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公开(公告)号：CN101135842A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN118795002A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411018501.2
申请日：2024-07-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体为一种基于激光诱导石墨烯的检测汗液中皮质醇的传感器。本发明传感器包括基底、栅极、漏极、源极、导电沟道、皮质醇分子印迹聚合物薄膜和微井；本发明根据MIP薄膜中互补空腔与模板分子的结合导致薄膜表面电学特性变化的原理，用LIG材料制备电极，并使用有机电化学晶体管的结构对电信号进行放大，根据晶体管电学特性曲线在不同浓度皮质醇溶液中的变化，建立器件响应电流与皮质醇浓度之间的关系，实现对汗液中皮质醇含量的高精度检测。本发明传感器检测灵敏度高、测限低和线性范围宽，对皮质醇分子具有高选择性和高回收率。本传感器制备简便、成本低廉，具有柔性、微型化特点，有利于后续集成为可穿戴设备。
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公开(公告)号：CN115656925A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211343581.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G01S5/16
Abstract: 本发明涉及一种基于改进凝聚层次聚类的室内可见光定位方法，包括：在定位区域划分网格，选取若干参考点；在屋顶安装可用于光通信的LED光源，室内铺设光电传感器和用于数据采集传输的无线节点；测量LED光源平均功率，建立指纹库；采用凝聚层次聚类，合并所有数据点为一个簇；选取需要的簇数，构建新的子数据库；根据光源功率对新簇进行二次分类，分为高功率区和低功率区；定位阶段，比较移动端光功率与新聚类中心的欧氏距离，将移动端纳入与其距离最近的簇；将移动端功率纳入相应功率区域，采用KNN匹配算法对指纹进行遍历锁定目标坐标位置。
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公开(公告)号：CN109325304B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+‑i‑n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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公开(公告)号：CN110148561A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910306510.4
申请日：2019-04-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管转移至柔性衬底方法。本发明方法包括，采用化学机械抛光、干法或湿法刻蚀结合的方式，实现非柔性Si衬底的剥离；并利用器件键合技术，通过Norland等粘附材料中间层将去除衬底的高电子迁移率晶体管器件转移至柔性衬底上，实现柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件制备。该方法刻蚀速度快，工艺成本低，且适用范围广，包括但不限于基于Si衬底、蓝宝石衬底等硬质衬底半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106960874A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710297916.1
申请日：2017-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件（HEMT）击穿电压的方法。本发明方法，是利用在HEMT器件的GaN缓冲层中进行p型掺杂，以及在漏端欧姆接触区域中使用双掺杂漏（DDD）掺杂技术，调制器件沟道电场的分布，减小器件流过GaN缓冲层的电流，降低器件漏端发生击穿的概率，以尽量利用器件的耗尽区承担漏极所加的高电压，从而提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN105911522A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610442008.2
申请日：2016-06-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G01S5/16
CPC classification number: G01S5/16
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开一种基于可见光通信的精确定位系统。基于LED可见光通信技术，本发明通过可见光LED阵列发送时钟信号，结合时分码分正交频分复用TC?OFDM系统，并结合IEEE1588网络同步技术，可以发送出精确时钟信号；在接收机端，使用复合抛物面聚光器结构，增加进入高速光电探测器的光强，以提高接收机的灵敏度；并结合静态目标定位和动态目标定位，来提高精度。本发明可以提高可见光通信定位的精度和灵敏度，在LED照明的同时实现精确定位。
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公开(公告)号：CN104934536A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510300325.6
申请日：2015-06-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0003 , H01L51/0048
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器。该存储器包括：以硅为衬底栅电极，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层作为栅介质层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个金属电极，两个电极具有一定的间距，在两电极之间淀积一层掺有碳纳米管的有机薄膜作为导电通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底（背栅）施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极在零栅压下的电流大小来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。
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公开(公告)号：CN102431966B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110443627.0
申请日：2011-12-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳器件技术领域，具体为一种管状多孔微米马达及其制备方法和应用。本发明多孔微米马达的制备步骤为：阳极氧化制备表面具有纳米孔阵列的氧化铝膜；在阳极氧化铝膜上沉积具有预应力梯度多层薄膜；对多层薄膜进行图形化处理；选择性地腐蚀多层薄膜下的多孔阳极氧化铝，多层薄膜自卷曲成为管壁具有纳米孔洞的微米管；将多孔微米管转移到溶液中，成为微米马达；这种特殊结构的多孔微米马达具有大的表面积、更高的催化效率以及更快的运动速度；利用磁场可以对微米马达的运动方向进行控制以用于微纳级别物体的输运。这种高速运动微米马达在药物输运、生物探测和分离、单细胞分析等方面具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN104076266A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410300741.1
申请日：2014-06-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种提取双材料双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管的亚阈值摆幅的方法。本发明通过求出双材料双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据亚阈值摆幅的定义，利用求得的电势得到亚阈值摆幅的解析模型。该亚阈值摆幅解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究新型双材料双栅结构器件时候，提供了一种快速的工具。
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