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公开(公告)号：CN107089652A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610088012.3
申请日：2016-02-17
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C01B32/162 , C01B32/159 , B01J23/75 , B01J23/745 , B01J23/888 , B01J23/89
CPC分类号： B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/888 , B01J23/8993 , B01J35/023 , C01P2002/82 , C01P2004/04
摘要： 本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种部分碳包覆金属催化剂制备窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的方法。采用嵌段共聚物自组装方法，制备尺寸均匀的共聚物薄膜包覆金属阴离子纳米团簇；通过控制溶剂退火、氧化、还原条件，获得单分散、部分碳包覆的金属催化剂纳米颗粒；再以氢气为原位刻蚀气体，直接生长窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管。其中半导体性单壁碳纳米管的含量大于98％，带隙差最小为0.05eV且可调。本发明实现窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的直接可控生长，突破现阶段高纯度、窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管控制制备的瓶颈，证实其是构建薄膜场效应晶体管的理想沟道材料。
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公开(公告)号：CN104671230B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510074790.2
申请日：2015-02-10
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及单壁碳纳米管薄膜的可控、均匀收集技术，具体为一种浮动催化剂法生长的单壁碳纳米管薄膜的连续收集方法与专用装置。在化学气相沉积碳纳米管生长炉尾端设计连接安装球阀开关和薄膜收集室，在不改变任何生长条件的前提下，在各种薄膜基底表面直接、连续收集高质量单壁碳纳米管薄膜。在常温、室压条件下将浮动催化剂化学气相沉积法生长的单壁碳纳米管薄膜收集到各种基底表面，通过对沉积时间的调控，生长参数的控制，实现数英寸级别、密度可控且均匀的单壁碳纳米管薄膜的连续收集。从而，解决了目前碳纳米管薄膜收集过程中所面临的均匀性差、长径比小、尺寸受限等技术难题。
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公开(公告)号：CN104760946B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510125959.2
申请日：2015-03-20
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及高质量单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种混合气态碳源浮动催化剂CVD法宏量制备高质量、高纯度单壁碳纳米管纤维的方法。以二茂铁等易挥发金属有机化合物为催化剂前驱体、硫粉及含硫有机物为生长促进剂、甲烷和第二种低碳烃为碳源，以氩气/氢气的混合气体为载气，在1000～1200℃下实现单壁碳纳米管纤维的生长。所获得单壁碳纳米管纤维中杂质含量小于15％，单壁碳纳米管的集中氧化温度大于800℃、G/D比大于100。本发明在浮动催化剂CVD生长单壁碳纳米管过程中，以甲烷和低碳烃气体为碳源，在较低流量的氩气和氢气保护气氛下，实现了高质量、高纯度单壁碳纳米管纤维的宏量、连续控制生长。
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公开(公告)号：CN105403582A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510969206.X
申请日：2015-12-22
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： G01N23/22
CPC分类号： G01N23/22
摘要： 本发明公开了一种燃机叶片服役组织损伤评价方法，属于高温合金技术领域。该方法首先根据热端部件用高温合金材料在模拟服役过程中组织损伤与性能退化规律及其损伤组织‐退化性能之间的对应关系，建立热端部件用高温合金材料组织损伤特征图谱和对应的性能退化数据库；然后通过热端部件实际服役损伤状态与部件用高温合金材料服役损伤特征图谱和性能数据库进行比对分析，并结合热端部件的设计要求，建立高温合金热端部件服役损伤检测评价标准数据库；最后利用实测的高温合金热端部件材料服役组织和性能数据与数据库中的组织和性能数据进行对比，最后给出叶片服役损伤评价结果。
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公开(公告)号：CN103114225B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210157236.7
申请日：2012-05-18
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明提供了一种高强抗热腐蚀镍基单晶高温合金，该合金的组成成分构成和各成分的质量百分含量为：Cr：10.0～15.0％，Co：8.0～12.0％，Mo：0.5～1.9％(不含1.9％)，W：3.0～6.0％，Ta：4.0～7.0％，Al：3.0～4.0％，Ti：3.0～5.0％，C：0～0.4％，其余为Ni，6.5≤Al+Ti≤9，Al/Ti≤1。该合金不仅具有优良的抗热腐蚀性能，还具有较高的高温力学性能、良好的组织稳定性。既可以适用于地面与舰用燃气轮机高温部件，又可以适用于航天、航空发动机高温部件。
