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公开(公告)号：CN113645539B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110895496.3
申请日：2021-08-05
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明提供一种静水压力补偿装置及其工作参数计算方法，静水压力补偿装置用于电声换能器，包括壳体结构、弹性隔膜，壳体结构用于与电声换能器固定连接；壳体结构围成第一腔体，弹性隔膜将第一腔体分为相互不连通的第一空腔、第二空腔；朝向第一空腔的壳体结构上开设有第一通孔，第一通孔用于与电声换能器内腔连通；朝向第二空腔的壳体结构上开设有第二通孔；电声换能器和/或朝向第一空腔的壳体结构上开设有充气口，充气口与阀门一侧端口连接，阀门另一侧端口用于与外部充气装置连接。本申请不需要精密的压力控制系统即可实现较高的换能器工作水深，安装方便快捷，制作及维护成本低廉，具备高可靠性、高补偿速度以及高补偿精度。
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公开(公告)号：CN112448652B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011262756.5
申请日：2020-11-12
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明属于驱动控制技术领域，提供了一种两级式交错并联电驱控制器，用于连接电机，其包括储能单元，用于输出输入电压；直流变换单元与储能单元连接，用于根据输入电压和第一脉冲宽度调制信号输出母线电压；逆变单元与直流变换单元和电机连接，用于根据母线直流电压和第二脉冲宽度调制信号输出三相电流以驱动电机；反馈单元与直流变换单元、逆变单元以及电机连接，用于检测母线直流电压并输出电压检测信号，用于检测逆变单元的相电流并输出电流检测信号，用于检测电机的转速并输出角速度信号；控制单元与直流变换单元、逆变单元以及反馈单元连接，用于根据电压检测信号、电流检测信号以及角速度信号输出第一脉冲宽度调制信号和第二脉冲宽度调制信号。
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公开(公告)号：CN113073249A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110215352.9
申请日：2021-02-26
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明公开了一种 + 择优取向超磁致伸缩材料TbxDy1‑xFey的制备方法，包括以下步骤：S1:熔炼母合金，按设计的合金成分进行配料，将原料进行电弧熔炼或感应熔炼，制得母合金，去除母合金表面氧化层，并采用机械方法将母合金碎化，制得TbxDy1‑xFey（超磁致伸缩材料）碎料，S2：定向凝固，将步骤S1中制备得到的TbxDy1‑xFey母合金放入定向生长炉内的坩埚中，先将炉内真空度抽至10‑1‑10‑3 Pa，再充入高纯氩气保护气体至1.2×105 Pa，重复4次后，在恒压1.2×105 Pa下持续保持高纯氩气保护气体通入，将炉温缓慢加至1400℃。本发明在制备过程中通过调节定向凝固温度梯度和定向凝固速度得到具有高度 + 择优取向的超磁致伸缩材料TbxDy1‑xFey，并且该材料具有 方向和 方向相结合的优点。
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公开(公告)号：CN118900021A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411391367.0
申请日：2024-10-08
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法，所述电路包括直流电源、杂散电感、SiC MOSFET管QM、耦合线圈以及SiC MOSFET并联模块；SiC MOSFET并联模块包括多条支路，每条支路包括依次串联的第一耦合电感、第二耦合电感和SiC MOSFET管Qi，第1条支路的第一耦合电感与最后一条支路的第二耦合电感负耦合，第i条支路的第一耦合电感与第i‑1条支路的第二耦合电感负耦合，第i条支路的第二耦合电感与第i+1条支路的第一耦合电感负耦合。本发明解决了并联的SiC MOSFET管电流不均的问题和开关振荡问题。
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公开(公告)号：CN113871515B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111145683.6
申请日：2021-09-28
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
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公开(公告)号：CN116861833B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311100643.9
申请日：2023-08-30
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06N3/006
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质，所述构建方法包括根据SiC MOSFET的静态特性和温度特性构建SiC MOSFET的沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结构参数构建导通电阻模型；根据漏源电压、栅源电压以及温度，构建SiC MOSFET的非线性寄生电容模型；根据所述沟道电流模型、导通电阻模型以及非线性寄生电容模型构建SiC MOSFET物理模型；识别出所述SiC MOSFET物理模型的参数。本发明构建的模型具有更高的准确性和普适性，为包含SiC MOSFET器件的电力电子系统仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN117195665A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311471667.5
申请日：2023-11-07
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/02 , G06F119/04
摘要： 一种功率半导体器件键合线的寿命预测模型构建方法，包括：设计功率循环老化实验，获得器件不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动；建立不同裂纹长度键合界面的器件3D模型，并在不同裂纹长度键合界面的器件3D模型下，进行有限元仿真，获取键合界面的不同温度波动∆T，以及各温度波动∆T下键合界面对应的应变强度因子DK；根据裂纹长度l及相应的∆T、相应的DK，拟合出DK关于∆T及l的函数关系式；根据DK关于∆T及l的函数关系式，及步骤1中不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动，获得键合界面的功率循环周期数关于温度波动及裂纹长度的函数关系式。本发明预测精度高，通用性较好。
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公开(公告)号：CN117012739A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310949906.7
申请日：2023-07-31
申请人： 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种具有散热结构的功率模块，散热结构包括散热器；所述散热器内底面上形成第一冷却区域、第二冷却区域，键合线的位于芯片上表面的每个跟脚在散热器内底面的投影均位于第二冷却区域；第一冷却区域中在第二方向相邻设置的两个第一隔板之间形成第一冷却液通道；第二冷却区域中在第二方向上相邻的两个凸起结构之间形成第二冷却液通道；w2/L2≥w1/L1，w2≤w1，L2≤L1/2，L1为所述第一隔板在第二方向上的尺寸，L2为所述凸起结构在第二方向上的尺寸；w1为所述第一冷却液通道的宽度，w2为所述第二冷却液通道的宽度；所述散热器的外壳还开设有冷却液入口、冷却液出口。
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公开(公告)号：CN116384324B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310652036.7
申请日：2023-06-05
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/3953 , G06F30/23 , H01L23/49 , G01B21/32 , G06F115/02 , G06F119/14
摘要： 本发明提供一种功率模块及键合线材质确定方法。功率模块的封装结构具有IGBT芯片、上铜层，IGBT芯片与上铜层通过K根键合线相互连接，m根键合线为第一材料，其它K‑m根键合线为第二材料，第一材料的机械强度大于第二材料的机械强度；m为满足第一条件的键合线的个数；K根键合线在仿真中均采用第二材料；第一条件为：键合线测量位置在预设运行时间内的最大塑性应变值大于或等于预设应变值；或者m为预设值，m为满足第二条件的键合线的个数；第二条件为：键合线测量位置在预设运行时间内的最大塑性应变值在各根键合线对应的最大塑性应变值的由大到小的排名中位于前m名。
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公开(公告)号：CN116388546B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310658846.3
申请日：2023-06-06
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H02M1/34
摘要： 本发明公开了一种利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法，所述电路包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、耦合线圈、寄生电感以及负电感模拟器；SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2依次连接并与直流母线连接构成功率回路，耦合线圈的一次侧电感串联于功率回路中，耦合线圈的二次侧电感与负电感模拟器串联构成二次侧回路；根据负电感模拟器的等效电感与耦合线圈、寄生电感之间的关系来确定负电感模拟器的等效电感，从而确定负电感模拟器中无源元件的参数。本发明可以利用负电感模拟器的等效电感来消除功率回路中的寄生电感，实现开关振荡抑制的目的。
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