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公开(公告)号：CN115786855A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211585099.7
申请日：2022-12-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料领域，具体为一种外延钇掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法。本发明以STO为衬底、LSMO为缓冲层，通过改变YHO的生长工艺调控同一衬底上YHO的外延取向，分别得到纯正交相(002)的外延钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料以及同时含正交相(111)和正交相(002)的双取向YHO铁电薄膜材料。本发明所提供钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料，通过特定工艺对YHO铁电薄膜材料进行取向控制，解决了外延钇掺杂铪基铁电薄膜仅能单取向生长在特定衬底导致应用受限的问题，有利于进一步探索其生长机理以及提升相应铁电器件的发展应用。
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公开(公告)号：CN115561922A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211108748.4
申请日：2022-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112526776A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011523579.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于氧化硅基平面光波导的磁光非互易器件。本发明采用氧化硅基平面光波导，利用氧化硅基平面光波导低折射率对比度的特点，并通过结合模斑耦合器设计端面波导尺寸，调节氧化硅基平面光波导的端面光斑尺寸，使其与入射模斑趋于一致，有效避免因较大耦合损耗导致的系统信噪比下降等问题。本发明大大降低了集成光学非互易器件与光纤的端面耦合损耗，有效避免了当前领域采用硅波导因较大的耦合损耗导致的系统信噪比下降等问题，并提供了进一步进行端面光纤封装，提高整体器件性能的更优的方案，对降低器件整体损耗，提高信噪比，降低集成光学系统的体积、重量、成本等具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107870456B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201711232362.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MZI型磁光隔离器。本发明通过两臂波导段的设计:(1)两臂波导采用弯曲折叠的多U型波导结构，有效减小器件长度；(2)通过在两臂波导光传播方向不同的波导段覆盖磁光层即非互易波导的设置，实现在单向磁场下工作。两波导臂非互易波导处于不对称的位置，光波分别从不同方向经过非互易波导，这样就可以在施加单向磁场的情况下工作。本发明最终通过设计器件结构，实现了单向磁化下的MZI光隔离器结构，简化了磁场施加方法，使器件容易制备和封装；通过对波导的弯曲折叠，减小了器件的长度。
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公开(公告)号：CN110941109A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911410056.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态，实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构，以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度，具有良好的局域性，从而大大降低器件尺寸，具有较小的损耗；可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器；并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理；可以显著提高加工容差，具有良好的稳定性和可拓展性；可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109440071A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50-60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100-150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50-80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN105714379B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610107438.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域,具体涉及种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法。本发明通过改变稀土掺杂钇铁石榴石薄膜生长过程中的激光能量密度1.8J/cm至4.0J/cm、薄膜沉积温度400℃至850℃以及薄膜沉积气压1mTorr至20mTorr。将在硅基底上生长钇铁石榴石薄膜中的稀土掺杂浓度由原来的33%提高到了50%,材料在光通信1550nm波长的法拉第旋光常数由2800度/厘米提升为6000度/厘米,极大的增强了材料的磁光性能。
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公开(公告)号：CN106841119A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611239414.5
申请日：2016-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/553
Abstract: 磁光等离子生物传感器，属于光学传感领域，特别涉及磁光表面等离子共振技术。本发明包括二氧化硅衬底和金层，在二氧化硅衬底上，在衬底和金层之间，至衬底至金层方向依次设置有：氮化钛层、二氧化硅层、钇铁石榴石层、掺铈钇铁石榴石层。本发明的有益效果是，结构新颖，品质因子高，材料稳定，不易氧化，结构简单，成本低。
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公开(公告)号：CN204004368U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420279038.2
申请日：2014-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 超高压密封抗漏抗渗连接头，涉及机械技术，特别涉及连接件技术。本实用新型包括螺母段和螺母段两侧的外螺纹管，其特征在于，在外螺纹管的端面设置有凹槽，外螺纹管的孔口位于凹槽内，或者，凹槽环绕外螺纹管的孔口设置。本实用新型的有益效果是，较现有技术，在超高压环境下具有更好的密封性。由于本实用新型给弹性密封件留有一个最低压缩余量，能够有效的保护密封线圈，使其不被过分挤压变形，从而能够长久持续的保持密封状态。
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