公开(公告)号：CN106504980A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611007128.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/02521

Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，具体为一种氮化铝（AlN）单晶薄膜的制备方法。本发明使用ZnO单晶基片或其他异质材料作为衬底，使用原子层沉积镀膜（ALD）方法生长AlN薄膜，把清洗好的衬底放入反应腔，反应腔温度设为250-500 oC，使用三甲基铝（TMA）和氨气（NH3）等作为反应前驱体，交替通入反应腔进行生长AlN薄膜。最终外延生长出非极性（100）方向的AlN单晶薄膜。本发明是在低温条件下实现了AlN材料的外延生长，极大降低生长温度和对真空度的要求，其工艺简单，减少了AlN单晶的生长成本，并可以与现有的半导体生长工艺兼容。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件、III-IV族氮化物器件的缓冲层等方面有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102544103B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210005872.8

申请日：2012-01-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晨 ,  卢红亮 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。

公开(公告)号：CN103745971A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310701169.5

申请日：2013-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  耿阳 ,  朱尚斌 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明采用Ru-N-Ti结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/仔晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TiN)y薄膜，x,y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TiN两者的比例，可以得到对Cu优秀的粘附能力和扩散阻挡能力。本发明可在高纵横比结构上生长出均匀非晶薄膜，获得的Ru-N-Ti结构可同时作为Cu的扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，减少工艺步骤与薄膜器件的整体厚度，改善对Cu的扩散阻挡与粘附性能，提高铜互连的导电性能。

公开(公告)号：CN103325770A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310235819.1

申请日：2013-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  朱尚斌 ,  耿阳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种集成电路铜互连结构与制备方法。本发明提出一种新的Ru-N-Ta结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TaN)y薄膜，x，y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TaN两者的比例，可以得到较好的Cu扩散阻挡能力和粘附能力。本发明的优点可在高深宽比结构上生长均匀非晶薄膜的特点，制备出Ru-N-Ta结构同时充当Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，大大减小薄膜厚度；可以改善Cu阻挡与粘附性能，减少工艺步骤，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。

公开(公告)号：CN102507040B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201110354870.5

申请日：2011-11-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张荣君 ,  郑玉祥 ,  陈良尧 ,  张帆 ,  林崴 ,  耿阳 ,  卢红亮

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，具体为一种基于椭偏仪的薄膜温度测量方法。本发明利用椭偏仪测量被测薄膜的折射率谱线与标准折射率谱线，将两者比较，采用最小二乘法得到最佳匹配曲线，从而根据标准谱线所对应的温度值得到被测薄膜的温度值。本发明可非直接、无损耗地测量固体薄膜实时或非实时温度。测量过程中对薄膜材料没损伤，当实验条件不发生明显变化时，该方法具有较高的置信度。当标准折射率谱的温度间隔取得较小时，该方法具有较高的精度。

公开(公告)号：CN102565660A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210000912.X

申请日：2012-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晨 ,  卢红亮 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域，具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的Id-Vg测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管，测得两路脉冲信号：栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号，从而进行信号同步的修正；并且在同一实验平台上设置电源电压为零时，测得晶体管的位移电流信号，从而进行位移电流造成的误差修正。本发明方法操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于以III-V族半导体、锗、石墨烯、各种纳米管、线等结构为载流子沟道的高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。

公开(公告)号：CN119545816A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411490382.0

申请日：2024-10-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  沈磊 ,  朱小娜

IPC: H10D1/66 ,  H10D62/10 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于p‑dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法；本发明首先通过热氧化法，在p‑Si衬底上生长SiO2界面层（IL）。通过原子层沉积技术在IL层上生长不同循环数的Ga2O3，并原位生长HfO2薄膜。接着，器件快速退火，以修复介质层间的氧化物缺陷。最后，制备出图形化的W电极，从而得到MOSCAP器件；本发明中，加入Ga2O3偶极子层后的MOSCAP器件表现出较低的回滞曲线，且仅增加了极低的等效氧化物厚度（EOT），同时实现了显著的VFB正向调节。本发明证实了Ga2O3是一种具有潜力的新型p‑dipole材料，在先进工艺节点的多阈值技术发展中展现出广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114078966B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010811911.8

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯黎 ,  周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。

公开(公告)号：CN115884599A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211577445.7

申请日：2022-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  李煜淳

IPC: H10B53/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法，在高阻硅片上采用原子层沉积技术生长氧化铝（Al2O3）薄膜，然后在Al2O3薄膜上沉积氧化锆（ZrO2）籽晶层，在籽晶层上生长氧化铪HfO2铁电薄膜，利用磁控溅射、光刻、刻蚀制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过构建具有高介电常数的双层堆叠界面层优化HfO2铁电薄膜与半导体硅沟道的界面，增加了HfO2铁电相的成分、减弱了沟道电荷注入，实现高性能的电容存储功能。

公开(公告)号：CN115775687A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211614877.0

申请日：2022-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  黄腾 ,  李煜淳

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/002 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开了一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法；本发明在硅/二氧化硅片上采用物理气相沉积技术生长底电极钨，然后在钨电极上采用等离子体增强原子层沉积技术生长镓掺杂氧化铪铁电薄膜，再利用物理气相沉积、光刻、剥离制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。本发明的镓掺杂氧化铪基铁电薄膜，通过采用原子半径较小的镓原子取代部分铪原子，在氧化铪薄膜中产生较大的应力，诱导铁电相的产生，实现了低矫顽场、高可靠性。