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公开(公告)号：CN110416413B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910684562.5
申请日：2019-07-26
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明公开了一种高性能梯度电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金属电极，所述的金属氧化物电子传输层是利用射频磁控溅射和直流磁控溅射共溅射方法沉积而成的同质结叠层结构。本发明工艺简单、均匀性好、重复性好且钙钛矿太阳电池效率较高。
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公开(公告)号：CN118714906A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410504135.5
申请日：2024-04-25
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种辛基膦酸掺杂的准二维钙钛矿薄膜、制备方法与发光二极管，其中准二维钙钛矿薄膜包括准二维钙钛矿和辛基膦酸；所述二维钙钛矿的分子式为R2MA0.5Cs0.5PbBr3，其中R为苯乙基胺离子PEA+。所述发光二极管自下而上依次包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。上述准二维钙钛矿薄膜在发光二极管中作为发光层。与现有技术相比，本发明可以显著降低准二维钙钛矿薄膜表面的粗糙度，降低缺陷密度，最终得到致发光量子产率较高的薄膜和外量子效率较高的发光二极管。
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公开(公告)号：CN118702851A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410795750.6
申请日：2024-06-19
申请人： 北京理工大学
IPC分类号： C08F120/06 , C08F8/32 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/30
摘要： 本发明涉及一种多动态氢键聚合物的应用、钙钛矿光吸收层及柔性钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。多巴胺接枝在聚丙烯酸(PAA‑DA)中构建了一种多动态氢键(MDHB)网络，该聚合物作为掺杂剂加入钙钛矿光吸收层中，进而用于柔性钙钛矿太阳能电池中，该聚合物中PAA的长链通过其柔韧性和空间占据，降低了钙钛矿光吸收层与衬底之间的热膨胀系数不匹配，进而减轻了温度变化引起的界面应力。DA支链提供了多个动态氢键位点，使钙钛矿光吸收层的杨氏模量显著降低，有助于增加柔性器件在应力变形过程中的能量耗散。MDHB网络促进钙钛矿在顶部和埋藏界面的完全转化，钝化缺陷，抑制其太阳能器件内部非辐射复合。
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公开(公告)号：CN118591198A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410725673.7
申请日：2024-06-05
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳电池及其制备方法，涉及太阳电池技术领域。该结构包括柔性透明导电基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、钝化层、空穴传输层和金属电极。采用乙脒盐酸盐添加剂对氧化锡电子传输层的表面以及钙钛矿薄膜内部进行改性处理，该添加剂的引入可大幅降低界面非辐射复合损耗、降低钙钛矿薄膜表面或内部的缺陷密度、抑制光吸收层与空穴传输层界面的离子迁移和性能衰退，增强了钙钛矿薄膜的内建电场，有效提升了载流子传输性能，同时还可以起到隔离水汽、氧气的作用，抑制钙钛矿的分解，最终提升了器件的光电转换效率和长期稳定性，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118524719A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410826866.1
申请日：2024-06-25
申请人： 云南师范大学
摘要： 本申请涉及钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种活性层两侧掺杂的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括依次排布的金属电极层、空穴传输层、活性层、电子传输层、透明电极层。活性层在电子传输层一侧和空穴传输层一侧分别设置第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区内掺杂的材料为钝化材料；在活性层内靠近活性层边界处，钝化材料的浓度高，在活性层内靠近活性层中心处，钝化材料的浓度低。本发明的构思是在钙钛矿太阳能电池的活性层两侧分别设置第一掺杂区和第二掺杂区，通过掺杂不同的钝化材料，并使其扩散到活性层内，从而同时解决界面缺陷、环境稳定性和机械强度等问题，在钙钛矿太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118368915A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410305037.9
申请日：2024-03-18
