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公开(公告)号：CN106871778B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201710099463.1
申请日：2017-02-23
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明公布了一种单芯片双轴磁电阻角度传感器，包括位于X‑Y平面上的衬底、位于衬底上的推挽式X轴和推挽式Y轴磁电阻角度传感器，前者包含X推臂和X挽臂，后者包括Y推臂和Y挽臂，所述X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂均包括至少一个磁电阻角度传感单元阵列，所述X推臂、X挽臂、Y推臂、Y挽臂的磁电阻角度传感单元阵列的磁场敏感方向分别沿+X方向、‑X方向、+Y方向、‑Y方向，磁电阻角度传感单元均具有相同磁多层薄膜结构的TMR或者GMR自旋阀，其反铁磁层磁化方向均通过激光程控加热磁退火获得，之后还可在磁电阻角度传感单元表面沉积磁场衰减层以提高工作磁场范围。本发明具有结构紧凑、高精度，小尺寸，并可实现大幅度磁场工作范围的优点。
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公开(公告)号：CN109283228A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811377334.5
申请日：2018-11-19
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于磁阻元件的氢气传感器及其检测氢气的方法，氢气传感器包括位于X-Y平面上的衬底；位于所述衬底上的磁电阻传感单元和磁电阻参考单元，磁电阻传感单元电连接成传感臂，磁电阻参考单元电连接成参考臂；传感臂与参考臂电连接成参考桥式结构；磁电阻传感单元与磁电阻参考单元是具有相同磁多层薄膜结构的AMR单元或是具有相同磁多层薄膜结构的GMR自旋阀或GMR多层膜堆栈。磁多层薄膜结构通过半导体微加工工艺制成带状蛇形电路，磁电阻参考单元上覆盖一层钝化绝缘层。本发明有很好的温度补偿和高灵敏度，并具有尺寸小、功耗低、探测氢气浓度范围广等优点。
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公开(公告)号：CN106052725B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610403592.0
申请日：2016-06-08
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01D5/245
摘要： 本发明提出了一种Z‑X轴磁电阻传感器以测量齿轮或多磁极的参数，磁电阻传感器为单芯片Z‑X轴磁电阻传感器，包括：位于X‑Y平面上的衬底，位于衬底上的长条形软磁通量集中器，以及位于软磁通量集中器上或者下表面上的磁敏感方向沿X向的磁电阻传感单元串，包括位于软磁通量集中器Y轴中心线上、Y轴中心线两侧且等距的参考、推、挽磁电阻传感单元串、以及两个软磁通量间隙的敏感磁电阻传感单元串，且推、挽磁电阻传感单元串和参考、敏感磁电阻传感单元串交错排列，并连接成参考桥式X轴传感器和推挽桥式Z轴传感器；本发明具有传感器结构简单，灵敏度高，低功耗、小尺寸，并能够测量任何周期间距齿轮和多磁极的优点。
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公开(公告)号：CN108089139A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201810088696.6
申请日：2018-01-30
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种可重置的双极型开关传感器，包括：双极型磁滞开关传感器、重置线圈、ASIC开关电路及重置电源电路，双极型磁滞开关传感器包括：衬底，位于衬底上的磁电阻传感臂，磁电阻传感臂为一个或多个磁电阻传感单元串之间通过串联、并联或者串并联而成的两端口结构，TMR磁电阻传感单元自由层磁化方向仅由各向异性场Hk决定、且和磁场敏感方向和参考层磁化方向均可沿着N或者S方向，重置线圈位于衬底和磁电阻传感单元之间，或者位于衬底下方引线框上，重置磁场方向均同为N或者S方向之一，ASIC开关电路包括偏置功能模块，阅读功能模块和输出功能模块，重置电源电路连接重置线圈。本发明具有低功耗，小尺寸，可预先设置开关传感器起始状态的特点。
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公开(公告)号：CN104880682B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510312243.3
申请日：2015-06-09
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/096 , H01L43/08
摘要： 一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，包括衬底、位于衬底上的第一梳状软磁通量引导器、第二梳状软磁通量引导器、推挽式磁电阻传感单元电桥，还可包括校准和/或重置线圈，第一、第二梳状软磁通量引导器形成交叉指状，第二梳齿和相邻的两个第一梳齿间形成第一间隙和第二间隙，且第二梳齿与第一梳座间、第一梳齿与第二梳座间分别形成间隙，推磁电阻单元串和挽磁电阻单元串交替位于第一间隙和第二间隙内,且磁电阻传感单元为X磁场敏感方向，校准线圈包括平行于磁电阻传感单元串的校准直导线，重置线圈分别垂直于磁电阻传感单元串的重置直导线，本发明通过交叉梳状软磁通量引导器，实现了对Y轴磁场测量，具有简单、高增益和低功耗特点。
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公开(公告)号：CN104280700B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201410508055.3
申请日：2014-09-28
