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公开(公告)号：CN108731824B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710259258.7
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波波长检测装置，其包括；一太赫兹接收装置，其用于接收太赫兹波；一调制装置，其用于调制太赫兹波，所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管；一与该调制装置连接的移动装置，其用于控制所述调制装置，使该调制装置设置于该太赫兹波接收装置的入射面上或偏离该入射面；以及一与该太赫兹波接收装置连接的计算机，所述计算机内部存储有太赫兹波对该碳纳米管结构的穿透率与波数的关系数据作为第一标准数据，所述计算机用于计算被检测的太赫兹波对该调制装置的穿透率曲线与波数的关系，并将计算结果与所述第一标准数据进行比对从而获得该被检测的太赫兹波的波长范围。
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公开(公告)号：CN108345094B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710059417.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02B17/06
Abstract: 一种混合表面离轴三反光学系统，包括：主镜，次镜，三镜，以及图像传感器，在空间中定义一第一三维直角坐标系(x1，y1，z1)，在空间中相对于第一三维直角坐标系(x1，y1，z1)，以所述主镜所在的空间定义一第二三维直角坐标系(x2，y2，z2)；以所述次镜所在的空间定义一第三三维直角坐标系(x3，y3，z3)；以所述三镜所在的空间定义一第四三维直角坐标系(x4，y5，z4)；在所述第二三维直角坐标系(x2，y2，z2)中，所述主镜的反射面为一6次的x2y2多项式自由曲面；在所述第三三维直角坐标系(x3，y3，z3)中，所述次镜的反射面为一6次的x3y3非球面；在所述第四三维直角坐标系(x4，y4，z4)中，所述三镜的反射面为一x4y4球面。
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公开(公告)号：CN108227164B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201611213649.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02B17/06
Abstract: 本发明涉及一种自由曲面离轴三反像方远心光学系统，包括：一主反射镜、一次反射镜、一第三反射镜以及一图像传感器；所述主反射镜用于将物方发来的光线反射，形成一第一反射光；所述次反射镜用于将第一反射光二次反射，形成一第二反射光；所述第三反射镜用于将第二反射光再次反射，形成一第三反射光；所述图像传感器用于接收所述第三反射光并成像。所述主反射镜的反射面为一4次多项式自由曲面，次反射镜以及第三反射镜的反射面均为一6次多项式自由曲面。系统采用消遮拦的离轴反射式结构，且近似像方远心。
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公开(公告)号：CN108132585B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201611093544.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板的表面上的一复合层；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述第二基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；从所述光刻胶层的表面上移除所述光刻掩模板，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，得到一图案化的光刻胶微纳米结构。
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公开(公告)号：CN110676341A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810713762.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/109
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，其包括：一半导体层，该半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一根金属型碳纳米管，该至少一根金属型碳纳米管设置于所述半导体层的第一表面；至少一石墨烯层，该至少一石墨烯层设置于所述半导体层的第二表面，使所述半导体层设置于所述至少一根金属型碳纳米管和所述至少一石墨烯层之间，所述至少一根金属型碳纳米管与所述至少一石墨烯层纵横交叉设置，而形成至少一个交叉层叠区域，在每一个交叉层叠区域，所述金属型碳纳米管、所述半导体层及所述石墨烯层相互层叠形成一多层立体结构。本发明还涉及一种光电器件、一种光探测器及一种光谱仪。
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公开(公告)号：CN110660973A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810711909.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/78 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及可拉伸复合电极的制备方法，包括：沿第一方向和第二方向对一弹性基底进行预拉伸；在该弹性基底表面铺设一碳纳米管活性物质复合层，包括：将第一碳纳米管膜状结构铺设在弹性基底的表面，该第一碳纳米管膜状结构包括多个层叠设置的超顺排碳纳米管膜；向该第一碳纳米管膜状结构远离弹性基底的表面加入第一活性物质层；在该第一活性物质层远离弹性基底的表面铺设第二碳纳米管膜状结构，该第二碳纳米管膜状结构包括多个层叠设置的超顺排碳纳米管膜；以及撤掉弹性基底的预拉伸，在碳纳米管活性物质复合层的表面形成多个褶皱。
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公开(公告)号：CN109427984B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710765652.8
申请日：2017-08-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面，该碳纳米管复合结构包括一聚合物和分散在该聚合物中的多个第一碳纳米管，该多个第一碳纳米管的部分表面从所述聚合物的第二表面暴露出来；在所述第二表面设置一有机发光层；在所述有机发光层远离所述碳纳米管复合结构的表面依次层叠设置一空穴传输层、一阳极电极；以及在所述第一表面设置一阴极电极。
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公开(公告)号：CN109428010B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710766482.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一预制结构，该预制结构由一阳极电极、一空穴传输层和一有机发光层依次层叠设置在一支撑体上形成；提供一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一聚合物和多个第一碳纳米管，该多个第一碳纳米管分散在所述聚合物中且长度延伸方向相互平行，所述多个第一碳纳米管的部分表面从所述聚合物中暴露出来；提供一阴极电极；以及将所述预制结构、所述碳纳米管复合结构和所述阴极电极依次层叠设置。
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公开(公告)号：CN107402184B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610336946.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明公开了一种观测纳米结构表面电荷分布的方法，包括以下步骤：S1，提供一待测样品，该待观测样品设置于一绝缘基底表面；S2，在该待测样品的表面及周边形成一层带电纳米微粒；S3，向该待测样品表面通入蒸气；以及S4，利用光学显微镜观测所述带电纳米微粒在所述待测样品周边的分布情况，判断所述待测样品的表面电荷分布。利用本发明提供的方法可以更加高效、简便、低成本的获得纳米结构表面电荷分布情况。
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公开(公告)号：CN107785524B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610799889.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种锂硫电池隔膜的制备方法，包括以下几个步骤：S1：提供一隔膜基底；以及S2：形成一功能层于所述隔膜基底的至少一个表面，所述功能层的形成方法包括：S21：在隔膜基底的至少一个表面铺设一第一碳纳米管层；S22：提供多个二氧化锰纳米颗粒及多个氧化石墨烯片，将所述多个二氧化锰纳米颗粒以及多个氧化石墨烯片分散在一溶剂中得到一混合物，将混合物均匀沉积在该第一碳纳米管层的表面形成一第一氧化石墨烯复合层；S23：在所述第一氧化石墨烯复合层的表面铺设一第二碳纳米管层；S24：在第二碳纳米管层的表面形成一第二氧化石墨烯复合层。
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