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公开(公告)号：CN112444502A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011298520.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明专利提供了一种监测铅离子/细菌双参量光纤传感装置及实现方法，它包括ASE光源、光纤耦合器、传感单元、铅离子/细菌容纳装置、光电转换器、信号处理模块。本发明专利通过光纤进行传感，利用法珀腔原理，使ASE光源发出的光在法珀腔中产生干涉光谱，通过对干涉光谱的检测，测量铅离子/细菌，并且通过信号处理模块，实现数字输出，达到可以在计算机上显示的目的。本发明降低了传感单元的尺寸，增加了传感的灵敏度，降低了不同参量的交叉影响，实现了同时监测铅离子/细菌的目的。同时可以在主机上输出，实现了对铅离子/细菌的实时监测。
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公开(公告)号：CN112433132A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011298533.4
申请日：2020-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01R31/12 , G01N21/41 , G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明专利提供了判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器及方法，由宽带光源、偏振器、测试气室、D型光子晶体光纤、单模光纤、光谱分析仪和计算机组成；光纤传感器位于测试气室内，测试气室内有控制四氟化碳气体的入口和出口；D型光子晶体光纤侧面抛光表面涂覆铂复合石墨烯薄膜，与D型光子晶体光纤熔接的单模光纤、涂覆铂复合石墨烯薄膜的D型光子晶体光纤一起构成所述的判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器的探头。利用SPR传感机制，将四氟化碳气体折射率RI的微小变化转换成可测量的损耗峰的变化，实现折射率传感，具有灵敏度高、设计灵活、结构紧凑、稳定性强等优点，在绝缘材料劣化程度判别中具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN111123286A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010030059.0
申请日：2020-01-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于自校准全光纤多普勒电缆长度测试方法及装置。本发明的测量方法是由两个同频率的激光器同时照射在电缆的不同位置，产生漫反射并由两台型号相同的光电探测器接收，接着对两个信号进行前置处理，再传输至信号处理模块；信号处理模块进行取样积分处理、快速傅里叶变换提取多普勒频率，并采取频谱细化和频谱校正对两个多普勒频率的频谱进行优化，得到两个速度值；将两个数值进行对比，判断其是否在误差范围内，若不在，将对激光器1进行稳频处理，从而优化光源；最终经过多次测量，得出一组数据值，取其中最优速度解，并对其进行积分得到被测电缆长度。该方法解决了传统测量电缆长度方法精度低的问题，并提高了系统稳定性和精度。
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公开(公告)号：CN111122513A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010028965.7
申请日：2020-01-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明公开了一种片状ZnO/石墨烯单球微纳结构气体传感器及制作方法，属于光纤传感领域。气体传感器包括ASE光源、光纤环形器、气体传感头、光谱仪。信号光由ASE光源经光纤环形器传输至气体传感头，在气体传感头中，信号光经金属铝膜反射，二次经过单模-拉锥多模-单模光纤结构，且借助单球微纳结构形成强干涉，并以基模形式向外传输，最后信号光由气体传感头经光纤环形器传送至光谱仪。传感器借助制备的片状ZnO/石墨烯敏感材料和强干涉光纤结构，使传感器干涉谱因二氧化氮气体浓度变化而产生较大漂移。通过漂移量可测量对应气体浓度。本发明将敏感材料和干涉型光纤结构结合，使光纤气体传感器成功实现高灵敏度、强稳定性、低成本的优越性能。
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公开(公告)号：CN105911740B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610339151.9
