
申请人： 江苏大学
摘要： 本发明公开了一种热电材料钴酸钡块状单晶及制备方法。所述钴酸钡块体单晶成分为BaxCoO2，其中0.1≤x≤0.5，BaxCoO2块体单晶呈CoO2层和Ba层交替排列的层状结构，为沿c轴(0001)方向生长的纯相样品。制备方法为：将钴酸钠NaxCoO2单晶前驱体，和硝酸钡粉体以及熔融盐通过在密闭高温高压反应釜内采用离子交换法制备钴酸钡块体单晶。所得的BaxCoO2块体单晶材料是一种新型氧化物基高温热电材料，具有较高的空气高温稳定性和耐久度。BaxCoO2块体单晶作为一种新型热电材料，扩展了钴酸盐热电材料的种类，解决了BaxCoO2材料受限于多晶块体和外延薄膜的问题，并且制备成本低、无污染，稳定，具有良好的高温应用前景。
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公开(公告)号：CN116876068A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310667389.4
申请日：2023-06-07
申请人： 江西峰竺新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种硫酸钙晶须的制备方法及硫酸钙晶须，该方法包括：配置浸泡溶液，将天然纤维石膏放置到浸泡溶液中，加热到预设温度后浸泡预设时间；将天然纤维石膏取出并撒上设定质量比的晶体定向生长引导剂在天然纤维石膏表层后放入蒸压釜中进行设定条件的生长。对生长后的天然纤维石膏在设定温度下及时进行破碎处理成棉絮状后，并通过热风风选的方式收料制得初始晶须；将初始晶须通过高温煅烧脱去剩余的结晶水，得到不含任何结晶水的高长径硫酸钙晶须。本发明解决了现有技术中的硫酸钙晶须长径比低、晶须结构不够完整的问题。
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公开(公告)号：CN116397313A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211600690.5
申请日：2022-12-12
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明提供了一种利用顶部‑内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法，包括如下重要步骤：制备籽晶、固相先驱块(内部设置籽晶)、液相先驱块、支撑块，装配胚体；装配完成后，采用顶部‑内部籽晶熔渗生长方法制备织构钇钡铜氧块材；最后对织构钇钡铜氧块材进行渗氧处理，渗氧处理后得到钇钡铜氧超导块材。本发明提供的方法除了进一步缩短大尺寸钇钡铜氧超导块材的制备时间，也可提高样品的机械强度、超导性能及其均匀性。
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