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    光电转换器件、其制造方法和装置
    1.
    发明授权
    光电转换器件、其制造方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN109728016B

    公开(公告)日：2023-03-17

    申请号：CN201811253732.6

    申请日：2018-10-26

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 远藤信之

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明涉及光电转换器件、其制造方法和装置。一种光电转换器件包括：包含光电转换部分的半导体基板；布置于光电转换部分之上的氧化硅膜；和布置于光电转换部分与氧化硅膜之间的绝缘膜。构成光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中。绝缘膜的第二杂质区域之上的部分和第二杂质区域包含硼。从半导体基板的表面到第二杂质区域中的硼浓度取最小值的第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。

    固态图像拾取装置
    3.
    发明授权
    固态图像拾取装置 失效

    公开(公告)号：CN102656693B

    公开(公告)日：2015-04-01

    申请号：CN201080056461.0

    申请日：2010-12-13

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 山崎和男 ,  板野哲也 ,  远藤信之 ,  渡边杏平

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/1465

    摘要： 固态图像拾取装置包括包含光电转换单元、FD和传送晶体管的像素区域、复位晶体管、放大器晶体管和用于将基准电压供给至光电转换单元的基准电压供给线。在所述装置中，像素区域和基准电压供给线被设置在第一半导体基板上，并且，至少复位晶体管或放大器晶体管被设置在第二半导体基板上。并且，用于将电压供给至基准电压供给线的电源线被设置在第二半导体基板上。所述装置还包括电连接基准电压供给线与电源线的第二电连接单元。第一电连接单元被设置在像素区域中，而第二电连接单元被设置在像素区域之外。

    光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备
    6.
    发明公开
    光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN116705813A

    公开(公告)日：2023-09-05

    申请号：CN202310457124.1

    申请日：2018-07-11

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。