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公开(公告)号：CN119841660A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311340177.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/583 , C04B35/622 , C04B35/565 , C04B35/584 , C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种隔热耐火弹性陶瓷气凝胶及其制备方法。所述隔热耐火弹性陶瓷气凝胶的制备方法包括以下步骤：(1)将石墨烯分散液装入模具中，然后进行定向冷冻铸造，定向冷冻铸造结束后进行冷冻干燥，得到氧化石墨烯气凝胶；接着，经热还原处理，得到弹性石墨烯气凝胶；(2)以所述弹性石墨烯气凝胶为模板，通过化学气相沉积工艺在弹性石墨烯气凝胶表面原位沉积陶瓷组分，沉积完成后进行热处理使陶瓷组分结晶化，得到石墨烯/陶瓷复合气凝胶；(3)将所述石墨烯/陶瓷复合气凝胶通过热刻蚀氧化除去石墨烯组分，得到隔热耐火弹性陶瓷气凝胶。
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公开(公告)号：CN119638431A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311193072.8
申请日：2023-09-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)将SiC纤维进行编织，得到SiC纤维编织体；(2)将所述SiC纤维编织体通过化学气相沉积法在SiC纤维编织体表面沉积界面层；(3)将SiC粉体、烧结助剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和溶剂混合，得到SiC浸渍浆料；(4)将沉积界面层的SiC纤维编织体浸入SiC浸渍浆料中，然后将浸渍完全的SiC编织体取出并进行干燥，得到SiC预浸片；(5)将所述SiC预浸片裁剪并进行叠层，然后进行热压烧结，得到所述SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN118833808A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310444416.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , B01J13/00 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种负泊松比石墨烯/陶瓷复合气凝胶及其制备方法。所述石墨烯/陶瓷复合气凝胶包括：具有三维内凹结构的石墨烯气凝胶，以及沉积在石墨烯气凝胶内部孔结构的石墨烯表面的陶瓷层；优选地，所述石墨烯上/下表面都沉积有陶瓷层，形成陶瓷层/石墨烯/陶瓷层的三明治结构。
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公开(公告)号：CN118619696A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310231783.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种具有BN/SiC/Y2Si2O7多层界面的碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：(1)在碳化硅纤维表面沉积BN界面，制得SiCf/BN预制体；(2)在所得SiCf/BN预制体表面沉积SiC界面，制得SiCf/BN/SiC预制体；(3)采用溶胶凝胶、浸渍提拉和高温热解在所得SiCf/BN/SiC预制体表面制备Y2Si2O7界面层，制得SiCf/BN/SiC/Y2Si2O7预制体；(4)对所得SiCf/BN/SiC/Y2Si2O7预制体进行SiC基体致密化，得到具有BN/SiC/Y2Si2O7多层界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN118306981A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310020661.X
申请日：2023-01-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/184 , H01Q17/00 , C01B32/194 , C01B32/977 , C01B21/064 , B01J13/00 , B33Y10/00 , B33Y70/00
Abstract: 本发明涉及一种具有多级孔结构的吸波复合材料及其制备方法。所述具有多级孔结构的吸波复合材料的制备方法包括：将氧化石墨烯、四氧化三铁、硝酸镍在溶剂中混合得到复合打印浆料，然后将所述复合打印浆料通过3D打印得到复合水凝胶结构；经冷冻干燥、真空干燥得到复合气凝胶；然后，利用化学气相沉积在所述复合气凝胶中分别先后原位引入氮化硼界面和碳化硅纳米线，得到所述具有多级孔结构的吸波复合材料。
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公开(公告)号：CN115772037A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111057806.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用短切纤维构造熔渗预制体制备碳化硅陶瓷基复合材料的方法，包括：（1）将短切纤维、碳化硅粉体、粘结剂和溶剂混合，得到碳化硅浆料；（2）将碳纤维布或碳化硅纤维布进入所得碳化硅浆料中，得到纤维浸浆片后，依次经烘干、裁剪、叠层、固化、热解，得到熔渗预制体；（3）将硅粉或硅合金粉置于熔渗预制体周围，再经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115677355A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110857910.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种纤维表面Si3N4纳米网络复合界面相层及其制备方法。该在纤维表面原位生长Si3N4纳米网络结构复合界面相层的方法为：将表面沉积有Si3N4界面相层的纤维或纤维编织体进行热处理，得到Si3N4纳米网络结构复合界面相层；所述热处理包括：（1）先在1450～1750℃、真空或压力为10Pa～20Kpa的N2或/和Ar中，保持0.1小时～2小时；（2）再在1450～1750℃，压力为70Kpa～1000Kpa的N2或/和NH3气氛中，保持0.1小时～2小时。
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公开(公告)号：CN110668457B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201911047283.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法，所述二维硼碳氮纳米材料的片状直径为1～50μm，层数为1～10层；所述二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法包括：（1）将硼源、固体碳源和纳米氧化铁催化剂加入溶剂中并混合得到混合浆料；所述硼源选自固体硼源或/和液体硼源，优选为无定形硼粉、硼酸三甲酯、硼砂中的至少一种；所述固体碳源选自石墨、石墨烯、活性炭中的至少一种；（2）将所得混合浆料涂敷在衬底表面并烘干，置于压力2～40atm的氮气气氛中、在800～1400℃下热处理0.5～20小时，得到所述二维纳米硼碳氮半导体材料。
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公开(公告)号：CN113334271B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110570008.1
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B25B11/00 , C04B35/56 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/80
Abstract: 本发明提供一种单束纤维增强陶瓷基复合材料制备用工装夹具，是在纤维束的表面进行界面相制备及基体致密化处理时对纤维束进行固定的工装夹具，包括一对底座、一对螺杆和多个螺母；底座上设置有通过在底面上沿长度方向开设第一凹槽而形成的安装部和通过在底面上沿宽度方向开设第二凹槽而形成的缠绕部，第二凹槽的深度在第一凹槽以下；在第一凹槽与第二凹槽重叠的区域上开设有用于通过气流的通气孔，安装部在通气孔的两侧形成有对称分布的一对贯通孔；一对螺杆以分别插通一对底座上的一对贯通孔，且在一对贯通孔的两侧通过螺母进行紧固的形式设置；纤维束缠绕于一对底座的缠绕部的外周缘上。
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