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公开(公告)号：CN110032792A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910278235.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种超导数字电路设计方法，包括：基于超导数字电路的设计需求进行系统架构设计和功能设计后生成电路设计网表；对所述电路设计网表中任一数据通路上的所有单元电路的所有端口均进行磁通存储能力检测，并在端口具有磁通存储能力时，于该端口处增设一缓冲单元，以此实现对所述电路设计网表的时序优化，从而得到终端电路设计网表；对所述终端电路设计网表进行逻辑功能验证及时序验证后生成超导数字电路版图，并对所述超导数字电路版图进行物理验证以完成超导数字电路设计。通过本发明解决了现有采用单元库设计方法进行超导数字电路设计时，因同一超导数字单元电路后接不同负载而引起的超导数字电路时序分析准确性较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816525B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710031318.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。
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公开(公告)号：CN105489750B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610023704.X
申请日：2016-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/04 , H01L39/22 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件的封装结构，包括：封装槽，底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面，且制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于底板上，并实现电性连接；盖板，密封覆盖于封装槽上形成容置空间，以将超导量子干涉器件封装于该容置空间内，且盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层，所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。本发明在超导量子干涉器件的封装结构中加入由金属纳米粒子构成的屏蔽层，可以有效防止外界射频电磁场进入到超导量子干涉器件中，同时低温胶的绝缘特性使得屏蔽层不能构成导通回路因此不产生金属涡流，从而提高了超导量子干涉器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN106816525A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710031318.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/025 , H01L39/12 , H01L39/223 , H01L39/2416 , H01L39/2493
Abstract: 本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。
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公开(公告)号：CN106767944A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611085483.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D5/14
CPC classification number: G01D5/14
Abstract: 本发明提供一种基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统，所述低温超导读出电路包括：m个超导量子干涉器，与低温超导传感器阵列连接，用于将低温超导传感器阵列的多路输出信号转换为多路SFQ脉冲信号；ERSFQ电路，与m个超导量子干涉器连接，用于将多路SFQ脉冲信号转换成二进制单路脉冲信号输出；驱动放大电路，与ERSFQ电路连接，用于对二进制单路脉冲信号进行放大输出；其中，m为大于1的整数；通过本发明的基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统，解决了现有技术中读出放大电路热负载大而且电路系统抗噪声干扰能力较弱的问题。
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公开(公告)号：CN105702849A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610070503.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/2493 , H01L39/025 , H01L39/223
Abstract: 本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结；3）在步骤2）得到的结构表面形成第二绝缘材料层；4）沉积旁路电阻材料层，并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通，避免出现断路故障，保证了旁路电阻连通的稳定性，提高了超导电路结构的工作性能。
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