高阶LCLCL直流变换器的控制方法

    公开(公告)号:CN111555627A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010384741.X

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 一种高阶LCLCL直流变换器的控制方法,属于直流变换器控制技术领域。本发明针对现有功率变换器的控制方法不适用于LCLCL高阶系统的问题。包括:对所述高阶LCLCL直流变换器进行电路变换,获得等效电路;根据等效电路列写非线性时变方程;对所述非线性时变方程引入扩展描述函数得到扩展描述时变方程;对所述扩展描述时变方程进行谐波近似,获得非线性时变方程的稳态工作点方程;对所述稳态工作点方程加入扰动得到小信号稳态工作点方程;再线性化所述小信号稳态工作点方程,得到谐波方程;由所述谐波方程建立状态空间模型,并进一步得到小信号模型。本发明能够使变换器在不同输入电压和负载条件下获得令人满意的动态特性。

    一种基于磁集成的高升压比软开关DC/DC变换器

    公开(公告)号:CN110719033A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201911155331.1

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明是一种基于磁集成的高升压比软开关DC/DC变换器。本发明包括采样电路、控制芯片、驱动电路、倍压单元Ⅰ、倍压单元Ⅱ、电压源Vin、电感L1、电容Cs1、开关管Q1、二极管DP、电容CP、变压器T、电容Cs2、二极管DM2、二极管Do、输出电容Co和负载电阻R,变压器T包括原边电感L3p和副边电感L3s。本发明采用磁集成技术,将电感L1和L2集成在一块平面E型磁芯上,有效减小了系统体积,提升功率密度。本发明满足光伏电池输出36V并网直流母线电压380V的需求,且电路结构稳定,抗干扰能力强,保证恒压输出。

    一种基于变压器漏感的低应力高频DC/DC功率变换器

    公开(公告)号:CN108183616B

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201810077846.3

    申请日:2018-01-26

    Abstract: 一种基于变压器漏感的低应力高频DC/DC功率变换器,涉及电力电子技术领域。本发明是为了避免现有高频功率变换器存在的缺陷。本发明中Class E逆变电路的电压输入端口与电源电气连接,Class E逆变电路的电压输出端口与隔离型匹配网络的电压输入端口相连,隔离型匹配网络的电压输出端口与整流环节电气连接;隔直电容的一端连接变压器组件的正输入端,变压器组件的正输出端连接谐振电容的一端,隔直电容的另一端和变压器组件的负输入端作为隔离型匹配网络的电压输入端口,变压器组件的负输出端和谐振电容的另一端作为隔离型匹配网络的电压输出端口。

    基于开关电容和耦合电感的高电压增益软开关DC-DC变换器

    公开(公告)号:CN110048611A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910459214.8

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 一种基于开关电容和耦合电感的高电压增益软开关DC-DC变换器,属于软开关DC-DC变换器技术领域。本发明针对现有软开关DC-DC变换器为了实现高升压比采用的手段,会使开关管产生较大关断电压尖峰,从而影响变换器效率的问题。它基于开关电容和耦合电感,提出高电压增益DC-DC变换器拓扑,它利用开关电容并联充电串联放电,再结合耦合电感,实现高升压比,减小了开关管和二极管的电压应力;同时避免了开关电容变换器结构复杂,器件较多的弊端。本发明所述变换器有利于系统效率的提高。

    基于低电压应力谐振逆变器的平面化高频OLED驱动电路

    公开(公告)号:CN109769322A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201910222891.8

    申请日:2019-03-22

    Abstract: 基于低电压应力谐振逆变器的平面化高频OLED驱动电路,涉及OLED驱动技术领域,为了解决现有OLED驱动电路体积大的问题。 谐振逆变器的输出端连接T型匹配网络的输入端,T型匹配网络的输出端连接半波整流滤波电路的输入端,半波整流滤波电路的输出端连接OLED;半波整流滤波电路的等效模型为阻抗;谐振逆变器的开关管两端的电压为基波和三次谐波的叠加,二次谐波被滤除。本发明适用于驱动OLED。

    一种基于交错并联结构的高升压比双向DC/DC变换器

    公开(公告)号:CN107017772B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201710408912.6

    申请日:2017-06-02

    Abstract: 一种基于交错并联结构的高升压比双向DC/DC变换器,属于电压变换领域。解决了传统的双向DC/DC功率变换器电压调整范围较小、输出效率低和输出电压纹波大的问题。本发明包括3个双向DC/DC变换器单体,且3个双向DC/DC变换器单体并联连接;3个双向DC/DC变换器单体中的耦合电感Lr缠绕在同一铁芯上。所述的双向DC/DC变换器单体要有五部分构成,即:低压侧电路、高压侧电路、过渡电路、钳位电路以及降压开关电路。本发明主要用于在高、低电压间进行电压转换。

    基于Flyback和Class-E的高效率单级LED驱动装置

    公开(公告)号:CN106851925B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201710212109.5

    申请日:2017-04-01

    Abstract: 基于Flyback和Class‑E的高效率单级LED驱动装置,属于LED驱动领域,解决了现有双级LED驱动器的系统可靠性低和效率低的问题。所述单级LED驱动装置:桥式整流单元接入交流电源,并与Flyback功率因数校正单元电气连接,Flyback功率因数校正单元与Class‑E谐振变换单元电气连接,Class‑E谐振变换单元与全波整流单元电气连接,全波整流单元与待驱动的LED电气连接,Flyback功率因数校正单元与Class‑E谐振变换单元共用一个开关管,Flyback功率因数校正单元工作于DCM模式。本发明特别适用于LED的恒流驱动。

    采用自谐振网络的MOSFET高频驱动器

    公开(公告)号:CN106059321A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610393544.8

    申请日:2016-06-06

    CPC classification number: Y02B70/1433 H02M3/3381 H02M3/3385

    Abstract: 采用自谐振网络的MOSFET高频驱动器,属于电力电子领域。解决了现有高频MOSFET的驱动多采用晶振实现,该种驱动方式灵活性较差的问题。它包括电感LF、辅助开关管Shelp和自谐振反馈网络模块;电感LF的一端与输入电源的正极连接,电感LF的另一端同时与自谐振反馈网络模块的电源正极和辅助开关管Shelp漏极连接,自谐振反馈网络模块电源负极同时与输入电源的负极和辅助开关管Shelp源极连接,自谐振反馈网络模块的电压信号输出端与辅助开关管Shelp的栅极连接,辅助开关管Shelp的漏极与被测主开关管Smain栅极连接,辅助开关管Shelp的源极与被测主开关管Smain源极连接。用于对MOS进行驱动。

    一种上电冲击电流的抑制电路

    公开(公告)号:CN101534005A

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200910071754.5

    申请日:2009-04-09

    Abstract: 一种上电冲击电流的抑制电路,它涉及一种能够有效抑制上电冲击电流的电路。本发明解决了带有大输入电容的电路在上电瞬间电流回路中会出现上电冲击电流的问题。一种上电冲击电流的抑制电路,它的可控硅S1的阴极与第二限流热敏电阻R2的一端连接,第二限流电路与第一限流电阻R1并联连接,所述控制模块的控制信号输出端与可控硅的控制端连接。本发明可以广泛的用于开关电源中。

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