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种单芯片差分自由层推挽式磁场传感器电桥及制备方法。磁场传感器电桥包括衬底、错列软磁通量集中器阵列、以及位于衬底上具有X向磁敏感方向的GMR自旋阀或者TMR磁电阻传感单元阵列，软磁通量集中器包含平行于X轴和Y轴的边以及四个角，从左上位置顺时针依次标记为A、B、C和D，磁电阻传感单元位于软磁通量集中器之间间隙处，同时对应软磁通量集中器A、C角位置以及B、D角位置的磁电阻传感单元分别定义为推磁电阻传感单元和挽磁电阻传感单元，推磁电阻传感单元电连接成一个或多个推臂，挽磁电阻传感单元电连接成一个或多个挽臂，推臂和挽臂电连接成推挽式传感器桥。该发明功耗低，磁场灵敏度高，可以测量Y方向磁场。
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公开(公告)号：CN107015171A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710180998.1
申请日：2017-03-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克 , 伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦
IPC分类号： G01R33/02
CPC分类号： G01R33/02
摘要： 本发明公开了一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构，包括衬底、传感器切片、设置在衬底上的螺旋磁滞线圈、引线键合焊盘，所述的传感器桥臂由磁电阻传感元件构成，所述传感器切片上沉积有传感器桥臂，所述传感器桥臂电连接成磁电阻传感器电桥，所述的磁电阻传感器电桥设置在所述磁滞线圈上，所述螺旋磁滞线圈产生的磁场与传感器电桥的敏感轴共线，所述磁电阻传感器桥式电路封装在所述衬底上。本发明通过设置螺旋磁滞线圈，能够承载更大的电流，电阻值更小。本发明消除了由传感器在磁滞周期所产生的磁滞，且所述封装结构的制作工艺简单，制作成本低。
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公开(公告)号：CN103968860B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310040970.X
申请日：2013-02-01
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01D5/12 , G01B7/30 , G01D5/145 , G01D5/147 , G01D5/2497 , G01D5/2515 , G01F15/066 , G01R11/16
摘要： 本发明提供一种绝对式磁旋转编码器，包括旋转轴，多个可随所述旋转轴旋转的转轮，与所述多个转轮一一对应的多个编码单元，和为所述多个编码单元提供磁场偏置的一个或多个永磁体组件。每个编码单元包括其上的结构设置可使其磁导率随相对于所述旋转轴的位置的不同而不同的导磁性编码器圆盘，和包括多个磁传感器的传感器单元。传感器单元用于感应导磁性编码器圆盘的导磁率，输出表征所述导磁性编码器圆盘相对位置的感应信号。根据所述传感器单元的感应信号，每个编码单元输出表征所对应转轮选定的旋转位置的数值。根据本发明，可以得到成本更低，更简单，具有更精确的磁编码器圆盘的绝对式磁旋转编码器。
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公开(公告)号：CN106871778A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710099463.1
申请日：2017-02-23
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明公布了一种单芯片双轴磁电阻角度传感器，包括位于X‑Y平面上的衬底、位于衬底上的推挽式X轴和推挽式Y轴磁电阻角度传感器，前者包含X推臂和X挽臂，后者包括Y推臂和Y挽臂，所述X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂均包括至少一个磁电阻角度传感单元阵列，所述X推臂、X挽臂、Y推臂、Y挽臂的磁电阻角度传感单元阵列的磁场敏感方向分别沿+X方向、‑X方向、+Y方向、‑Y方向，磁电阻角度传感单元均具有相同磁多层薄膜结构的TMR或者GMR自旋阀，其反铁磁层磁化方向均通过激光程控加热磁退火获得，之后还可在磁电阻角度传感单元表面沉积磁场衰减层以提高工作磁场范围。本发明具有结构紧凑、高精度，小尺寸，并可实现大幅度磁场工作范围的优点。
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公开(公告)号：CN103913709B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410123285.8
申请日：2014-03-28
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/0011 , G01R3/00 , G01R33/0052 , G01R33/0206 , G01R33/09 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法，该传感器包括在同一基片上集成设置的X轴传感器、Y轴传感器和Z轴传感器，其中，X轴传感器和Y轴传感器的结构相同，均为参考桥式结构，参考臂上的磁电阻传感元件位于相应磁通量控制器的下方，感应臂上的磁电阻传感元件位于相应磁通量控制器之间的间隙处，但这两个传感器上所有元件的排布方向均相互垂直，并且磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向也相互垂直，Z轴传感器为推挽桥式结构，其推臂和挽臂上的磁电阻传感元件分别成列排布于其磁通量控制器的上方或下方的两侧。本发明还公开了一种该单芯片三轴磁场传感器的制备方法，该单芯片三轴磁场传感器具有制作简单、动态范围宽的优点。
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