公开(公告)号：CN102130011B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201010613768.8

申请日：2010-12-30

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66848

摘要： 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。

公开(公告)号：CN103035533B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210537421.9

申请日：2012-12-12

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  周祥标 ,  许鹏 ,  张卫 ,  张世理

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管的制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。

公开(公告)号：CN104934536A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510300325.6

申请日：2015-06-04

申请人： 复旦大学

发明人： 李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  张世理 ,  刘冉

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048

摘要： 本发明属于微电子技术领域，具体为一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器。该存储器包括：以硅为衬底栅电极，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层作为栅介质层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个金属电极，两个电极具有一定的间距，在两电极之间淀积一层掺有碳纳米管的有机薄膜作为导电通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底（背栅）施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极在零栅压下的电流大小来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。

公开(公告)号：CN101800251B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201010103437.X

申请日：2010-01-29

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  张世理

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

摘要： 本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括一半导体衬底、一源极区域、一漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的一隧道绝缘层、一电荷俘获层、一阻挡绝缘层和一栅电极。所述漏极区域包括P-N结，所述源极区域包括金属钛、钴、镍、铂中任意一种或者其混合物与半导体衬底形成的金属半导体结。本发明电荷俘获非挥发半导体存储器的编程电压低、编程速度快、功耗较低、可靠性较高。

公开(公告)号：CN101834141B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201010162413.1

申请日：2010-04-28

申请人： 复旦大学

发明人： 朴颖华 ,  吴东平 ,  张世理

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由肖特基结和PN结混合构成。

公开(公告)号：CN101777565B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910247550.2

申请日：2009-12-30

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  张世理 ,  娄浩涣 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L21/82

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电，从而形成自供电的低功耗集成电路。

公开(公告)号：CN101719517B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910199045.5

申请日：2009-11-19

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  张世理 ,  王鹏飞 ,  仇志军 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。

公开(公告)号：CN102201343A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110106317.X

申请日：2011-04-26

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/04 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线(即金属栅)，而不需要利用高分辨率的光刻技术来形成金属半导体化合物纳米线，因而大大节约了成本；同时，还公开了一种纳米MOS器件，其栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN102184946A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110063882.2

申请日：2011-03-17

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  张世理 ,  朱志炜 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L27/108 ,  H01L21/283 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

摘要： 本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜，形成于半导体层与多晶半导体层之间，其厚度为2～5nm，从而改善所述半导体层与多晶半导体层之间的接触；还公开了一种DRAM存储单元，该存储单元中的MOS晶体管的漏区与多晶半导体缓冲层之间加入金属半导体化合物薄膜，且其厚度为2～5nm，从而可在提高晶体管的读写速度的同时，避免所述漏区与硅衬底之间的漏电流过度增大；同时，还公开了一种DRAM存储单元的制备方法，该方法形成的DRAM存储单元，其MOS晶体管器件的漏区与多晶半导体缓冲层之间形成有金属半导体化合物薄膜，且所述金属半导体化合物薄膜的厚度控制在2～5nm，从而可提高DRAM存储单元的性能。

公开(公告)号：CN102104006A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201110009523.9

申请日：2011-01-17

申请人： 复旦大学

发明人： 吴东平 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制备方法，该方法包括如下步骤：提供第一型体衬底，利用光刻和刻蚀的方法形成浅槽，并在浅槽内生长形成二氧化硅浅槽隔离结构；在衬底与浅槽隔离结构的上面进行淀积形成高K栅介质层以及金属栅电极层；利用光刻或腐蚀等工艺形成栅极结构；进行第二型体杂质离子注入，形成源漏扩展区；淀积绝缘层，形成紧贴栅极边缘的侧墙；进行第二型体杂质离子注入，形成第二型体场效应晶体管的源漏区，形成源漏区和硅衬底之间的PN结界面；进行微波退火，激活注入的离子。本发明提出的这种新的场效应晶体管的工艺，可以在较低的温度下对源漏区的杂质进行激活，可以减小源漏退火对高K栅介质/金属栅电极的影响。