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公开(公告)号：CN114823774A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110130673.9
申请日：2021-01-29
申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司
摘要： 本申请公开了超导电路、量子比特装置及其制备方法，属于量子芯片制备技术领域。所述超导电路包括：待连接结构；引出结构，所述引出结构与约瑟夫森结的超导层电连接；以及过渡结构，所述过渡结构覆盖部分所述待连接结构和部分所述引出结构以实现电连接。还公开了制备该超导电路的制备方法。所述超导电路及其制备方法能够实现约瑟夫森结与待连接结构(例如，对地电容、接地层(GND))良好的电性接触。从而解决了相关工艺制备的约瑟夫森结与对地电容、接地层(GND)等待连接结构的电性接触不良，从而影响到超导量子芯片的性能参数的问题。
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公开(公告)号：CN114667608A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080077908.6
申请日：2020-11-10
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区(240，2150)。在注入之后使用蚀刻工艺，感测区和超导体层的器件区的邻近隔离区的部分被暴露。通过在感测区内沉积第一金属层形成隧道结栅极(204)。包括反射测量区内的第二金属的反射测量导线(202)被形成。纳米柱触点(206，212)使用器件区的感测区外的部分内的第二金属来形成。
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公开(公告)号：CN113169437B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201980076395.4
申请日：2019-11-22
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
摘要： 非线性微波滤波器包括量子比特，量子比特形成于形成有目标量子比特的电路基板，并且与目标量子比特所耦合的控制用波导耦合，目标量子比特是在超导量子电路中受到控制的量子比特，量子比特与控制用波导的波导端部的距离处于从共振波长的半整数倍起算的规定范围内，量子比特具有与目标量子比特的共振频率的差处于规定范围内的共振频率，量子比特与控制用波导的耦合仅比目标量子比特与控制用波导的耦合大规定值。
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公开(公告)号：CN114175288A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201980098818.2
申请日：2019-07-29
申请人： 微软技术许可有限责任公司
摘要： 提供了一种用于制造器件的方法。在衬底(10)的顶表面上，第一沉积材料的第一层(22)被形成。所述第一沉积材料的所述第一层被图案化以创建剩余第一沉积材料的种子图案(24)。同质外延被用于在所述种子图案上生长所述第一沉积材料的第二层(26)。
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公开(公告)号：CN113892117A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080037604.7
申请日：2020-06-15
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 使用第一芯片(302)和第二芯片(306)形成量子计算装置，第一芯片具有第一衬底(303)、第一组焊盘(312A，B)和设置在第一衬底上的一组约瑟夫逊结(304)。第二芯片具有第二基板(307)、与第一组焊盘相对地设置在第二基板上的第二组焊盘(308)、以及形成在第二组焊盘的子集上的第二层(310)。第二层被配置为接合第一芯片和第二芯片。第二组焊盘的子集对应于一组约瑟夫逊结的被选择以避免一组量子位中的量子位之间的频率冲突的子集。使用约瑟夫逊结的子集中的约瑟夫逊结和不在被致使不可用于形成量子位的子集中的另一个约瑟夫逊结来形成量子位。
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公开(公告)号：CN113646777A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080024902.2
申请日：2020-03-16
IPC分类号： G06N10/00 , B82Y10/00 , H01L27/18 , H01L29/775 , H01L27/02
摘要： 一种系统及使用所述系统的方法，所述系统包括支撑液态氦膜及受垂直于氦膜的表面的方向的映射力限制的电子子系统的基板、以静电限制所述电子子系统的边界的侧栅极、以静电限制位于所述电子子系统的边界外部的电子陷阱的陷阱栅极以及用于选择性地开启及关闭从所述电子子系统到所述电子陷阱的通道的负载栅极，其中开启对所述电子陷阱的访问是向所述负载栅极施加第一负载栅极电压，以允许电子进入所述电子陷阱，而且关闭对所述电子陷阱的访问是向所述负载栅极施加第二负载栅极电压，以防止电子进入所述电子陷阱。
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公开(公告)号：CN113632233A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080021686.6
申请日：2020-03-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/18 , G06N10/00 , H01L23/532 , H01L39/02 , H01L39/24
摘要： 在沉积在衬底(312)的第一表面上的第一超导层(316)上，图案化谐振器的第一部件。在沉积在所述衬底(312)的第二表面上的第二超导层(326)上，图案化所述谐振器的第二部件。第一表面和第二表面以非共面布置相对于彼此布置。在该衬底中，产生凹槽，该凹槽从第一超导层延伸到第二超导层。在所述凹槽的内表面上沉积第三超导层(322)，所述第三超导层在所述第一超导层和所述第二超导层之间形成超导通路。从所述第一表面和所述第二表面去除所述第三超导层的过量材料，形成完成的硅通孔TSV 320。
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公开(公告)号：CN113412541A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013434.9
申请日：2020-01-20
申请人： 国际商业机器公司
发明人： E·P·莱文多沃斯基 , 罗载雄 , N·T·布龙
摘要： 一种量子装置包括形成在衬底(302，302A)上的第一组突出部(304)以及形成在量子位芯片(310)上的第二组突出部。量子装置还包括形成在中介件(306)上的一组凸块(308)，该组凸块由在室温范围具有高于阈值延展性的材料形成，其中，该组凸块中的第一子组被配置为冷焊接至第一组突出部，并且该组凸块中的第二子组被配置为冷焊接至第二组突出部。
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公开(公告)号：CN112997594A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980072373.0
申请日：2019-10-30
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 在一个实施例中，一种设备包括在第一稀释冰箱阶段中的第一高密度接口，第一高密度接口被配置为接收第一组传输线。在本发明的一个实施例中，一种设备包括在第二稀释冰箱阶段中的第二高密度接口，第二高密度接口被配置为接收第二组传输线。在一个实施例中，一种设备包括印刷电路板，印刷电路板被配置为在第一稀释冰箱阶段和第二稀释冰箱阶段之间传送微波信号，第一高密度接口和第二高密度接口耦合到印刷电路板。
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公开(公告)号：CN111200057B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010021481.X
申请日：2020-01-09
申请人： 中国计量科学研究院
IPC分类号： H01L39/24 , H01L39/22 , H01L39/02 , H01L39/12 , H01L27/18 , C23C14/06 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/54 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/52
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结阵列制备方法、约瑟夫森结阵列以及电子器件。本申请提供多元材料叠层应变、刻蚀剖面形貌一体调控工艺，攻克了量子电压芯片工艺技术瓶颈，实现了对薄膜的应力调节和叠层应力匹配，使得薄膜的整体应力减小，解决晶面断裂问题，有利于提高薄膜性能。通过调控Nb溅射功率或/和Si溅射功率，实现对NbxSi1‑x层中Nb和Si的成分比例的调节，精确调整电阻率，使其为正常态金属属性。通过调控刻蚀气体的比例和光学终点探测方法，实现了对刻蚀进程的精确稳定控制。在工艺中提供带有各种测试、监测功能的片上单元设计，实现芯片制备中及完成后的多参数检测，全链条严格把控工艺过程，提高了约瑟夫森结阵列的性能及稳定性。
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