申请日：2016-05-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明提供了一种基于旋转偏光片的防窥显示系统，涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种基于旋转偏光片的防窥显示系统。本发明是为了解决在防窥显示技术中，现有防窥显示技术防窥性能及安全性差、技术难度大、生产成本高昂的问题。本发明包括一号偏光片、一号电机、液晶模块、一号控制模块、偏光眼镜。其中，液晶模块中包括TFT阵列板、液晶盒、滤色板；一号控制模块内包含信号发射装置；偏振眼镜内包含二号偏光片、三号偏光片、一号传动杆、二号传动杆、二号电机、二号控制模块、偏光片手动调节旋钮；二号控制模块内包含信号接收装置。通过各偏振片转速的变化，来增加窥视者对显示内容的破译难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109709074A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910051613.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明公开了一种基于Ag掺杂的ZnO纳米花的光纤氨气传感器，包括依次连接的光源、引入单模光纤、第一细芯光纤、空芯光纤、Ag掺杂的ZnO纳米花层、第二细芯光纤、引出单模光纤和光谱仪，其中宽带光源中心波长为1550nm；经引入单模光纤将光传给第一细芯光纤；其与引入单模光纤对准熔接产生干涉，其信号模式耦合至空芯光纤；空芯光纤直径125μm，纤芯14.2μm，其内部为Ag掺杂ZnO纳米花层，两端于第一细芯光纤和第二细芯光纤对准熔接，将干涉信号通过引出单模光纤输出，并在表面打2个孔，分别为气体进气口和出气口，用于氨气传输；光谱仪对干涉模式检测透射谱获得传感数据。本发明还公开了相应的制作方法。借助ZnO纳米花增加与氨气间接触面积，可显著提高系统灵敏度。
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公开(公告)号：CN109655159A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910051612.6
申请日：2019-01-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了基于Al2O3/ZnO的光纤紫外传感器，包括依次连接的光源、引入单模光纤、第一细芯光纤、空芯光纤、Al2O3/ZnO、第二细芯光纤、引出单模光纤和光谱仪，其光源为宽带光源，中心波长为1550nm；引入单模光纤用于接收和传输光源的光，并将其传输给第一细芯光纤；第一细芯光纤与引入单模光纤相对准熔接，产生干涉，并将干涉信号模式耦合至空芯光纤；空芯光纤内部设置Al2O3/ZnO，其两端于第一细芯光纤和第二细芯光纤相对准熔接，并将干涉信号引出单模光纤输出；光谱仪对引出单模光纤的干涉模式执行光谱检测，并获得传感数据。本发明还公开了相应的制作方法。据本发明借助于Al2O3/ZnO增强对紫外的吸收性，显著提高系统灵敏度，获得制作简单、便于封装的光纤紫外传感器。
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公开(公告)号：CN103528599B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310455613.X
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D3/028
Abstract: 基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别方法，涉及基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别技术领域。解决了现有光谱识别方法在进行光谱识别时，当光纤布拉格光栅长度与被测物体的尺寸相当，同时被测物体体内存在非均匀的传感参数的作用场时，导致光纤布拉格光栅的反射谱形状发生改变，进而影响光谱识别效率的问题。基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别方法，它包括以下步骤：计算非均匀应变场作用下的光栅折射率分布；建立非均匀外界应变场作用下光栅光谱识别的传输矩阵模型；传输矩阵模型得出非均匀外界应变场作用下直角三角谱光纤布拉格的光谱变化。本发明适用于非均匀光纤布拉格光栅的光谱识别。
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公开(公告)号：CN103724622B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310653545.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，本发明的目的是要解决现有的高介电聚合物-陶瓷复合薄膜的介电综合性能较差，不能满足微电子领域高介电柔性薄膜需求的问题，本发明的制备方法为：一、称量原料；二、原料的干燥；三、制备混合溶液A；四、制备混合溶液B；五、制备聚酰胺酸溶液；六、制备亚胺化后的玻璃板；七、脱模、制样，即完成。本发明的铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的介电综合性能优异，可满足微电子领域高介电柔性薄膜的需求。本发明应用于无机/有机复合材料的制备技术领域。
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公开(公告)号：CN103724622A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310653545.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，本发明的目的是要解决现有的高介电聚合物-陶瓷复合薄膜的介电综合性能较差，不能满足微电子领域高介电柔性薄膜需求的问题，本发明的制备方法为：一、称量原料；二、原料的干燥；三、制备混合溶液A；四、制备混合溶液B；五、制备聚酰胺酸溶液；六、制备亚胺化后的玻璃板；七、脱模、制样，即完成。本发明的铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的介电综合性能优异，可满足微电子领域高介电柔性薄膜的需求。本发明应用于无机/有机复合材料的制备技术领域。
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