公开(公告)号：CN111380622A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010300303.0

申请日：2020-04-16

申请人： 唐山国芯晶源电子有限公司

发明人： 张立强 ,  徐建民 ,  狄建兴 ,  李国峰 ,  胡锦龙 ,  张勇 ,  崔立志 ,  郝建军 ,  郑玉南 ,  李永斌 ,  杨铁生 ,  宋学忠 ,  齐敬伟 ,  周志勇

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 一种低功耗低电压温度传感电路，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管和第五PMOS管的栅极和源极接电源，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管漏极，第二PMOS管的源极接第一PMOS管漏极，栅极和漏极接第三PMOS管源极；第三PMOS管的源极接第二PMOS管漏极，栅极和漏极接第四PMOS管源极；第四PMOS管的源极接第三PMOS管漏极，栅极和漏极接第六PMOS管的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管的源极和栅极，正端与第五PMOS管的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管的漏极接地。本发明芯片面积小，功耗低，能够满足各种低功耗电子产品的使用要求。

公开(公告)号：CN111226098A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880067300.8

申请日：2018-09-20

申请人： 高通股份有限公司

发明人： K·J-N·王

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 提供了亚阈值MOSFET温度传感器，其中通过其源极连接至其栅极的亚阈值晶体管的亚阈值漏电流被镜像通过二极管连接的晶体管，以产生输出电压。反馈将亚阈值晶体管的漏极电压保持为等于输出电压。

公开(公告)号：CN105606240B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201510763715.7

申请日：2015-11-11

申请人： 艾普凌科有限公司

发明人： 中下贵雄

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 本发明题为温度检测电路及半导体装置。本发明提供检测温度的制造偏差少且能够简便地调整检测温度的制造偏差的温度检测电路。温度检测电路采用这样的结构，即具备：输出恒流的恒流电路；难过热敏元件输出的电压来进行控制并输出对应于温度的电流的电压控制电流电路；以及比较恒流和对应于温度的电流并输出表示检测到既定温度的检测信号的电流比较器，使恒流电路的温度特性和电压控制电流电路的温度特性具有相关，以比较恒流电路的输出电流和电压控制电流电路的输出电流的结果进行温度检测。

公开(公告)号：CN110954229A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911288334.2

申请日：2019-12-13

申请人： 海光信息技术有限公司

发明人： 顾艺 ,  金军贵 ,  刘勇江

IPC分类号： G01K7/01 ,  G01R19/00

摘要： 本申请实施例提供了一种温度检测电路、温度检测设备、芯片及电路结构，该温度检测电路包括：MOS管温度感应单元，用于感应温度并输出与温度呈正相关的指数关系的漏电流；电流感应单元，其与MOS管温度感应单元连接；计数单元，用于参考预设时钟信号在预设时间段内对所述第一信号的周期数进行计数得到计数值；处理单元，用于根据计数值、指数关系、第一线性关系以及预设时间段计算MOS管温度感应单元感应到温度值。本申请通过采用MOS管温度感应单元来感应温度并输出与温度呈正相关的指数关系的漏电流，使得电流在全温度范围内的变化幅度较大，可以提高了温度检测的准确度以及检测灵敏度。

公开(公告)号：CN110849493A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911152163.0

申请日：2019-11-22

申请人： 成都三零嘉微电子有限公司

发明人： 冯纯益 ,  朱翔 ,  范伟力 ,  廖乾兰 ,  程福军 ,  袁尚琪

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 本发明涉及集成电路领域，公开了一种温度检测电路，该电路包括电阻器，受控电阻串，比较器和控制逻辑；电阻器的一端连接固定电平和比较器的正向输入端,另一端连接比较器的负向输入端和受控电阻串的一端，比较器输出端连接控制逻辑的输入端，控制逻辑输出端连接受控电阻的数字控制输入端同时作为温度检测结果输出；比较器的输入失调电压与温度成正比例关系，根据输入失调电压即可得到温度检测的结果。本发明电路只包括MOS管和电阻器件，可以在CMOS工艺下实现，无需专门设计温度传感电路，无需模数转换电路，降低了电路的复杂度，有效减小电路面积和成本。

公开(公告)号：CN110832258A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880026792.6

申请日：2018-04-26

申请人： 图特科有限公司

发明人： 乔纳森·B·阿罗尔德 ,  罗纳德·T·里滕豪斯 ,  安·M·莉比

IPC分类号： F24H9/20 ,  G01P5/12 ,  G01K7/01

摘要： 带有用于超温保护的光学传感器的加热器。加热器包括加热元件和包括耦合器和光学传感器的传感器组件。从加热元件发出的波长直接穿过耦合器到达光学传感器。光学传感器提供用于限制加热元件功率的超温反馈信号，以避免加热元件的超温状态。

公开(公告)号：CN110514314A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910793663.6

申请日：2019-08-27

申请人： 李拥军

发明人： 江永林 ,  李拥军 ,  周健

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 本发明公开了一种CMOS工艺低功耗高精度温度传感器，包括：LDO芯片稳压电路、温度传感器模块、温度相关电压V1产生电路、温度相关电压V2产生电路、电压比较器和逻辑运算模块，本发明CMOS工艺低功耗高精度温度传感器可以低功耗工作，从而避免因自身发热带来的测量误差，同时本设计全部采用CMOS工艺中器件来实现功能，可用于CMOS工艺的芯片集成。此温度传感器的矫正只需要在芯片级测试中校正即可，可以避免系统级校正，根据此温度传感器结构可适当调整温度测量范围，可适用于体温测量和其他范围的温度监测。

公开(公告)号：CN107110802B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580069924.X

申请日：2015-12-02

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 小埜和夫 ,  宇佐川利幸

IPC分类号： G01N27/00 ,  G01K7/01 ,  H01L21/336 ,  H01L21/761 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

摘要： 本发明目的在于使FET型氢传感器的传感信号低噪声化。为了解决上述问题，本发明的传感系统的一个方面中，在衬底上由FET构成参照器件和传感器件，并且将两者的阱电位电隔离。

公开(公告)号：CN106104234B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580011965.3

申请日：2015-03-03

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： 曾克秋 ,  T·王 ,  K·塞南

IPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/42

摘要： 提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。

公开(公告)号：CN106482850B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201611059333.7

申请日：2016-11-25

申请人： 北京兆芯电子科技有限公司

发明人： 李申 ,  刘中鼎

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 温度检测装置以及温度检测方法。该温度检测装置包括：第一二极管、第二二极管、电流源、模拟数字转换器、数字计算器以及电压温度转换器。电流源选择性地输出直流电流至第一二极管以及第二二极管而分别产生第一电压以及第二电压。模拟数字转换器根据参考电压，将第一电压转换成第一数字信号，将第二电压转换成第二数字信号。数字计算器利用第一数字信号以及第二数字信号而计算商数，其中商数为第一电压以及第二电压的差与第二电压的比值。电压温度转换器根据商数，产生温度读数。