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公开(公告)号：CN102867740B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110187013.0
申请日：2011-07-05
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法，属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形，然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜，最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面的纳米碳质薄膜，或通过底层金属的刻蚀在剥离其担载的金属或陶瓷薄膜的同时去除附着于预制图形表面的纳米碳质材料，保留与基体直接接触的薄膜形成相应的图形，从而实现了纳米碳质薄膜的图形化。由于工艺中碳质薄膜与光刻胶及等离子体无直接接触，从而避免了对所制备图形的污染和损伤。图形化的碳质薄膜可用于显示器透明电极、薄膜场效应晶体管等。
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公开(公告)号：CN104760946A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510125959.2
申请日：2015-03-20
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及高质量单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种混合气态碳源浮动催化剂CVD法宏量制备高质量、高纯度单壁碳纳米管纤维的方法。以二茂铁等易挥发金属有机化合物为催化剂前驱体、硫粉及含硫有机物为生长促进剂、甲烷和第二种低碳烃为碳源，以氩气/氢气的混合气体为载气，在1000～1200℃下实现单壁碳纳米管纤维的生长。所获得单壁碳纳米管纤维中杂质含量小于15％，单壁碳纳米管的集中氧化温度大于800℃、G/D比大于100。本发明在浮动催化剂CVD生长单壁碳纳米管过程中，以甲烷和低碳烃气体为碳源，在较低流量的氩气和氢气保护气氛下，实现了高质量、高纯度单壁碳纳米管纤维的宏量、连续控制生长。
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公开(公告)号：CN103449405B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310386192.X
申请日：2013-08-29
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及金属性富集单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法，在直径调控基础上、氢气原位弱刻蚀直接生长金属性富集单壁碳纳米管。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下，通过调节优化催化剂挥发温度、载气氦气/氢气的流量，在一定生长温度下可原位刻蚀掉小直径半导体性单壁碳纳米管，最终获得较大直径、金属性富集的单壁碳纳米管。本发明实现了金属性富集单壁碳纳米管的大量、快捷、低成本控制生长，突破了目前直接生长宏量金属性富集单壁碳纳米管这一瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN104650498A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310601582.4
申请日：2013-11-22
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C08L27/06 , C08L25/06 , C08L67/00 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08K5/12 , C08J7/00
CPC分类号： C08K9/08 , C08J5/18 , C08J2323/06 , C08J2323/12 , C08J2327/06 , C08K3/04 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08L2201/04 , C08L2203/16 , C08L27/06 , C08L23/06 , C08L23/12
摘要： 本发明公开了一种石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料，属于抗静电高分子复合材料技术领域。所述复合导电薄膜材料包括石墨烯和聚合物基体，所述石墨烯在复合导电薄膜材料中构成导电网络。首先在含有分散剂的水溶液中将石墨烯分散均匀，得到石墨烯悬浮液。然后将聚合物颗粒加入到上述悬浮液中并使之混合均匀后，再经快速过滤和干燥得到上述复合材料的粉末状前驱体。最后经平板硫化机热压得到石墨烯/聚合物复合导电薄膜材料。由于具有大的厚径比的二维石墨烯能在复合导电膜中构成电子传输网络，因此可显著地提高复合材料的导电性能（体积电阻降到103Ω数量级），使该聚氯乙烯复合薄膜适用于抗静电或电磁屏蔽的场合。
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公开(公告)号：CN104261384A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410486883.1
申请日：2014-09-23
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及单壁碳纳米管的浮动催化剂化学气相沉积法制备及其薄膜连续收集技术，具体为一种单壁碳纳米管薄膜的气相连续制备方法及专用装置。在常压室温条件下利用气相抽滤装置，将浮动催化剂化学气相沉积法合成的单壁碳纳米管沉积到匀速移动的微孔滤膜表面，通过控制微孔滤膜的移动速度并调控气流量平衡，获得大面积、均匀、密度可控的单壁碳纳米管薄膜。本发明提出的单壁碳纳米管的气相连续成膜技术，在常压、室温条件下实现了大面积、均匀、密度可控的单壁碳纳米管薄膜的规模化制备，对于推动单壁碳纳米管薄膜在光电器件规模化制备和应用领域的进步具有重要的意义，该薄膜在规模化光电器件制备领域具有应用。
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