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公开(公告)号：CN113257975B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110529087.1
申请日：2021-05-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请涉及显示技术领域，公开一种发光芯片模组、其制备方法、阵列基板以及显示面板。发光芯片模组包括依次排列的发光层、缓冲层以及保护层，所述发光层内的具有多个发光单元，所述缓冲层或所述保护层包括多个孔穴，多个所述孔穴分别对齐所述发光层内的各个所述发光单元，在所述孔穴内填充有光学单元，各所述发光单元经对应的所述光学单元向所述保护层方向发射光线，所述光学单元将经过的光线由其光心向外周散射。本申请实施例能在维持输出性能的前提下，充分保证色转层的信赖性。
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公开(公告)号：CN114914253A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210517500.7
申请日：2022-05-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括衬底，所述衬底包括阵列设置的多个器件区以及位于相邻两器件区之间的透明区；驱动层，设置在所述器件区，所述驱动层上设置有发光元件；所述驱动层与所述发光元件之间设置有遮光部，所述遮光部在所述衬底上的正投影位于所述器件区。通过在显示面板上挖孔的方式来提高显示面板的透过率，通过利用BM遮光部随形覆盖在凹槽的侧面，降低反射率的同时遮挡金属走线减少色偏。
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公开(公告)号：CN114639765A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210251115.2
申请日：2022-03-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开一种微LED显示面板及其制作方法、以及显示装置。在一具体实施方式中，微LED显示面板包括：设置在基板上的发光器件层，包括多个阵列排布的微LED显示单元；设置在发光器件层出光侧的色转换层，包括多个与微LED显示单元一一对应的色转换部件；以及设置在发光器件层与色转换层之间的粘接层；其中，色转换部件在基板上的正投影覆盖粘接层在基板上的正投影。该实施方式通过设置色转换部件在基板上的正投影覆盖粘接层在基板上的正投影，使得在发光器件层与色转换层粘接后进行切割时不受粘接剂材质影响，减小相邻发光单元对应的色转换部件之间的切割间隙，提高了发光器件的芯片利用率，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109856858B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910203993.5
申请日：2019-03-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1347
摘要： 本发明公开了一种发光模组和显示屏，涉及显示技术领域，主要目的是通过设置光线准直组件，将由发光组件发出的光线进行准直化，达到提高显示性能的目的。本发明的主要技术方案为：一种发光模组，该模组包括：发光组件和光线准直组件，光线准直组件位于发光组件出光的一侧，光线准直组件用于将由发光组件射出的散射光线进行准直化。本发明主要用于提供背光。
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公开(公告)号：CN114255664A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011019594.2
申请日：2020-09-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 一种显示基板及其制备方法、驱动方法、显示装置，显示基板包括电路基板、设置在所述电路基板上的多个弹性电极柱以及设置在所述多个弹性电极柱上的多个第二寻址电极和多个发光元件，其中：所述电路基板包括寻址电路和多个第一寻址电极，所述寻址电路用于向所述第一寻址电极提供第一静电电压，并向所述第二寻址电极提供第二静电电压；所述第一静电电压和第二静电电压用于控制弹性电极柱的偏转角度。本公开通过弹性电极柱改变发光元件的偏转方向，从而实现了裸眼3D显示，并克服了现有裸眼3D显示方案观察范围小(纵向最佳观看距离比较固定、横向观察视点少)，画面连续性差等诸多问题，提高了显示亮度和显示效果。
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公开(公告)号：CN113725249A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111004407.8
申请日：2021-08-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片结构、制作方法和显示装置，其中一实施例的芯片结构包括多个子像素，包括外延片和贴合在所述外延片出光侧的色转换层盖板，其中所述外延片，包括各子像素的发光功能层；所述色转换层盖板，包括贴合在所述外延片出光侧的色转换层、以及设置在所述色转换层远离所述外延片一侧的彩膜层。本发明提供的芯片结构能够解决现有技术中因外延片衬底减薄后导致的芯片易碎问题，同时提升Micro‑LED的转移效率、提高制备精度，并且能够有效提升红光和绿光的外量子效率，并防止相邻子像素间的串扰问题，具有实际应用前景。
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公开(公告)号：CN112363344A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011229150.1
申请日：2020-11-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , H01L27/32
摘要： 本公开实施例提供了一种显示基板及显示面板，包括：衬底基板，衬底基板包括多个相互独立的子像素区；色转换层，位于衬底基板之上；色转换层包括：位于各子像素区的色转换结构和光线调控结构，其中，色转换结构用于将入射光转换为所在子像素区对应颜色的光，光线调控结构用于增大色转换结构对入射光的吸收转换率且不影响金属线栅的偏振度控制入射光的偏振度与经色转换层出射光的偏振度相同；金属线栅，位于色转换层背离衬底基板的一侧，金属线栅用于为色转换层提供入射光。
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公开(公告)号：CN109300395B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811188770.8
申请日：2018-10-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1335
摘要： 提供一种彩膜基板，包括：衬底基板；黑矩阵，形成于所述衬底基板上、包括多个开口和围设每个开口且限定多个像素区域的堤部，所述堤部包括黑色染料；彩膜层，形成于所述每个开口内，包括形成于至少部分所述开口区域的彩色量子点材料层；第一平坦化层，覆盖所述彩膜层，所述堤部露出所述第一平坦化层；第二平坦化层，覆盖所述第一平坦化层和所述堤部，所述第二平坦化层的相对于所述第一平坦化层的表面中、对应于所述堤部部分的表面距离所述衬底基板的距离小于对应于所述像素区域部分的表面距离所述衬底基板的距离；光栅层，形成于所述第二平坦化层上；第三平坦化层，覆盖所述光栅层。本发明通过形成像素区域高，黑色bank区低的平坦化层，从而可以很好的形成像素区域的纳米光栅。
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公开(公告)号：CN111740035A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010631715.2
申请日：2020-07-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种阵列基板、显示面板及制造方法，阵列基板的制造方法，包括像素电极的制备步骤，像素电极的制备步骤包括：在平坦化层上沉积第一电极薄膜，对第一电极薄膜进行图案化，形成第一子像素电极；在第一子像素电极及暴露于第一子像素电极之外的平坦化层上沉积钝化薄膜，对钝化薄膜进行图案化，形成包覆第一子像素电极的钝化图案；在钝化图案及暴露于钝化图案之外的平坦化层上沉积第二电极薄膜，对第二电极薄膜进行图案化，形成与第一子像素电极同层设置的第二子像素电极，同一像素内的第一子像素电极与第二子像素电极之间的距离小于3μm。上述方案，可以解决三维显示OLED显示装置在进行三维显示时，存在严重的摩尔纹问题。
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