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公开(公告)号：CN102630342A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201080053854.6
申请日：2010-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/369
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H04N5/3698 , H04N5/3742
Abstract: 来自传输晶体管的暗电流被抑制，并且第二半导体基板中的电源电压被降低。一种固态图像拾取装置包括：像素阵列、接收从多个像素读出的信号的多个公共输出线、顺序驱动多个传输晶体管的传输扫描单元、处理输出给公共信号线的信号的信号处理单元，和使提供给传输晶体管的栅极的脉冲的幅度大于提供给构成信号处理单元的晶体管的栅极的脉冲的幅度的电平移动单元。像素阵列和电平移动单元被布置在第一半导体基板上，而多个公共输出线和信号处理单元被布置在第二半导体基板上。
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公开(公告)号：CN101609813B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN101123672B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200710138485.0
申请日：2007-08-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/357
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3598
Abstract: 本发明涉及光电变换设备和图像捕获设备。一种光电变换设备包括：包括光电变换器的像素单元；配置在像素单元的输出侧的放大器；配置在放大器的输出侧的输出单元；第一限制电路；以及第二限制电路。第一限制电路在从像素单元读出噪声电平时在所述放大器与所述输出单元之间限制通过放大器从像素单元读出的噪声电平。第二限制电路在从像素单元读出噪声电平时在光电变换器与放大器之间限制要提供给放大器的噪声电平。
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公开(公告)号：CN101118919A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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