申请人： 陕西科技大学 , 陕西新航佳成电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种小分子掺杂的钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域。小分子掺杂的钙钛矿发光二极管包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极界面修饰层和阴极，其中发光层为掺杂Bphen的钙钛矿层，发光层中Bphen的掺杂量为0.03～0.08mol％，本发明通过调控钙钛矿前驱液中Bphen的掺杂比例，在提高器件发光层中载流子平衡的同时抑制界面损耗，得到电‑光转换效率提高的钙钛矿发光器件。
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公开(公告)号：CN118354621A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410409017.6
申请日：2024-04-03
申请人： 南京大学
发明人： 陈尚尚
摘要： 本发明公开了一种有机半导体纳米粒子钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的有机半导体纳米粒子在钙钛矿前驱体溶液中具有更好的分散性和相容性，可以简便地添加到钙钛矿前驱体溶液中从而实现对钙钛矿薄膜体相的有效钝化，解决传统有机半导体材料与钙钛矿前驱体溶液相容性差、钝化效果仅局限在钙钛矿薄膜表面的问题，从而实现基于有机半导体纳米粒子的高效稳定钙钛矿光电器件。该有机半导体纳米粒子的合成方法简单快捷，反应条件温和，将得到的有机半导体纳米粒子溶于甲醇、乙醇、异丙醇、2‑甲氧基乙醇、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、N‑甲基吡咯烷酮等单一或混合溶剂，通过旋涂、刮涂、狭缝涂布、浸涂、喷涂等工艺加工成薄膜，进而制备基于有机半导体纳米粒子的钙钛矿光电器件。本申请既有重要的科学意义，也有极高的工业价值。
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公开(公告)号：CN118284116A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211737957.5
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 罗强
摘要： 本申请实施例公开了一种光电器件及其制作方法、显示面板，光电器件包括：层叠设置的电子功能层和阴极，阴极的材料采用惰性化处理制备而成；和/或，电子功能层包括电子传输子层以及钝化子层，钝化子层位于电子传输子层与阴极之间，钝化子层的材料包括金属硫化物或二氧化钛，本申请提供的光电器件，通过阴极的材料采用惰性化处理以降低阴极的表面分子的活性，和/或，在电子传输子层与阴极之间形成钝化子层，钝化子层的表面分子活性降低或失活，减少或避免了表面分子的游离，有利于从阴极和/或从电子功能层方面避免阴极与电子功能层之间形成复合界面，提升了电子迁移率并改善了光电器件的性能。
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公开(公告)号：CN118284087A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211734171.8
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/12 , H10K50/165 , H10K50/17 , H10K50/155 , H10K71/30 , H10K59/12 , H10K71/10
摘要： 本申请公开了一种薄膜及其制备方法、光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的薄膜的制备方法，将所述第一膜层置于包含气态的目标配体的所述第一气流中，所述目标配体能够快速与暴露的所述无机颗粒的表面配位连接，以及所述目标配体能够与原本连接在所述无机颗粒的表面的所述第一配体进行配位交换，而配位交换后从所述无机颗粒表面脱落的所述第一配体则被所述第一气流带走，从而使配体交换的平衡向更多的所述目标配体连接的方向移动，从而大幅提升所述目标配体的交换效率，提高所述薄膜中配位连接的所述目标配体的数量，而更多的所述目标配体连接至所述无机颗粒的表面，能够对所述无机颗粒表面进行修饰，减小表面缺陷，提高所述薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN118270733A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211724230.3
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
发明人： 梁文林
IPC分类号： C01B13/14 , H10K50/165 , H10K50/16 , H10K71/30 , H10K50/17 , C07C209/36 , C07C211/61 , C07C25/22 , C07C17/14
摘要： 本申请公开一种复合材料、复合材料的制备方法、发光器件及其制备方法与电子设备，所述复合材料包含经心环烯和/或心环烯的衍生物修饰的第一金属氧化物，所述复合材料的制备方法包括步骤：提供碱液以及包含金属盐的分散液，分散液还包含心环烯和/或心环烯的衍生物，然后在惰性气体氛围下，将碱液和分散液混合反应，获得包含复合材料的产物，具有制备工序简单、适用于大规模工业化生产的优点，所述发光器件中电子功能层的材料包含所述复合材料或所述复合材料的制备方法制得的复合材料，有利于提升了发光器件的发光效率和性能稳定性，并且有利于延长发光器件的使用寿命。
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